起底RAMXEED:一场关于铁电随机存储器(FeRAM)的革

通常我们讲存储器,它的分类有很多,其中一个分类是「非易失性存储器」,比如FeRAM、EEPROM、NORFlash、NANDFlash,还有一个分类是「易失性存储器」,比如SRAM(静态随机存取存储器)、DRAM(动态随机存取存储器)。从目前整个存储器市场来看,NORFlash、NANDFlash和DRAM占据了98%的份额,而包括FeRAM在内的利基市场...

全球存储芯片行业进入复苏周期 我国国产化进程加速下迎新机遇

易失性存储芯片可分为静态随机存储器(简称SRAM)和动态随机存储器(简称DRAM)两类,SRAM不需要周期性地刷新,速度比较快,但成本也较高,是利基存储;DRAM需要周期性地刷新,速度较慢,但成本较低,是大宗存储。非易失性存储芯片主要包括掩膜型只读存储器、可编程只读存储器、快闪存储器(简称Flash)。目前快闪存储器的主...

盛科通信获得发明专利授权:“路由地址存储方法、装置、网络设备及...

专利摘要:本发明实施例提出一种路由地址存储方法、装置、网络设备及存储介质,属于通信技术领域,将多个路由地址的公共前缀存储于三态内容寻址存储器,将每个路由地址的多级中间前缀按序存储于多级静态随机存储器中除末级静态随机存储器之外的静态随机存储器,将每个路由地址的后缀信息存储于多级静态随机存储器的末级静态随机存储...

华大九天2024年半年度董事会经营评述

针对存储电路设计,该系统支持包括但不限于静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器以(DRAM)及闪速存储器(Flash)、磁随机存取存储器(MRAM)等多种类型的存储芯片设计。在设计存储电路时,需综合考虑数据的读写速度、功耗、可靠性及集成度等多方面因素,公司提供的存储电路全定制设计全流程EDA工具系统,提供从电路设...

佰维存储2023年年度董事会经营评述

佰维存储2023年年度董事会经营评述内容如下:一、经营情况讨论与分析公司主要从事半导体存储器的研发设计、封装测试、生产和销售,主要产品为半导体存储器,主要服务为先进封测服务,其中半导体存储器按照应用领域不同又分为嵌入式存储、PC存储

...系列仿真器提供了从模块级高精度模拟电路到全芯片存储器和系统...

公司NanoSpice系列仿真器提供了从模块级高精度模拟电路到全芯片存储器和系统级电路的仿真和验证方案,已获得数项国内外发明专利(www.e993.com)2024年11月23日。NanoSpice系列仿真器是目前极少有被众多国际半导体巨头规模量产采用的国产EDA工具,整体水平达到国际领先。通过在多家国内外领先的芯片设计公司和代工厂与同类工具的基准测试表明,性能在多个细分...

三星存储器和智能手机部门正考虑部分订单外包,合作对象包括台积电...

本月初三星就与台积电达成了协议,合作开发“无缓冲HBM4”,属于HBM4的一种特殊版本,取消了用于分配电压和防止电气问题的缓冲器。按照三星的说法,这是为了在HBM领域取得进展,所以选择与各个代工厂合作,准备了20多种定制解决方案。或许接下来,三星的存储器和智能手机部门将扩大与台积电的合作。

磁性随机存储器(MRAM)和斯格明子研究的新利器!可调控磁性薄膜或...

今年1月,三星电子在学术期刊Nature上发表了全球基于MRAM(磁性随机存储器)的存内计算研究。存内计算由于毋需数据在存储器和处理器间移动,大大降低了AI计算的功耗,被视作边缘AI计算的一项前沿研究。三星电子的研究团队通过构建新的MRAM阵列结构,用基于28nmCMOS工艺

ReRAM新型存储器如何影响未来存储格局?-钛媒体官方网站

阻变存储器全称是电阻式随机存取存储器,是以非导性材料的电阻在外加电场作用下,在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的非易失性存储器。ReRAM包括许多不同的技术类别,比如氧空缺存储器(OxRAM,OxygenVacancyMemories)、导电桥存储器(CBRAM,ConductiveBridgeMemories)、金属离子存储器(MetalIonMemories)以及...

学好STM32的存储器和寄存器,单片机岂不是手到擒来

RandomAccessMemory，随机存取存储器。是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写（刷新时除外），而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。一旦断电所存储的数据将随之丢失。SRAMStaticRandom-AccessMemory，静态随机存取存储器。是RAM的一种，所谓的“静态”，是指这种存储...