国芯思辰|国产铁电存储器SF25C20( MB85RS2MT)用于输液泵和呼吸机
目前,传统的EEPROM和闪存写入周期耐久度有限,而一些医疗设备需要可靠地存储随时更新的数据日志,例如医疗输液泵和呼吸机。国产铁电存储器SF25C20的存储单元可用于100万次读写,数据保持:10年@85℃(200年@25℃),这样的耐久度使这些医疗设备记录更多的用户数据。此外,即时非易失性也是SF25C20技术的另一大重要特...
台积电申请存储器单元及其制造方法专利,实现优化存储器单元结构与...
台积电申请存储器单元及其制造方法专利,实现优化存储器单元结构与操作金融界2024年7月23日消息,天眼查知识产权信息显示,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“存储器单元及其制造方法”,公开号CN202410349922.7,申请日期为2024年3月。专利摘要显示,一种存储器单元,包括第一和第二传输通过门、...
牛芯半导体DDR技术的发展与创新
相较于SRAM复杂的双稳态电路,DRAM在单位面积的存储密度上取得了飞跃,加之其存储单元无需持续供电,仅需周期性刷新即可维持数据,这使得DRAM在功耗上也展现出巨大优势。这些特性推动了DRAM的广泛应用和迅猛发展。图1:DRAM与SRAM电路结构数据显示,在180纳米至65纳米的四种技术节点中,DRAM单元的面积维持在19至26平方微米...
...第二节点的电压来确定存储器单元与第一开关之间的键合是否有缺陷
所述半导体装置可包括:存储器装置,包括存储器单元、页缓冲器和第一开关,第一开关具有电连接到位于存储器单元的键合点的第一节点的第一端、以及连接到位于页缓冲器的第二节点的第二端;以及存储器控制器,被配置为在第一时段将预充电电压施加到第一节点和第二节点,在第一时段之后的第二时段中闭合第一开关,并且被...
台积电低功耗芯片路线图|栅极|阵列|元件|晶体管_网易订阅
芯片间数据移动(如外部存储器和处理单元之间的数据移动)也是提升系统级性能和能效的一个重要机遇领域。如图17所示,可扩展的三维互连结构可实现越来越高的片内和跨片连接密度,将有助于更密集的VLSI系统支持极高的存储器带宽。图16:除了元素互连解决方案之外,我们还在继续寻找新材料,目标是将通孔和线路电阻降低...
三星申请存储器专利,实现高效的存储单元控制
金融界2023年12月27日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“存储器芯片和包括存储器芯片的存储器系统”,公开号CN117292727A,申请日期为2023年6月(www.e993.com)2024年11月19日。专利摘要显示,
液态金属存储器:在溶液中如大脑般读写信息
为全面评估全柔性存储单元的电学性能并建立理论体系,作者实验室测试了柔性存储器在氧化过程中的频率响应特性,并绘制了电化学阻抗谱。根据奈奎斯特图和GLM氧化的原理,可建立等效电路模型来评估柔性存储器件内部的电化学系统及其性质,从而为进一步优化器件性能提供指导[5]。
北京大学申请存储器阵列及存内计算电路专利,消除存储器阵列非对称...
金融界2024年4月2日消息,据国家知识产权局公告,北京大学申请一项名为“存储器阵列及存内计算电路“,公开号CN117809701A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本发明提供一种存储器阵列及存内计算电路,其中的存储器阵列包括呈阵列分布的存储单元,存储单元包括互补的第一存储结构和第二存储结构;其中,第一存储结构包...
江波龙2023年年度董事会经营评述
1)存储产品价格底部反弹或将直接带来收入增长在全球范围内的不利宏观经济环境影响下,各大存储晶圆原厂亦面临着巨大的经营压力,以三星、SK海力士、美光等为代表的国际存储晶圆原厂均出现了巨额亏损,并导致各大存储晶圆原厂纷纷采取相应的措施平抑价格下跌。
半导体芯片通常包括哪些内容
4.存储单元包括闪存、SRAM(静态随机存取存储器)、DRAM(动态随机存取存储器)等,用于存储数据和指令。5.时钟电路用于生成时钟信号,以同步芯片内部的操作。6.输入/输出接口供芯片与外部世界(如其他电路、传感器和执行器)进行通信的接口,包括数字和模拟信号的输入输出。