【领先】自主创芯争领先,景略半导体推出数款千兆交换机芯片JL61xx

细分到设备环节来看,光刻环节,尼康提供1台ArFi浸没式扫描光刻机,合肥开悦半导体提供1台I-line曝光机。刻蚀、工艺检测两个环节,国产设备数量占比均为75%;刻蚀环节,北方华创提供9台刻蚀设备,涉及8英寸多晶硅刻蚀机、8英寸浅沟等离子刻蚀机、6英寸深沟槽等离子刻蚀机等;工艺检测环节,睿励科学仪器提供3台8英寸晶圆薄膜厚...

复旦大学教授:国产光刻机落后ASML20年,这一说法是否准确?

光刻机，作为芯片制造的核心装备，其重要性不言而喻。在芯片制造的各个环节中，光刻机的成本占比高达24%，位列所有设备之首，其后是占比20%的刻蚀机。两者合计占据了近半的制造成本。光刻工艺在芯片制造中复杂度最高，对精确度的要求也最为严苛。它不仅用于曝光和图案化光刻胶，而且在先进工艺中还需执行多重...

图说光刻机的4大核心技术

说明:而第五代叫做ArFi,前面三个字母相同,因为采用的也是193nm光源,但这种又与ArF不一样,之前所有的光刻机其介质采用的是空气,但到了ArFi时,采用的是水。I就是浸没式的意思,Immersion的缩写。光线在经过水时,会有折射,所以虽然ArFi光刻机采用193nm波长光源,等经水折射时,等效于134nm波长的光源,所以这种光刻机...

行业专题 | 中国光刻机崛起!

套刻精度是衡量光刻机性能的关键指标,决定了芯片的良率和性能。随着工艺节点减小,套刻精度要求更高,对设备和技术的要求也更高。3.不同型号光刻机的关键参数65nmArF光刻机:分辨率≤65nm,套刻≤8nmASML1460KArF光刻机:波长193nm,分辨率≤65nm,套刻精度3.5/5.0nm,产量≥205wphNikonS322F...

三星美国芯片工厂推迟接收EUV光刻机 原因尴尬

EUV光刻机每台价值约2亿美元,通过光束在硅晶圆上刻蚀电路图案,被广泛用于制造智能手机、电子设备和人工智能服务器中的先进芯片。三星在今年4月份表示,泰勒工厂的投产将从2024年推迟到2026年。李在镕在本月早些时候表示,该工厂让公司面临挑战。截至发稿,三星和阿斯麦拒绝就光刻机推迟交付一事置评。(作者/箫雨)...

中国拥有了光刻机为什么让美国害怕到发抖?真正的原因谁都没想到

完全自主的光刻机如果是28nm制程,那可以自主生产出来相当于每西方水准多少纳米水准的芯片呢?很好算,就是10nm(www.e993.com)2024年11月4日。现在中国用自主的完全自己生产的光刻机,已经可以完全不需要美西方就生产出10nm制程的芯片了,这才是让美西方瑟瑟发抖、魂飞魄散的真相了。

阿斯麦“掉链子”,光刻机国产替代加速!这几家公司现金流充足

比如说，有一家叫做中微公司的企业，虽然目前还没有进入光刻机领域，但他们在半导体设备制造方面已经有了相当深厚的积累。他们的等离子体刻蚀设备和MOCVD设备在市场上有着不错的口碑。如果他们决定进军光刻机市场，凭借他们的技术实力和行业经验，很可能会成为一匹黑马。还有一家叫做上海微电子的公司，他们已经成功研发...

天塌了,英特尔或被收购;国产光刻机重大突破

《目录》中的电子专用装备目录下提到,集成电路生产设备方面包括化氟化氪光刻机,光源248纳米,分辨率≤110nm,套刻≤25nm;氟化氩光刻机,光源193纳米,分辨率≤65nm,套刻≤8nm。除光刻机,其他集成电路生产设备还包括硅外延炉、湿法清洗机、氧化炉、涂胶显影机、高能离子注入机、低能离子注入机、等离子干法刻蚀机、特征...

国产光刻机已取得重大突破!

光刻机、刻蚀机等芯片生产关键设备取得突破,也就意味着我国芯片制造商在关键设备上有了更先进的国产设备可用,有利于芯片产业链的国产化,也将提升国产芯片的水平,保障供应。工信部在官网公布的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》,包括15大类重大技术装备,除了长期困扰我国芯片产业的光刻机,还有高端...

中国造光刻机无望?中科大高层放狠话:中国永远都造不出来

现在的成果也许只是一张车票,这张车票通向很远的未来,在那里,中国有属于自己的光刻机品牌,再也不受限于海外。信息来源:1抖音视频2024年08月16日《中国科学技术大学物理学教授朱士尧解读,光刻机和刻蚀机的区别——朱士尧聊企业文化》2抖音视频2024年09月03日《中科大物理教授朱士尧:光刻机难度超...