达新半导体|张海涛:Si/SiC/GaN功率器件技术路线对比浅析
另外碳化硅跟氮化镓,分别叫金属氧化物半导体场效应晶体管,氮化镓是一个HEMT器件,是高电子迁移率晶体管,从名称可以看到,硅是一个双极型的,另外两种是单极型的器件,硅的IGBT可以等效为它是一个MOS管控制的PIN二极管,所以它是一个双极型器件。再来从器件的结构上进行对比,这里画了示意图,从下往上看。首先来看衬底,...
告诉你什么是功率半导体士兰微到底强在哪里?
1.双极型器件,例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR;2.单极型器件,例如PowerMOSFET、SIT、肖特基势垒二极管;3.复合型器件,例如MCT(MOS控制晶闸管)、IGBT、SITH和IGCT。器件优缺点电力二极管:结构和原理简单,工作可靠;晶闸管:承受电压和电流容量在所有器件中最高IGBT:开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能...
功率半导体行业专题:铸全球竞争护城河,产品格局看“底部”机遇
相较于其他单/双极型开关器件具有以下优越性:其开关损耗低,易于提高功率模块整体效率;开关频率高,降低了电容电感体积,利于电力电子变换器的整体小型化;工作环境温度理论上可达600℃,远超Si基器件,利于在高温环境下的应用。
半导体芯片,到底是如何工作的?
概括来说,就是从双极型为主,到单极型为主。单极型的话,从FET到MOSFET。从结构的角度来,又是从PlanarFET到FinFET,再到GAAFET。缩略语有点多,而且比较接近,所以容易看晕。大家耐心一点,一个个来看。双极型、单极型肖克利在1948年发明的结型晶体管,因为使用空穴与电子两种载流子参与导电,被称为...
氧化镓会取代碳化硅吗?一文看懂氧化镓 | 金刚石大会 | 碳材料展
第四代超宽禁带材料在应用方面与第三代半导体材料有交叠,主要在功率器件领域有更突出的应用优势。第四代超窄禁带材料的电子容易被激发跃迁、迁移率高,主要应用于红外探测、激光器等领域。第四代半导体全部在我国科技部的“战略性电子材料”名单中,很多规格国外禁运、国内也禁止出口,是全球半导体技术争抢的高地。第四...
【产业研究】高压快充趋势及产业链降本,加速碳化硅产业进展——新...
由于原子堆垛结构的差异,导致4H-SiC在垂直型方向拥有更高的临界电场强度、电子迁移率和更低的导电各向异性,因此4H-SiC更适合商业化的垂直型功率器件(SBD和MOSFET),对应SBD和MOSFET器件特性也优于3C-SiC和6H-SiC单极型器件的理论极限(www.e993.com)2024年10月17日。
从三个维度看懂半导体:材料、产品和产业链
它不再单纯是物理化学家眼中常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,也不单纯是企业家实体生产厂家的电子信息产业的核心硬件基础,包括集成电路、光电器件、分立器件、传感器等四大类;同时也不单单是产业链学者眼中的按产业链维度讲,半导体产业链自上而下包括上游以集成电路为代表的半导体产业、中游电子零部件及模组...
一文搞懂SiC功率器件的市场、应用和制造工艺
通常在SiC中:单极器件至10kV,双极器件>10kV#SiC已经应用在多种器件中单极器件:MOSFET、JFET、结势垒肖特基二极管双极器件:BJT、晶闸管、IGBT、PiN二极管#SiC-MOSFET有平面型与沟槽型,是电力电子应用的主力军由于栅极氧化物的沟槽角处的电场拥挤,沟槽型MOSFET的阻断电压能力可能低于DMOSFET...
第三代半导体之SiC衬底行业研究:产业瓶颈亟待突破,国内厂商加速发展
此外,IGBT是双极型器件,在关断时存在拖尾电流;而MOSFET是单极器件,不存在拖尾电流,该特性使得SiCMOSFET的开关损耗大幅降低,提高能源转换效率。随着越来越多的车厂提高车的电池电压,在未来的高压场景下,碳化硅的性能优势会更加明显。电机驱动系统:碳化硅功率器件主要应用于新能源汽车电机驱动系统中的电机...
第四代半导体氧化镓的机遇与挑战
图:功率半导体材料对比(半导体行业观察译自PC.watch)由于β相的巴利加优值较高,因此,在制造相同耐压的单极功率器件时,元件的导通电阻比采用SiC或GaN的低很多,有实验数据表明,降低导通电阻有利于减少电源电路在导通时的电力损耗。使用β相的功率器件,不仅能减少导通时的电力损耗,还可降低开关时的损耗,因为在...