NetApp宣布推出全新AFF A系列和C系列全闪存阵列

NANDResearch分析师SteveMcDowell表示,A系列产品是NetApp产品组合中一个有趣的新成员,它把闪存存储带入了企业的新领域。由于它的物理占用空间减少且最低容量更低一些,所以可以把闪存安装在大型企业数据中心之外,例如远程和分支机构等边缘位置,而这些位置以前部署此类系统是不实际的。“它们是不错的产品,NetApp设法大...

翱捷科技-U申请存储与加载闪存存储器的驱动的方法与装置专利,能在...

在便携电子设备的ROM中固化存储针对全体闪存存储器的初始驱动代码,所述初始驱动代码仅具有单线读命令;在每种闪存存储器中固化存储针对该种闪存存储器的差异化配置信息。便携电子设备上电后,从ROM中将初始驱动代码加载到内存中,随后根据初始驱动代码以单线读命令读取闪存存储器,将闪存存储器的差异化配置信息加载到内存中。

AI 潮影响明显,TrendForce 上修本季度 DRAM 内存、NAND 闪存合约...

IT之家5月7日消息,TrendForce集邦咨询在今日的最新研报中称,AI浪潮对DRAM内存和NAND闪存市场带来明显影响,推动该机构调升本季度两类存储产品的合约价涨幅。具体而言,TrendForce原先预估2024年二季度DRAM内存合约价上涨3~8%,现估计为13~18%;而在NAND闪存方面,原预估上涨13~18%,新预估...

铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存,重组存储级内存业务

IT之家4月7日消息,据日经xTECH报道,铠侠CTO宫岛英史在近日举办的第71届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示该企业目标2030~2031年推出1000层的3DNAND闪存,并对存储级内存(SCM)业务进行了重组。铠侠与西部数据携手开发NAND闪存技术,目前这对合作伙伴最先进的产品是218层堆叠的BICS...

内存、闪存涨价25%是开始!1T、12/16/24G手机珍惜了 要么涨价要么...

快科技3月16日消息,SSD存储涨价只是开始,这也倒逼大内存、存储手机且买且珍惜,要么厂商涨价来消化成本上升,要么就是直接下架这些产品。据供应链消息称,经历一年多的供过于求之后,三星电子的NAND闪存售价一度持平成本,因此其计划与大客户进行谈判,将价格拉回到合理水平上(至少涨价20%)。

美光宣布 1-gamma EUV 内存试生产,下一代闪存目标 2025 年量产

IT之家3月22日消息,美光于近日发布了截至2月29日的2024财年第二财季财报,配套的演示文稿中对其DRAM内存和NAND闪存的未来与现状进行了介绍(www.e993.com)2024年11月22日。美光称其引入EUV光刻的下一代1-gamma内存已进行了试生产,同时下一代NAND节点的开发也在按计划进行,目标2025日历年实现量产。

...混合存储模组:通过 CXL 技术同时连接 DRAM 内存和 NAND 闪存

IT之家3月21日消息,据三星半导体微信公众号发布的中国闪存市场峰会2024简报,其正研发CMM-H混合存储CXL模组。该模组同时包含DRAM内存和NAND闪存。IT之家注:作为一种新型高速互联技术,CXL可提供更高的数据吞吐量和更低的传输延迟,可在CPU和外部设备间建立高效连接。

4月17日兆易创新涨停分析:闪存,DRAM(内存),指纹识别概念热股

该股为闪存,DRAM(内存),指纹识别概念热股,当日闪存概念上涨8.8%,DRAM(内存)概念上涨8.72%,指纹识别概念上涨7.75%。以上内容由证券之星根据公开信息整理,由算法生成(网信算备310104345710301240019号),与本站立场无关,如数据存在问题请联系我们。本文为数据整理,不对您构成任何投资建议,投资有风险,请谨慎决策。

2年多来 内存、闪存来首次涨价!下游客户被迫接受

眼下，DRAM内存、NAND闪存的价格都迎来了两年多来的首次上涨，似乎在印证这一观点。从存储企业和设备企业签约的11月DRAM内存大宗交易价格来看，作为市场风向标的8GBDDR4单价为1.65美元左右，环比上涨11％。这是2021年6月以来，该产品的价格首次上涨。NAND产品中，同样代表市场行情的256GbTLC，第四季度单价为1.85...

手机内存怎么选,越大越好吗?业内人士给你3点建议,看完明白了

第三个存储更大的话,其实它的系统会更加的流畅。除了操作系统以外呢,解决手机流畅的就是芯片、闪存和储存。很多人以为只要处理器够好,闪存够大,手机就会很流畅。然而并不是,其实储存也是经常被大家忽视的。更大存储空间的手机呢,它的流畅度表现的往往会更好。