中国科学院微电子所在氮化镓基MIS-HEMT器件的阈值电压不稳定性...

近日,微电子所高频高压中心GaN功率电子器件研发团队联合香港科技大学、北京大学和西安电子科技大学在应用物理领域国际权威期刊AppliedPhysicsReviews上发表了综述文章《III族氮化物异质结金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管的阈值电压不稳定性研究:表征方法与界面工程》(ThresholdvoltageinstabilityinIII-nitridehetero...

中国科大在相互作用诱导的轨道陈绝缘体理论研究中获得新进展

相比于磁性和自旋-轨道耦合诱导的陈绝缘体,该研究中电子-电子相互作用诱导的陈绝缘体不依赖于自旋的取向。该项研究不仅提供了转角多层石墨烯之外的另一种轨道陈绝缘体体系,也为区分kagome体系中反常霍尔效应的不同物理机制提供了理论基础。该工作得到了国家自然科学基金委、安徽省、校科研部和校人力资源部的资助。...

布洛赫电子的拓扑与几何

在一维情况下，索利斯就得到过这个结论。在二维情况下，如果电子还受到磁场的影响，绝缘状态下的密度还要加上正比于磁场和霍尔电导的一项，正如早先瓦尼尔给出的结论一样[34]。绝热电流的概念也可以用到绝缘体中电极化强度的计算。在布洛赫波的观念下，晶体中的电子不能被认为是束缚在任何一个特定的原子上，因而基于...

磁性点缀2D拓扑绝缘体

从库珀对配对去看,低维系统中诸多物理过程的强烈涨落,一定是有利于实现电子配对的。(3)拓扑物理问题作为第三个例子,姑且看看正在快速发展的拓扑量子物理。拓扑绝缘体研究的脉络似乎也呈现“螺旋模式”,至少基于Ising狭隘的理解是如此。姑且以二维拓扑绝缘体(2D-TI)和三维拓扑绝缘体(3D-TI)为出发...

电子粒子观的蜕变

纯净完美的半导体在零温下也是绝缘体。但它的满带和空带之间的能隙比较小,容易在室温和掺杂的情况下使得空带底部的量子态被占据,或者满带顶部的量子态空出。其中后者被称为空穴,等效于满带顶部被电荷为正的粒子占据。这些粒子的行为如同自由电子一般,但其有效质量决定于能带的曲率。有趣的是,由于空穴带正电,其...

薛其坤:他捕捉到显微镜都看不到的微光,得到国家大奖

2010年完成对1纳米到6纳米厚度薄膜的生长和输运测量,2011年实现对拓扑绝缘体能带结构的精密调控,2011年底在准二维体、绝缘的拓扑绝缘体中实现了自发长程铁磁性,并利用外加栅极电压对其电子结构进行原位精密调控……两年间,量子反常霍尔效应所需的三个苛刻条件一一被实现!实验顺利得出奇,数据结果却不理想(www.e993.com)2024年11月19日。

澄清170多年学术争论:北大团队获得六角冰表面原子级分辨图像,刷新...

首次获得绝缘体表面的氢键原子分辨图像此外,这也是学界首次获得绝缘体表面的氢键原子分辨图像。在纳米科学领域,扫描隧道显微镜和原子力显微镜,是人们在研究表面时经常使用的两大重要工具。扫描隧道显微镜自被发明以来,迅速解决了硅表面长期困扰学界的7*7重构结构问题,相关学者也于1986年获得诺贝尔奖。

我国科学家利用自研设备首次获得原子级分辨率图像

据介绍,江颖团队长期致力于高分辨扫描探针显微镜的自主研发和应用,创新性地发展出了基于高阶静电力的qPlus扫描探针技术,此前已在国际上率先实现氢核成像。为了突破绝缘体成像难,团队此次开发了一种通用的一氧化碳分子修饰针尖技术,可对各种绝缘体表面实现稳定的原子级分辨成像,并得到比进口设备更高质量的数据。

半导体金属行业深度报告:镓、钽、锡将显著受益于半导体复苏

半导体即在常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,其在集成电路(最主要应用,即芯片)、消费电子、通信系统、光伏发电、照明应用、大功率电源转换等领域有着诸多应用。材料和设备是半导体产业的基石,一代技术依赖于一代工艺,一代工艺依赖于一代材料和设备来实现。半导体材料处于整个半导体产业链的上游环节,对半...

半导体专题:一文看懂薄膜生长

(2)材料沉积:这是将材料沉积在基底上的过程,可以是金属、半导体、绝缘体等。重要性:(1)电子器件制造:在半导体工业中,薄膜生长是制造集成电路和其他电子器件的关键步骤。例如,通过化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)等技术在硅片上生长薄膜来构建电子元件。