中国光刻胶,离日本还有多大差距?

按曝光光源和辐射源的不同就分得更细了,可分为紫外光刻胶、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻完成后的晶圆片每类都有前面说的正负性之分,品种规格很多,非常复杂,对应的配方和生产技术也简单不了,但总体上都包括三种成分:感光树脂、增感剂和溶剂。光刻胶的使用范围相当广,显示面板、...

聚焦先进光刻热潮,激发国际交流活力--第八届国际先进光刻技术研讨...

从实验方法的角度来看,HLS拥有极紫外计量学、干涉光刻、相干衍射成像、共振软X射线散射、X射线光电子能谱、光电离质谱等技术,以支持极紫外光刻领域的应用基础研究和技术开发。NSRL还计划通过将电子束电流增加到至少500毫安并将电子束发射度降低到小于10纳米弧度来升级HLS,以进一步提高极紫外光的亮度和相...

突破!可改进EUV光刻

此次纳入测试评估的设备名为Acrevia，于今年7月推出，其利用定向气体团簇光束在最佳晶圆倾斜角度进行蚀刻，从而实现EUV光刻图案临界尺寸和形状的精准调整。这不仅能提高光刻图案的精度，还显著降低了晶圆表面损伤的风险。东京电子表示，该设备作为一款图案塑形工具可以改善图案边缘粗糙度并减少随机光刻缺陷，从而提高良率。三...

进入高NA EUV光刻时代

首先，我们会密切监测High-NAEUV微影设备（cluster）原型机的性能，束型机即相连的光刻机与显影机。为此，imec目前持续在制备专用的晶圆堆叠，基线制程也正在转移到High-NAEUV束型原型机上。我们的团队将会评估束型机的最高解析度（最终目标是实现导线／间隔的金属间距为18nm、接触孔洞间距为28nm）、稳定性（例如经...

天价EUV光刻,何去何从?

简单来说就是,原本需要两次EUV曝光才能完成的过程,现在借助应用材料公司的CenturaSculpta图案化系统,就只需要一次EUV曝光就能完成。与此同时,EUV双重图案化需要许多额外的制造工艺步骤,通常包括CVD图案化薄膜沉积,CMP清洁,光刻胶沉积和去除,EUV光刻,电子束计量,图案化薄膜蚀刻和晶圆清洁等。

EUV光刻,新里程碑

尽管HighNA扫描仪的功耗较高,但我们的模型显示,当用HighNA单次曝光等效装置替换一个EUVLowNA光刻-光刻-蚀刻(LELE)通孔工艺模块时,二氧化碳排放量总体减少了30%(www.e993.com)2024年11月25日。工艺简化比平台加速带来的功耗增加更重要。可以通过最大化扫描仪吞吐量(以每小时晶圆片数(wph)为单位)来控制电力消耗。降低光刻胶...

替代EUV光刻机光源,日本方案详解

2.用于未来光刻的EUV-FEL光源2.1概述我们设计并研究了基于ERL的高功率EUV-FEL光源。图2展示了EUV-FEL光源的示意图和设计参数。在该光源中,由电子枪产生的电子束,带电量为60皮库仑,以162.5兆赫的束团重复频率进行加速,首先在注入器超导线性加速器中加速至约11兆电子伏特,然后在主超导线性加速器中加速至800兆电...

EUV光刻机,大结局?

理论上,“193nm水浸没式技术”+“多重曝光”可以应用于3nm节点的芯片生产。但是实际上,当芯片进入7nm节点,工艺复杂度直线上升,其工艺步骤是EUV光刻的5倍,光刻次数是EUV光刻的3倍,从而造成了难以解决的“80%的芯片良率”问题。而80%的芯片良率通常是芯片工厂实现盈利的标准。

EUV光刻,日本强在哪儿?

对光刻胶分辨率等性能要求不断提高,光刻技术随着集成电路的发展经历了从G线(436nm)光刻,H线(405nm)光刻,I线(365nm)光刻,到深紫外线DUV光刻(KrF248nm和ArF193nm)、193nm浸没式加多重成像技术(32nm-7nm),再到EUV极端紫外线(<13.5nm)光刻的发展,甚至采用非光学光刻(电子束曝光、离子束曝光),以相应波长为...

光刻技术的过去、现在与未来

光刻或电子束曝光:利用光刻或电子束曝光技术将设计好的图案投射到掩模上。这个步骤需要高精度的设备和技术,确保掩模上的图案与设计的图案完全一致。图案检验与修正:制作完成后,掩模需要进行严格的检验和修正。利用显微镜等工具检查掩模上的图案是否与设计一致,如果存在缺陷或不符合要求,则需要进行修正。