NAND闪存翻盘利器:QLC SSD?

探究QLCNAND,真正魔力目前来说,闪存主要分为NOR和NAND闪存,其扩容方式主要体现在结构、逻辑两种。从NAND闪存上看,结构方面,目前NAND闪存已从2D升级到3D,从空间上改变提升闪存容量,增加堆叠层数的同时达到优化成本的效果。其次是逻辑上,即提升存储单元存储的位数,从而提高闪存存储容量和降低成本。目前,闪存技术从只能...

为什么QLC可能是NAND闪存的绝唱?

实际上,QLCNAND闪存并不比机械HDD快,而且数据保留和耐用性特性更差。显然,这就是预言中的固态存储未来崩溃的临界点,因为即使是相对便宜的NAND闪存也还没有赶上HDD的性价比。GabrielFerraz对BX500SSD进行的修改涉及使用MPTools软件重新编程其SiliconMotionSM2259XT2NAND闪存控制器,该软件...

西部数据推出全球首款 2Tb 3D QLC NAND 闪存

西部数据在最近的投资者演示中宣布推出全球首款2Tb3D四级单元(QLC)NAND闪存芯片。该芯片在密度方面优于竞争对手,并且有潜力实现更快、更高容量的SSD,以及更低的功耗。尽管它最初仅限于数据中心市场,但预计它最终也将在消费个人电脑中广泛普及。西部数据闪存业务执行副总裁兼总经理罗伯特·索德伯里表示:“...

西数介绍BiCS8 2Tb QLC NAND闪存芯片:拥有业界最高密度

近日，西部数据在投资者活动上介绍了BiCS82TbQLCNAND闪存，这是目前业界最高密度的闪存芯片，将打造更快、更大、功耗更低的SSD。其采用了218层的BiCS8FLASH3D闪存技术，非常地小巧，可以放在指尖上。据TomsHardware报道，西部数据分享了BiCS82TbQLCNAND闪存大量比较性能数据，称与竞争对手的闪存产品相比，...

三星即将推出280层3D QLC NAND Flash

1月30日消息,三星已宣布即将于2月18日至2月22日在美国旧金山举行的IEEE国际固态电路会议(ISSCC)上,介绍其280层堆叠的3DQLCNANDFlash,这将是迄今为止储存数据密度最高的新型3DQLCNANDFlash。根据三星即将演讲的主题《A280-Layer1Tb4b/cell3D-NANDFlashMemorywitha28.5Gb/mm??Areal...

三星第九代 QLC V-NAND 量产, AI 时代的存储

三星电子宣布正式量产其第九代四层单元(QLC)V-NAND闪存(www.e993.com)2024年11月25日。作为全球首个涉足QLC领域的存储巨头,三星再次彰显了其在存储市场的领导地位。伴随着人工智能(AI)、大数据、5G等新兴技术的迅速发展,存储市场迎来了前所未有的变革。三星的最新产品不仅带来了业内最高层数的结构,还凭借其突破性的技术为迎接AI时代的内存需求...

国产替代加速,长江存储成功用国产设备造出3D NAND芯片

2018年，第2代3DNAND闪存实现首次流片，在全球闪存峰会上发布Xtacking架构，并且获得了Bestofshow奖项，第1代3DNAND闪存实现量产。2019年，第2代3DNAND闪存实现量产，第3代TCL3DNAND（X2-9060）设计完成，并实现首次流片。2020年，第3代QLC3DNAND（X2-6070）研发成功，消费级SSD上市，eMMC/UFS嵌入式存储通过客户...

美光发布232层QLC NAND闪存 6600MB/s读取 50微秒读取时延

近日,美光公司宣布推出了业界率先的232层QLCNAND闪存。这款闪存已经应用于消费级零售端的特定英睿达固态产品中,并且在消费级OEM端也与2500固态硬盘一同出样。同时,在企业级存储领域也开始进行批量生产。据美光介绍,这款232层QLC闪存具备2400MT/s的闪存I/O速率,相比于上一代176层QLC闪存提高了50%。此外,读取性能...

3D NAND,只能堆叠?

3DNAND,只能堆叠?01NAND市场逐渐复苏,铠侠、三星、SK海力士等厂商努力恢复减产前的产能。02专家担心产量的快速增长可能抑制NAND闪存价格的上涨,影响市场复苏。033DNAND技术成为新的发展方向,厂商们不断进行创新和堆叠层数提升。04然而,QLCNAND在高性能工作负载环境下仍面临寿命和性能挑战。

AI内存瓶颈(上):3D NAND路线图

存储芯片厂商另辟蹊径,开发出了垂直缩放(VerticalScaling),也就是3DNAND,其二维平面上的关键尺寸线宽与成熟制程接近,垂直方向堆叠存储单元,具有更大容量、更低功耗、更优耐用性以及更低成本的优势。通常SLC和MLC都是2DNAND,TLC、QLC大都为3DNAND。