超高效液相色谱质谱UPLC-q-tof-MS步骤
11.清洗离子源:(1)先降温,再清洗;(2)若不是很脏,则50%甲醇+50%水清洗;(3)若很脏,清洗试剂依次为:45%甲醇+45%水+10%甲酸;100%水;100%甲醇;d.N2吹干;12.样品制备:(1)用流动相溶样;(2)用0.22μm样品过滤膜过滤;(3)放入WatersUPLC适用的样品瓶;13.色谱柱保存:(1)在室温条件下,...
关于质谱仪的使用,这篇文章都全了!
(1)探头进样:单组分、挥发性较低的液体或固体样品,可在高真空条件下,用进样杆把样品通过真空闭锁装置送入离子源中被加热气化,并被离子源离子化。(2)储罐进样:低沸点的样品,将其气化并导入抽真空的加热气罐中,以恒定的流速由储罐通过一个小孔(分子漏孔)导入离子源。2.色谱联用进样:对于复杂多组分的样品...
RIE反应离子刻蚀机在半导体工艺中的应用
RIE反应离子刻蚀机中的刻蚀过程需要在真空环境下进行,因此设备内部有一个真空室。真空室通过抽气系统将气体抽成真空,使真空度达到所要求的工坐条件。离子源产生高能离子束,用于蚀刻材料表面。常用的离子源包括高频电离源和射频电离源。离子源通过加热或电离气体将气体转化为离子。供气系统用于提供蚀刻工艺所需的反应气体。
中山市两位“80后”挑战“卡脖子”技术,研发离子源设备
冀鸣向南都记者解释,这个设备是在高真空状态下,通过高压或高频使气体产生电离形成等离子体,然后通过电磁场对等离子进行加速,进而形成有方向和有能量的束流,就是离子束。离子束是目前微纳加工中最精密、最微细的技术手段,可以应用于离子束镀膜、离子束刻蚀等多种超高精度表面处理或结构再造。离子源技术起源于航空航天...
GCMS的CI和NCI离子源更换细节
整个反应在离子源盒内完成,源盒内处于合适的真空状态。真空度过低,不能满足质谱本身要求;真空度过高,不利于高能电子与反应气的反应或者碰撞。仪器在设计时做了专门的设计,在组装时需要注意。下面以NCI离子源为例。安装时需要注意调谐液管路的密封,接口卡具的位置,灯丝与源盒的相对平行。
我国聚变堆主机“人造太阳”建设再迎突破
负离子源中性束注入系统束源测试平台正在建设CRAFT负离子源中性束注入系统因射频馈入稳定性要求高、束引出面积大、连续运行时间长、负离子产生难且易损失的典型特征而挑战巨大(www.e993.com)2024年10月26日。单驱动负离子束源是CRAFT负离子束源系统研究的基础,主要用于研究负离子产生、引出和加速技术,对负离子束源的研制有重要的意义。
镀膜机挡板镀模板清理喷砂机
前提是衬板必须烘干水份才能安装,烘干前,衬板的水分尽量抹干,工作架等部件用砂纸清洁后,需要把真空室的所有灰尘清理干净,此可用吸尘器吸干净灰尘。最后安装衬板时,真空室及衬板都需要用酒精控拭干净。因使用电子枪及离子源辅助镀膜,可能会造成清洁困难,可使用喷沙等方法来清洁。
芯人必读丨破译圈内暗语!收好这份半导体词典
Cryopump原理:是利用吸附原理而工作:Cryopump为高真空pump,应该和低真空pump配合使用,工作前真空度应该达到10-2mbar,否则无法工作。当吸附气体饱和后,要做regen,即将高温N2通入使凝结的气体释放而排出pump。入口处挡片吸附水泡,里面的特殊气体吸附(成液态状)。
法规库
专门设计或制造用于在离心机级联中操作UF6的管路系统和集管系统。管路网络通常是“三头”集管系统,每个离心机连接一个集管头。这样,在形式上有大量重复。全都用耐UF6的材料(见本节注释)制成并且按很高的真空和净度标准制造。5.2.3UF6质谱仪/离子源
长假前,实验室必做的几件事—色谱篇
前进样口那一大堆东西,分流平板啦衬管啦隔垫啦O型圈那些都比较容易弄,可以放到过年回来再弄。如果要老化柱子的话也可以趁着洗离子源的时候顺便弄完。放假多久色质联用仪才需要关机?我个人认为短时间内不用质谱是没有必要关机的(这里短时间依个人而定,一般是指一周),但质谱部分一般都让它处在只抽真空的stan...