全球氮化镓龙头英诺赛科有望加速成长

其中,氮化镓作为“第三代半导体”的代表性材料,具有高频、电子迁移率高、辐射抗性强、导通电阻低、无反向恢复损耗等显著优势。氮化镓功率半导体芯片能够有效降低电源的能量损耗,提升能源转换效率,降低系统成本,并实现更小的设备尺寸,已成为功率半导体行业持续变革的核心。随着氮化镓技术的成熟以及下游应用的逐步释放,氮化镓...

英诺赛科引领全球氮化镓创新 增长提速彰显长期价值

”业内人士指出，功率半导体芯片作为电源产品的核心，氮化镓凭借其高频、高电子迁移率、强抗辐射能力、低导通电阻和无反向恢复损耗等优势，在性能和工艺创新方面展现出巨大的发展潜力，更好地满足了当前全球功率半导体器件的革命性需求。作为全球氮化镓半导体行业的领军企业，英诺赛科自成立伊始便坚持采用集成器件制造商（IDM...

累计可承受辐射剂量达硅材料百倍,氮化镓器件有望用于反应堆监测

IT之家7月3日消息,美国能源局橡树岭国家实验室近日研究显示,氮化镓(GaN)半导体承受核反应堆辐射的能力远超传统硅材料,有望用于反应堆监测传感器的电子器件。▲接受测试的GaN芯片。图源橡树岭国家实验室官网,下同由于环境中存在强烈核辐射,反应堆监测传感器得到的数据目前不能直接由硅电子器件在本地处理...

能华半导体授权世强硬创代理,氮化镓产品满足大功率/抗辐射需求

为满足无线基站和射频等领域器件对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等严苛要求,江苏能华微电子科技发展有限公司(下称“能华半导体”,英文:CorEnergy)与世强先进(深圳)科技股份有限公司(下称“世强先进”)签署授权代理合作协议,旨在加速氮化镓产品在国内外市场的应用。资料显示,能华半导体专注于第三代半导体材料氮化镓...

详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓

在众多宽带隙材料中,氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)尤为突出,它们不仅在开关应用中展现出巨大潜力,也在射频功率领域中展现出光明的前景。目前,业界对于GaN与SiC这两种材料的比较、它们各自适用的半导体器件,以及它们在不同开关和射频功率应用中的适应性,有着广泛而深入的讨论。

英诺赛科投资价值前瞻:引领全球氮化镓创新 增长步入快车道

招股书显示,受下游新兴行业的需求推动,全球氮化镓市场正进入爆发期,新能源汽车、AI等新兴行业应用,对全球电源产品的能效提出更高要求,功率半导体芯片是电源产品的核心,氮化镓具有高频、电子迁移率高、抗辐射能力强、导通电阻低、无反向恢复损耗等显著优势,与传统的硅及其他半导体材料相比,氮化镓在性能、工艺创新发展空间等...

38家氮化镓主要玩家及产品

氮化镓(GaN)是第三代半导体材料,具有显著特点和优势,在电力电子、射频电子、光电子以及新能源汽车、充电设备、光伏发电等多个领域展现出巨大的应用潜力和广阔的市场前景。根据集邦咨询数据报告显示,全球GaN功率器件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金,复合增长率高达65%。我们已经能在市面上看到各...

氮化镓:碳化硅颤抖吧,未来科技的主角是我!

在近几年的科技发展浪潮中,氮化镓以其广阔的禁带宽度、高击穿电压、出色的热导率、快速开关频率和强大的抗辐射性能,为电子产品带来了革命性的改进。开关频率高意味着应用电路可以采用尺寸更小的无源器件;击穿电压高则意味着电压耐受能力比传统硅材料高,不会影响导通电阻性能,因此能够降低导通损耗。

全球及中国抗辐射氮化镓器件行业发展分析及投资策略研究报告

生产层面，目前是全球最大的抗辐射氮化镓器件生产地区，占有大约%的市场份额，之后是，占有大约%的市场份额。目前全球市场，基本由和地区厂商主导，全球抗辐射氮化镓器件头部厂商主要包括EfficientPowerConversion、RenesasElectronics、VPTPower、Frontgrade和SSDI等，前三大厂商占有全球大约%的市场份额。重点...

钻石芯片,商用在即|单晶|金刚石|碳化硅|sic|氮化镓_网易订阅

这种韧性不仅对辐射量大的应用至关重要,而且还能增强金刚石在核电设施等高压环境中的适用性。通过将这些设备应用于核废料清除,OokumaDiamondDevice等公司展示了金刚石半导体如何在能源和环境领域带来变革,为传统材料提供持久的替代品。这个蓬勃发展的行业不仅彰显了日本研发的技术实力和创新精神,还凸显了材料科学的重...