特变电工:多晶硅产量调整后仍处亏损状态,暂无新增半导体产品投资...

您好,当前多晶硅价格仍处于低位,公司通过经济性测算,降低了生产负荷,多晶硅业务仍处于亏损状态。公司目前未有新的投资计划。

浙江芯晟半导体科技申请兼容刻蚀硅和多晶硅专利,能更好地控制刻蚀...

金融界2024年11月4日消息，国家知识产权局信息显示，浙江芯晟半导体科技有限责任公司申请一项名为“一种兼容刻蚀硅和多晶硅的刻蚀方法”的专利，公开号CN118888437A，申请日期为2024年6月。专利摘要显示，本发明公开了一种兼容刻蚀硅和多晶硅的刻蚀方法，使用HBr作为主刻蚀气体，SF6作为辅助刻蚀气体，并采用轰击的方...

大国工匠!半导体级多晶硅项目首批产品出炉

作为集成电路制造的核心原材料,半导体级多晶硅的纯度、稳定性和性能对最终产品的品质具有决定性影响。当前,8英寸、12英寸晶圆用多晶硅主要用于超大规模集成电路,其生产技术难度集中在生产过程中的精密控制、高度纯化和严格的品质管理等方面,生产工艺极其复杂。为确保产品的纯度和性能,生产过程中必须严格控制杂质含量,这需...

美国半导体级多晶硅制造商Hemlock将获3.25亿美元补贴

事实上,多晶硅是赋予芯片半导体特性的物理物质。通过这项拟议的CHIPS投资,HSC将提高其超纯半导体级多晶硅的产能,除了更广泛的半导体生态系统外,还将服务于领先的芯片应用,并加强美国的国家、经济和能源安全——HSC几十年来一直支持的领域。这笔拟议的资金将是二十多年来对HSC半导体产能的首次重大投资。“拜...

...高纯硅烷分析、高纯多晶硅分析、特种气体分析等半导体行业的...

答:公司部分产品在在线联用、高纯湿化学品分析、高纯硅烷分析、高纯多晶硅分析、特种气体分析等半导体行业的重点分析测试领域中的应用效果均取得了进展,实现了应用落地,目前正与集成电路行业头部企业进行联合应用验证的过程中,已逐步进入国内集成电路制造的主要领域。

美国政府拟向半导体级多晶硅厂商 HSC 授予至多 3.25 亿美元补贴

IT之家10月22日消息,美国商务部当地时间昨日宣布同半导体级多晶硅制造商HemlockSemiconductor(下文简称HSC)签署了一份不具约束力的初步条款备忘录,拟根据《CHIPS》法案向HSC提供至多3.25亿美元(IT之家备注:当前约23.15亿元人民币)的直接资金(www.e993.com)2024年11月9日。

粤芯半导体申请隔离结构相关专利,解决现有技术中晶圆表面的氮化硅...

清除晶圆的背面的多晶硅膜层；通过炉管工艺在晶圆的正面和背面生长氮化硅膜层；在晶圆的正面刻蚀深沟隔离沟道；在深沟隔离沟道中生长氧化层。通过上述技术手段，解决了现有技术中晶圆表面的氮化硅膜层会出现坍塌的问题，以提高半导体器件的性能和良率。本文源自：金融界作者：情报员...

拉普拉斯新能源科技申请隧穿氧化层和多晶硅层的制备方法及反应炉...

金融界2024年10月29日消息,国家知识产权局信息显示,拉普拉斯新能源科技股份有限公司申请一项名为“隧穿氧化层和多晶硅层的制备方法及反应炉”的专利,公开号CN118824842A,申请日期为2024年6月。专利摘要显示,本公开涉及半导体技术领域,具体涉及一种隧穿氧化层和多晶硅层的制备方法及反应炉,解决了相关技术中隧穿氧化...

玻璃巨头,拟在美国新建多晶硅及硅片厂

美国商务部长GinaRaimondo表示:“多晶硅是半导体的基础,我们必须确保有可靠的多晶硅供应来制造支持我们经济和国家安全的芯片。由于拜登-哈里斯政府的《芯片和科学法案》,我们提议在半导体供应链上下游进行投资,并支持像HSC这样的国内材料供应商,他们正在推动美国半导体制造业的复兴和技术领先地位——同时在全国各地创造高质...

大基金持股20%!江苏半导体材料独角兽鑫华半导体冲刺IPO 已启动...

除电子级多晶硅的主营业务外，鑫华半导体还围绕高纯的电子化学品开展一体化、多元化布局，如：硅基电子特气。田新表示，硅基电子特气是多晶硅生产过程中的一种物料，属于同一条路线。在上述采访中，其称：“公司没有打算跨界，只是想专注在这个行业里做一些更多元化、更丰富的服务。鑫华半导体对自身的定位还是一家专注...