佰维存储跌0.39%,成交额3.49亿元,近3日主力净流入-8176.34万
4、公司主要从事半导体存储器的存储介质应用研发、封装测试、生产和销售。主要产品及服务包括嵌入式存储、消费级存储、工业级存储及先进封测服务。5、2023年1月4日互动易回复:公司有适用于信创应用场景的固态硬盘、内存模组等,可满足信创领域安全可控的产品应用需求,公司为信创固态硬盘的主力供应商。(免责声明:分析内...
长鑫存储申请半导体结构及其制造方法、存储器专利,该半导体结构...
专利摘要显示,本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法、存储器。该半导体结构包括:衬底;堆叠结构,位于衬底上,至少包括多个第一介质层;第一隔离层,位于堆叠结构中沿平行于衬底表面的第一方向延伸;第一隔离层用于将堆叠结构划分为晶体管区和电容区;多个层叠的晶体管,位于晶体管区中;多个层叠的电容结构,位于电容区...
PCIe5&6.0,CXL,NVMe,NVMoF,SSD,NAND,DDR5,800GE技术业内最新进展...
存储芯片精英云计算群全闪存、软件定义存储SDS、超融合等公有云和私有云讨论AI芯片群讨论AI芯片和GPU、FPGA、CPU异构计算5G群物联网、5G芯片讨论第三代半导体群氮化镓、碳化硅等化合物半导体讨论存储芯片群DRAM、NAND、3DXPoint等各类存储介质和主控讨论汽车电子群MCU、电源、传感器等汽车电子讨论光电器件群光...
「介质」详解NVMe SSD存储性能影响因素
和传统磁盘存储介质相比,半导体存储介质具有天然的优势。无论在可靠性、性能、功耗等方面都远远超越传统磁盘。目前常用的半导体存储介质是NVMeSSD,采用PCIe接口方式与主机进行交互,大大提升了性能,释放了存储介质本身的性能。通常NVMeSSD内部采用NANDFlash存储介质进行数据存储,该介质本身具有读写不对称性,使用寿命...
长鑫存储申请专利,有效提高半导体结构的量测效率及准确度
金融界2024年1月9日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体量测精度监测方法、装置、设备及介质”,公开号CN117372319A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示
长鑫存储申请半导体结构及制备方法专利,有利于减小半导体结构的线宽
金融界2024年4月12日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及制备方法“,公开号CN117881178A,申请日期为2022年9月(www.e993.com)2024年9月8日。专利摘要显示,本公开实施例涉及
存算一体芯片,带来了哪些惊喜?
文|半导体产业纵横??近年来,随着AI应用场景的爆发式增长,AI算法对算力的需求急剧上升,这一增速已显著超越了摩尔定律所预测的硬件性能提升速度。传统的计算芯片,在计算资源、处理时延以及功耗控制方面,逐渐显现出难以满足AI高并行计算需求的局限性。在智能芯片领域,传统的冯·诺依曼架构以计算为核心,处理器与存储器...
半导体专题:一文看懂薄膜生长
-磁存储介质:用于硬盘驱动器等磁性存储设备。(8)导热和绝缘薄膜:-散热薄膜:用于电子设备的散热,提高散热效率。-绝缘薄膜:用于电气绝缘,阻止电流泄漏。这些应用显示了薄膜技术在提高材料性能、实现特定功能以及创新科技和工业领域中的重要性。2.薄膜生长的基本原理...
佰维存储2023年年度董事会经营评述
公司以“存储赋能万物智联(StorageEmpowersEverything)”为使命,致力于成为全球一流的存储与先进封测厂商。公司紧紧围绕半导体存储器产业链,构筑了研发封测一体化的经营模式,在存储介质特性研究、固件算法开发、存储芯片封测、测试研发、全球品牌运营等方面具有核心竞争力,并积极布局芯片IC设计、先进封测、芯片测试设备研发等...
六部委发文推动先进存储技术的部署应用 蓝光存储获重点鼓励
值得关注的是,本次六部门印发的行动计划落地务实,提出了"全闪存+蓝光存储"的新存力架构,新架构中未提及磁存储,且首次从国家部委层面重点提及了蓝光存储的应用,意味着我国的存力布局正在往自主可控的方向大步迈进。目前IT行业主流存储介质有半导体、磁和蓝光三种,其中国内半导体技术处于追赶阶段。而主要的磁介质—...