详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓
硅材料制成的半导体器件不仅耐高温、抗辐射,而且通过使用高纯度的溅射二氧化硅(SiO2)薄膜,显著提升了器件的稳定性和可靠性。硅因其卓越的性能,已成为最广泛使用的半导体材料,目前超过95%的半导体器件和超过99%的集成电路都是由硅材料制成的。尽管在21世纪,硅在半导体行业的领导和核心地位保持不变,但其物理特性限制了...
山东天岳先进科技股份有限公司关于公司2024年度申请授信额度预计...
第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,与前两代半导体材料相比,第三代半导体材料禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,适用于高电压、高频率场景,此外,还能以较少的电能消耗,获得...
【产业研究】高压快充趋势及产业链降本,加速碳化硅产业进展——新...
第三代半导体是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,与前两代半导体材料相比,第三代半导体材料禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,适用于高电压、高频率场景,此外还能以较少的电能消耗,获得更高...
钙钛矿:效率为王,光伏电池新势力
受益于特殊的物相结构,有机无机杂化结合不仅实现了半径差别悬殊离子的稳定共存,同时具备了窄禁带宽度(可以通过改变成分比例调节)、高吸收系数(吸光效率是晶硅的百倍)、高载流子迁移率和扩散长度等优异性质。这些特性使得极薄的钙钛矿膜层可以充分利用太阳光谱,在少量的材料成本下获得高转换效率。图1分布式光伏钙钛矿结构...
天岳先进研究报告:SiC衬底龙头厂商,开启导电型衬底新市场
相较于前两代半导体材料,SiC和氮化镓具有禁带宽度大,击穿电场高、热导率高、电子饱和率高等优势,其器件能够在高压、高频率、高温的场景下稳定运行,并且能够消耗更少的电能。SiC功率器件具备耐高压高温、损耗低等优势。以SiC为衬底制成的功率器件相比硅基功率器件具有优越的电气性能。1)耐高压,SiC的...
SiC(碳化硅)项目可行性研究报告-被称为是新一代功率半导体
另外还有两个优势:一是热传导性很高,这样冷却更容易去做;再有,禁带宽度更宽,这样可以使工作温度更好做(www.e993.com)2024年10月20日。因此总结起来SiC的五角形优势,从产品本身看,SiC耐高压、高温和高频;另外在设计上,因为SiC耐的温度会更高一些,因此更容易做冷却和散热设计。2、SiC性能优势明显,是更佳衬底材料随着半导体工艺及材料的...
常见的几种功率半导体器件有哪些?
在用新型半导体材料制成的功率器件中,最有希望的是碳化硅(SiC)功率器件。它的性能指标比砷化镓器件还要高一个数量级,碳化硅与其他半导体材料相比,具有下列优异的物理特点:高禁带宽度,高饱和电子漂移速度,高击穿强度,低介电常数和高热导率。上述这些优异的物理特性,决定了碳化硅在高温、高频率、高功率的应用场合是极为...
钙钛矿电池有望实现光电转换效率达到30%
图1:最大理论效率与吸收体禁带宽度的关系在AM1.5标准光谱下,曲线上的最大值约为33%,对应的禁带宽度为1.1eV或1.4eV。不过,效率峰值分布的范围也比较广。当禁带宽度为0.9-1.7eV时,转换效率也可超过30%。因此,大多数太阳光吸收材料的理论效率极限均较为相近。
从三个维度看懂半导体:材料、产品和产业链
二、六或者三、五族化合物双元素半导体,即是指由两种确定的原子配比形成的化合物,并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质。包括晶态无机化合物(如III-V族、II-VI族化合物半导体)及其固溶体、非晶态无机化合物(如玻璃半导体)、有机化合物(如有机半导体)和氧化物半导体等。通常所说的化合物半导体多指晶态无机化...
深大在钙钛矿蓝光LED领域取得新进展,有利于推动实现产业化应用
通常实现半导体高效的蓝光发射要求材料具有直接带隙,禁带宽度位于蓝光波段,且带边波函数宇称非禁阻。此外,导带和价带附近能态波函数由于对称性存在差异,因而对吸收/发射光子的偏振模式具有选择性,比如各向异性半导体。因此,基于材料的对称性特征合理利用带边电子/空穴跃迁的偏振选择性,对实现光电器件的偏振操纵和性能...