全球与中国掺钕钨酸钾钆晶体行业市场竞争与投资发展分析报告2024
从产品产品类型方面来看,掺杂浓度5%占有重要地位,预计2030年份额将达到%。同时就应用来看,Q开关固态激光器在2023年份额大约是%,未来几年CAGR大约为%。从生产商来说,全球范围内,掺钕钨酸钾钆晶体核心厂商主要包括AmericanElements、ATTAdvancedElementalMaterials、Cryslaser、EKSMAOptics、Optogama、Stanford...
科学家打造碳纳米管晶体管,解决碳纳米管均匀可控掺杂难题
其一,局部掺杂技术的可行性:实现准确的局部掺杂是一项具有挑战性的任务。对碳纳米管进行精确的局部掺杂,可以实现电学性质的调整,期间涉及到选择适当的掺杂剂、掺杂浓度和掺杂位置。同时,确保这些过程对于纳米管整体结构和性能的影响最小化,也是一个复杂的问题。其二,掺杂一致性:在制造过程中,确保在不同器件之间...
上海光机所在掺镨氟化铅激光晶体研究方面取得进展
实验结果显示,在三种浓度的晶体样品中,掺杂浓度为1.0%的Pr:PbF2晶体在443nm处的吸收截面与482nm处的发射截面最大,分别为1.00×10-20cm2与1.08×10-20cm2。不同掺杂浓度Pr:PbF2晶体在粒子反转率达30%时,在482nm-497nm范围内的增益截面均为正值,并且晶体在该波段内的最大增益截面与Pr3+掺杂浓度呈正相关的关...
钙钛矿电池能在太空中自我修复?是时候好好盘盘它啦!
其导电性源于晶体中的杂质或掺杂的其他原子提供的电荷载流子,如电子或空穴。后者是由于电子缺位而产生的行为现象,由于它也可以在晶体内移动,好像带正电的粒子,因此被视为一种准粒子。半导体中掺入的“杂质”的类别和浓度在很大程度上决定了其电导率以及许多其他电学特性。例如,在硅、锗半导体材料中掺入磷、砷、...
国产化率还不到10%!一文看懂国产半导体材料
根据掺杂程度不同,半导体硅片可分为轻掺和重掺。重掺硅片的掺杂元素掺入量大,电阻率低,一般用于功率器件等领域产品;轻掺硅片掺杂浓度低,一般用于集成电路领域,技术难度和产品质量要求更高。由于集成电路在全球半导体市场中占比超过80%,全球对轻掺硅片需求更大。根据工艺,半导体硅片可分为研磨片、抛光片及基于抛光...
单端泵浦激光器光光转换效率达53.8%
这项研究证明了梯度浓度掺杂晶体在泵浦和温度分布方面呈现出优异的性能,提高了晶体棒中末端对泵浦光的吸收,并降低了入射端的温度,平滑了沿棒轴上的温度梯度,明显减小了热效应,可以显著提高单端泵浦脉冲激光器的输出性能,为未来高效率激光技术提供了一条新途径(www.e993.com)2024年9月11日。????文/科技日报记者吴长锋编辑/范辉...
取代分立式晶体管,GaN集成电路有何优势?
事实上,虽然增强模式器件在栅极和AlGaN势垒之间放置了p-GaN层,但电流路径中没有p掺杂材料,GaN通道中没有pn结。目前也没有任何商业上可行的p沟道GaN晶体管。原因是GaN孔迁移率非常低,只有10到20cm2/V-s。在12月的IEEE电子设备会议上,加州大学圣巴巴拉分校(UCSB)的AdityaRaj解释说,一些研究人员已经使用基于...
济南大学《Angew》:一种在溶液生长的新型红色余辉钙钛矿晶体!
总之,作者在水热溶液中生长了一种新的Cs2Na0.2Ag0.8InCl6:20%Mn余辉晶体。钙钛矿单晶显示出红色余辉,具有高色纯度(~100%)和长持续时间(~5400s)。通过稳态和瞬态PL光谱研究了掺杂剂(包括Na和Mn离子)的作用,这表明能量从STE到Mn离子有效转移。重要的是,掺杂浓度被发现是一种多功能工具,可以控制陷阱的深度和分...
第一块晶体管背后的故事(《计算机发展时间线》番外)| 跟陶叔学编程
马克斯·普朗克(你能相信这样一个小鲜肉,后来长成了秃顶大叔吗?)1931年,英国物理学家查尔斯·威尔逊(CharlesThomsonReesWilson,1869年2月14日—1959年11月15日)在能带理论的基础上,提出半导体的物理模型。他认为,由于半导体自身存在的晶体缺陷和杂质原子,使得半导体具有两种导电类型:一种是“杂质导电”,另一种是...
物电院本科生在《Photonics Research》发文:揭示二维原子晶体表面...
张文帅等人发现二维原子晶体表面的光子自旋霍尔效应中的自旋位移对二维原子晶体的晶轴方向、电导、掺杂浓度、跃迁频率等参数非常敏感,从而可通过量子弱测量技术对这些参数进行精确测量。进一步,建立了自旋位移与二维原子晶体的晶轴方向、电导、掺杂浓度、跃迁频率等参数之间的定量关系,为实现对这些参数进行精确测量奠定了重要...