晶圆边缘的缺陷挑战为何越来越突出

PDFSolutions技术研究员TomaszBrozek表示:“人们在制造过程中使用双重图案和双重蚀刻(光刻-蚀刻、光刻-蚀刻),但器件中从一个芯片到另一个芯片的最终电气错位不仅与光刻有关,还与蚀刻图案、薄膜均匀性和CMP均匀性有关。”例如,由于蚀刻和CMP中的翘曲或工艺不均匀问题,晶圆边缘区域可能会出现最大的变化。“通过使用...

民德电子:晶圆代工厂广芯微电子产线中包括光刻设备,一期规划产能...

晶圆代工厂广芯微电子产线中包括光刻设备,一期规划产能为6英寸高端特色硅基晶圆10万片/月。感谢您的关注!点击进入互动平台查看更多回复信息

东海研究 | 深度:光刻机:国产设备发展任重道远,零组件企业或将...

所以在晶圆爆光之前,必须要先侦测晶圆在平合上的精确位置。双平台可以在前一片晶圆曝光的同时,对下一片晶圆进行精准量测,不需要等待。(2)工作台系统的精密程度一定程度决定了光刻中的套刻精度。晶圆与掩膜版设计有特殊对准图形,只有两者位于一定范围内,光学系统才能予以捕捉。原理上来看,工件台与晶圆均有相关的对准...

硅基芯片走到尽头?国产芯片“换道超车”,玻璃晶圆打孔技术公开

要知道,目前最高端的EUV光刻机只有阿斯麦能制造,但其中有85%的零部件依靠进口,并且采用大量美国核心技术,所以阿斯麦才会在意美国的态度,禁止向我国出售高端EUV光刻机。而在没有EUV光刻机的情况下,我国现在根本制造不出5nm以下的芯片,如今随着玻璃晶圆出现,我国可以避开EUV光刻机,制造出5nm以下的芯片,这对整个半导...

突发!ASML两款光刻机出口许可被吊销,美国政府要求立即停止向中国...

涉及此次出口许可禁令的两款设备中,ASMLTWINSCANNXT:2050i是一款高生产率、双级浸没式光刻工具,专为在先进节点批量生产300mm晶圆而设计;而另一款NXT:2100i是双级浸没式光刻设备,其配备了新的投影光学调整系统,ArF光源为193nm,每小时光刻的晶圆数量达295片,主要用于光刻40nm-28nm芯片。

下一代EUV光刻,关键技术

在本月的SemiconWest和imec技术论坛上,来自ASML、IBM、imec、LamResearch和TEL的光刻专家齐聚一堂,分享HighNAEUV的进展和生产率提升(www.e993.com)2024年11月9日。从这些和其他信息来看,EUV晶圆厂很可能准备采用金属氧化物光刻胶堆叠、新的随机还原策略、角度蚀刻以及可能的曲线掩模,以从2nm器件节点(22nm间距)过渡到10A...

光刻机国产化加速,产业链投资逻辑

掩膜和晶圆的对准方式因厂商不同而异，以阿斯麦为例，基于相位光栅位置测量原理，叫PGA。通过激光光束打到硅片上的标记产生衍射颜色，通过透镜收集衍射光，再跟参考光栅进行颜色对比，通过颜色花纹的变化算出晶圆和参考光栅的相对位移。光学系统、运动系统和测量系统的重要性是什么？光学系统、运动系统和测量系统是光刻机...

??光刻机之战_芯片_晶体管_技术

新一代光刻机要将0.7微米的细节成像到晶圆上,并实现更紧密的微电子集成。而斯密特在展会上明确得知:还没有人找到这种芯片的光刻解决方案。佳能、GCA、尼康和Perkin-Elmer公司制造的机器仍然使用导程螺丝杆来移动晶圆台,他们的图像细节达不到小于1微米的定位精度,而这正是ASML技术的优势所在。

芯片内部为什么能这么小?100多亿个晶体管是怎么装进去的?

要让光实现图案的信息的传递,可以利用将光完全挡住或完全通过的方式产生明暗图案。光通过带有电路图案的挡光板(掩模版),可以复制掩模版的图案信息,最后和硅晶圆表面上均匀覆盖的光刻胶相互作用后,硅晶圆上出现了我们需要的图案信息。光刻成像曝光过程|图源Searchmedia-WikimediaCommons...

下一代EUV光刻技术解密

但HighNA的最大挑战似乎是较小的曝光场大小造成的。由于HighNAEUV光学元件上的镜头在xy方向上将掩模上的特征缩小了4倍和8倍(变形镜头),因此晶圆上的场大小只有0.33NAEUV和193nm光刻的一半(26x16.5毫米vs.26x33毫米)。两个曝光场必须精确拼接在一起。