玉原石也可以被化学水浸泡吗-玉原石也可以被化学水浸泡吗为什么

需要明确的是,强酸、强碱和其他化学试剂对玉石产生的不良作用是必须避免的,为此不建议将玉石浸泡在化学溶液中。咱们需要小心解决玉石,保障正确的清洗方法,并避免利用也许会对其造成损害的化学试剂。玉石是一种珍贵而美丽的宝石,正确的保养可使其长久地保持魅力。翡翠本身用砂纸可抛光吗翡翠是一种被广泛应用于珠宝行...

基础化工行业中期策略:顺高景气赛道,掘金格局优异的新材料

抛光液是一类胶粒分散均匀的白色胶体，在CMP工艺中起到研磨、腐蚀、溶解的作用，抛光垫是CMP工艺中对晶圆表面提供压力并进行机械摩擦对耗材。从种类上看，抛光垫可分为聚氨酯类、无纺布类、绒毛结构类，其中聚氨酯类为目前半导体制程中的主流抛光垫类型；抛光液可分为铜抛光液、钨抛光液、硅抛光液、钴抛光...

碳化硅单晶衬底切、磨、抛材料整体解决方案

抛光液是CMP的关键耗材之一，抛光液中的氧化剂与碳化硅单晶衬底表面发生化学反应，生成很薄的剪切强度很低的化学反应膜，反应膜在磨粒的机械磨削作用下被去除，从而露出新的表面，接着又继续生成新的反应膜，如此周而复始的进行，是表面逐渐被抛光修平，实现抛光的目的。抛光液的质量对抛光速率及抛光质量有着重要作用，...

第三代半导体材料化学机械抛光(CMP)工艺的检测难点

以碳化硅为例,其硬度世界排名第三,莫氏硬度为13,仅次于钻石(15)和碳化硼(14);而且其化学稳定性高,几乎不与任何强酸或强碱发生反应。晶体碳化硅还需要通过机械加工整形、切片、研磨、抛光等化学机械抛光和清洗等工艺,才能成为器件制造前的衬底材料。化学机械抛光(CMP)化学机械抛光(或化学机械平坦化)通常是使用专用抛...

保温杯危害|一女孩新买一个漂亮水杯,却天天肚子疼

其实是因为保温杯的加工方式决定的。电解抛光、化学抛光及电镀处理是传统上采用最多的保温杯加工工艺,而致命重金属就藏在这些工艺中,比如保温杯脱脂、除锈用的强酸,电解抛光时用的硫酸、硫酸和磷酸,铬酐酸等均有很大重金属风险。电解抛光液简直是“毒王”,不仅毒性极大,危害着人们的身体,还会产生大量难以处理的废液...

碳化硅设备行业深度报告:多技术并行,衬底切片设备加速国产化

抛光后需借助X射线衍射仪、原子力显微镜、表面平整度检测仪、表面缺陷综合测试仪等设备检测各项参数指标来判定晶片等级(www.e993.com)2024年11月8日。随后需在百级超净间内,使用清洗药剂和纯水清洗,去除微尘、金属离子、残留抛光液等沾污物,再借助超高纯氮气和甩干机吹干、甩干,并封装在洁净片盒内。

单晶SiC基片的化学机械抛光技术研究进展

但化学机械抛光(chemicalmechanicalpolishing,CMP)是目前实现单晶SiC超精密加工的一种有效且常用的方法,也是单晶SiC基片加工的最后一道工艺,是保证被加工基片表面实现超光滑、无缺陷、无损伤的关键。CMP是利用与被加工基片相匹配的抛光液在基片表层发生快速化学作用,形成一层相对于基体硬度较软、强度较低、结合力较弱...

半导体材料行业深度报告:景气持续,国产替代正当时

具体来说,在芯片制造过程中,硅晶圆环节会用到硅片;清洗环节会用到高纯特气和高纯试剂;沉积环节会用到靶材;涂胶环节会用到光刻胶;曝光环节会用到掩模板;显影、刻蚀、去胶环节均会用到高纯试剂,刻蚀环节还会用到高纯特气;薄膜生长环节会用到前驱体和靶材;研磨抛光环节会用到抛光液和抛光垫。在芯片封装过程中...