功率半导体行业深度报告:能源变革大时代,功率器件大市场

中商产业研究院的数据显示，在功率半导体分立器件里，像MOSFET和IGBT这样的晶体管占的比例是最大的，大概有28.8%。从现在的市场需求来讲，硅基MOSFET、硅基IGBT还有碳化硅是功率半导体分立器件的主要产品。这篇文章呢，也会重点对硅基MOSFET、IGBT和碳化硅等功率分立器件（包含模块）进行分析和研究。MOSFET有输入阻抗高...

英飞凌新型混合功率器件助力新能源汽车实现高性价比电驱

如果车辆要求牵引逆变器提供超过80kW的输出功率,SiCMOSFET将被关闭,取而代之的是SiIGBT运行。示例中逆变器中的碳化硅部分对最大输出功率没有贡献,这显然是该方案的主要缺点。要实现独立运行"排他性操作",则需要两个栅极信号("Ex2G")来独立控制两种半导体器件。△并行控制("S")在这里,Si和SiC总是...

详解开关电源 8 大损耗

由于开关损耗是由开关的非理想状态引起的,很难估算MOSFET和二极管的开关损耗,器件从完全导通到完全关闭或从完全关闭到完全导通需要一定时间,在这个过程中会产生功率损耗。图4所示MOSFET的漏源电压(VDS)和漏源电流(IDS)的关系图可以很好地解释MOSFET在过渡过程中的开关损耗,从上半部分波形可以看出,tSW(ON)和tSW(...

IGBT 还是 SiC ? 英飞凌新型混合功率器件助力新能源汽车实现高...

如果车辆要求牵引逆变器提供超过80kW的输出功率,SiCMOSFET将被关闭,取而代之的是SiIGBT运行。示例中逆变器中的碳化硅部分对最大输出功率没有贡献,这显然是该方案的主要缺点。要实现独立运行"排他性操作",则需要两个栅极信号("Ex2G")来独立控制两种半导体器件。并行控制("S")在这里,Si和SiC总是并联...

国内12家功率半导体上市公司对比分析

公司凭借多年技术积累及持续自主创新,在国内率先构建了IGBT、屏蔽栅MOSFET(SGTMOSFET)、超结MOSFET(SJMOSFET)、沟槽型MOSFET(TrenchMOSFET)四大产品工艺平台,并已陆续推出车规级功率器件、SiCMOSFET、GaNHEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC等产品,可全面对标国际一线大厂主流产品并实现大量替代。

上海贝岭“功率器件&电源IC”在PD快充中的应用

3.2手机充电器对功率MOSFET技术需求2手机充电器中整流开关管和VBUS开关管技术需求如下:高击穿电压:保证开关MOS能够不被击穿;低内阻:导通状态下产生的功率小,发热少;低热阻:正常工作时发热量小;高雪崩耐量:发生异常短路情况时会产生较大的电压电流尖峰,高雪崩耐量可使MOS管不被击穿;...

...申请一种驱动电路及功率桥逆变电路专利,有效抑制功率 MOSFET...

专利摘要显示,本发明提供了一种本发明提供了一种驱动电路及功率桥逆变电路,通过开通延时模块和关断钳位模块,使得在进行功率MOSFET开关切换时,保证了在需关断的功率MOSFET彻底关断并钳位之后,需开通的功率MOSFET才能开始开通,从而保证了一个功率MOSFET的开通不会对另一个功率MOSFET造成串扰影响,因此能有效抑...

详解大功率电源中MOSFET功耗的计算

其中CRSS是MOSFET的反向传输电容(数据资料中的一个参数),fSW为开关频率,IGATE是MOSFET的栅极驱动器在MOSFET处于临界导通(VGS位于栅极充电曲线的平坦区域)时的吸收/源出电流。一旦基于成本因素将选择范围缩小到了特定的某一代MOSFET(不同代MOSFET的成本差别很大),我们就可以在这一代的器件中找到一个能够使功率耗散...

Littelfuse推出SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器

2024年5月27日消息，Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiCMOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。IX4352NE的主要...

唯样代理|IGBT 还是 SiC ? 英飞凌新型混合功率器件助力新能源

如果车辆要求牵引逆变器提供超过80kW的输出功率,SiCMOSFET将被关闭,取而代之的是SiIGBT运行。示例中逆变器中的碳化硅部分对最大输出功率没有贡献,这显然是该方案的主要缺点。要实现独立运行"排他性操作",则需要两个栅极信号("Ex2G")来独立控制两种半导体器件。