浙江大学赵保丹&狄大卫Nature全面解读:发光钙钛矿半导体中可控的p...

结果表明,p型和n型样品的载流子浓度均超过了1013??cm??3,霍尔系数在??0.5??m3C??1(n型)到0.6??m3C??1(p型)范围内。我们观察到了费米能级在带隙中的移动。重要的是,实现了从n型到p型导电性的转换,同时保持了70%到85%的高光致发光量子产率。在发光钙钛矿半导体中,可控的掺杂使得我们展示...

发射型钙钛矿半导体的可控p型和n型行为研究

由此得到的p型和n型样品的载流子浓度均超过1013cm-3,霍尔系数范围从0.5m3C-1(n型)到0.6m3C-1(p型)。观察到费米能级在带隙间的移动。重要的是,在保持70–85%的高光致发光量子产率的同时,实现了从n型到p型电导率的转变。在发光钙钛矿半导体中实现的可控掺杂,使得具有简单结构的钙钛矿发光二极管展现出超高亮...

新型n型可掺杂ABXZintl锌热电材料的发现,对半导体有何重大意义

SnBi的高生成能产生了一个较大的Edon~为0.48eV,使KSnBi成为一个n型可掺杂相。事实上,供体BiSn缺陷的低形成能保证了KSnBi是简并掺杂的n型,即使没有引入外部掺杂剂。因此,KSnBi是一种不错的候选Zintl相,在富碱生长条件下,由于n型自掺杂,预计具有高TE性能和高自由电子浓度,RbSnBi的固有缺陷能量学与KSnBi相似。

半导体可控掺杂:浙大实现116万尼特超亮钙钛矿LED登《自然》

半导体材料之所以如此广泛应用于电子技术,关键在于它们可以通过掺杂实现p型和n型两种不同的导电特性。对于传统半导体而言,通过“掺杂”,即在晶格中引入杂质,可以实现对其电学性质的有效控制。例如,在硅中掺入硼,可以使其成为主要传导正电荷(空穴)的p型半导体,而掺入磷则可以使其成为主要传导负电荷(电子)的n型半导体...

离子束图案化掺杂构建二维横向p-n结

近日,武汉大学肖湘衡教授团队提出了一种基于超低能离子注入选区掺杂构建二维横向p-n同质结的方法。通过精确调控注入离子的剂量,成功实现了对WS2导电类型的调控,使其从n型转变为双极型甚至p型,且论证了该方法的普适性。此外,基于WS2横向p-n同质结的光电探测器表现出良好的自驱动光探测能力。该成果为二维半导体的可控...

类似传统半导体-铅卤素钙钛矿实现有效电学掺杂 | NSR

未掺杂的薄膜展现出双极性性质,使用乙二铵离子掺杂的薄膜显现出n型性质,电荷密度接近1016量级,而采用苯乙铵处理的薄膜表现出p型性质(www.e993.com)2024年11月10日。采用紫外光电子能谱和Kelvin探针测试得到的薄膜电势位置的变化和电学掺杂浓度的变化一致,进一步证实了远程分子掺杂对薄膜电学性质的调控作用。此外不同碳链长度的二铵离子掺杂也可以提升...

【科技自立自强】西安交大-清华联合研究团队在热电半导体材料领域...

热电半导体材料是一种可以直接将热能转变为电能的新能源材料,由于其具有体积小、全固态、高可靠性、无噪音、绿色环保等突出优势,在发电与制冷领域有着十分广阔的应用潜力。n型有机半导体在高效有机热电器件的发展中发挥着关键作用。然而,具备高热电性能、高空气稳定性、易合成和材料储量丰富性等特点的n型有机热电材料...

他,一口气读了2个博士学位,被评为“35岁以下科技创新35人”,最新...

当掺杂浓度达到8%时,p型特性减弱。KPFM测量显示,表面电势随掺杂浓度增加而上升约0.5eV(图1d-h)。霍尔效应测量进一步证实掺杂引起的载流子极性和浓度变化(图1i、j),5%掺杂时空穴浓度最大。实验表明,通过4PACz掺杂可以有效实现钙钛矿半导体的n型到p型转换。

【光电集成】芯片制造工艺流程.图文详解.一文通

??EPI生长的目的是在衬底上形成具有不同(通常较低)浓度的电活性掺杂剂的层。例如,p型晶圆片上的N型层。??约为晶圆片厚度的3%。??对后续晶体管结构无污染。半导体制造工艺-光刻(Photolithography)近年大量提及的光刻机,只是众多工艺设备中的一个。即使是光刻,也有很多的工艺过程和设备。

【好文推荐】闫江毅,丁一汇,李风亭|碳纳米管功能化改性的研究进展

结果发现,在相同摩尔质量下,H2SO4和HNO3混酸对多壁碳纳米管的氧化功能作用弱于纯HNO3,当混酸浓度为15mol/L时,对其结构降解最为严重,而单一HNO3酸液的处理使多壁碳管表面含氧化学成分的原子率最高,且单一HNO3酸液的氧化性能是混酸氧化性能的1.6以上,极大地增强了碳纳米管与水溶液之间的氢键...