华为Mate 70最新细节曝光:新鸿蒙、新Ai、新芯片…
4、OV50K40采用豪威集团的PureCelPlus-S晶片堆叠技术,可实现1.2微米像素的分辨率。从媒体传出的消息分析,豪威集团的OV50K40现已进入量产阶段,而华为Mate70也被爆出,将采用这一最新的图像传感器。3、Ai及新芯片。在一众智能手机厂商高呼“Ai手机”的时候,华为则显得更为冷静、准备更足、看得更远。
首先得有,28nm/65nm突破为何被工信部列为“重大技术”
1.35NA的浸没式DUV分辨率约38nm,单次曝光能满足28nm逻辑节点,在2015年EUV光刻机量产之前,台积电最先进制程已发展到16/12nm,实现手段便是多重曝光技术。当制程微缩至10nm及以下时,浸没式DUV多重曝光的工艺复杂度急剧上升。ArF+双重曝光广泛用于22/20/16/14nm,三重或多重光刻技术可达到10nm甚至7nm。台积电第一代...
没有EUV光刻机,怎么做5nm芯片
采用四重曝光则可以将k1降到0.07,分辨率达到10nm左右,甚至比EUV光刻机的11.5nm的分辨率更高,这就是浸润式光刻机多重曝光做7nm、5nm甚至3nm的理论依据。虽然理论简单,但实践起来就没那么容易,这其中自对准多曝光技术最为重要,借助这项技术可以让k1值成倍的缩小,而这项技术最关键的就是光刻机的套刻精度(Overl...
芯片那些事儿
在硅片表面均匀涂布一层光刻胶,通过掩模将芯片设计图案投影到光刻胶层,通过化学反应形成图案,清洗残留光刻胶和杂质确保蚀刻精确性,通过化学或等离子体方法将曝光后的光刻胶图案转移到硅片的材料层,形成纳米级电路结构...以上就是神秘的纳米级芯片制造工艺流程梗概,是不是看起来很简单?从零开始“手搓芯片”似乎也...
光刻技术的过去、现在与未来
图形转移:在曝光后,光刻胶上形成了掩模上图案的复制。接下来是显影和蚀刻步骤。显影是将未暴露于光的区域溶解掉,留下暴露于光的区域。接着进行蚀刻,利用化学溶液或物理方法去除显影后的部分,暴露出硅片或基板表面。最终,光刻胶被去除,留下所需的微细图案,这些图案用于半导体芯片或其他微纳米制造中。
招商策略:当下A股主要有人形机器人、汽车智能化、数据要素、HBM和...
人形机器人产业迎多重催化,看好相关产业链环节投资机会(www.e993.com)2024年10月23日。投资机会二:汽车智能化。政策端,L3、L4智能驾驶已经开始试点;产业端,特斯拉FSD入华渐近,华为建立鸿蒙智能汽车技术生态联盟。投资机会三:数据要素。四季度以来,数据要素催化不断,产业进展频出,数据要素作为AI语料有巨大增长潜力。投资机会四:HBM。AI服务器CPU和...
微导纳米2023年年度董事会经营评述
iTomicPE系列等离子体增强沉积镀膜系统,适用于沉积多种氧化物和氮化物、互相掺杂沉积工艺等薄膜材料;可用于MEMS、逻辑、存储、CMOS芯片的多重图案化和间隔层。该系列部分产品已发往客户处进行试样验证。iTronix系列化学气相沉积镀膜系统,可应用于逻辑、存储、先进封装、显示器件等镀膜领域。该系列部分产品在2023年7月首台...
EUV光刻机,大结局?
理论上,“193nm水浸没式技术”+“多重曝光”可以应用于3nm节点的芯片生产。但是实际上,当芯片进入7nm节点,工艺复杂度直线上升,其工艺步骤是EUV光刻的5倍,光刻次数是EUV光刻的3倍,从而造成了难以解决的“80%的芯片良率”问题。而80%的芯片良率通常是芯片工厂实现盈利的标准。
2022年存储芯片行业深度报告
3D堆叠大幅提升容量,相同单元密度下寿命较2D结构延长。3DNAND是一项革命性的新技术,首先重新构建了存储单元的结构,并将存储单元堆叠起来。3DNAND带来的变化有:(1)总体容量大幅提升;(2)单位面积容量提高。对于特定容量的芯片,3DNAND所需制程比2DNAND要低得多(更大线宽),因而可以有效抑制干扰...
消息称戴尔PC将完全退出中国,完整时间表曝光 ;蔚来性侵丑闻女员工...
3月14日晚间消息,针对网络上流传的华为开发出芯片堆叠技术方案的通知,华为方面回应称,通知为仿冒,属于谣言。近日,网络上流传的一份通知称,华为宣布,已经成功开发出芯片堆叠技术方案。另外,还有传言称华为的芯片堆叠方案,可以在14nm制程下实现7nm水平,属于曲线救国。对于该通知,华为称为仿冒,属于谣言。(新浪科技)...