光子芯片取得重要突破,中国或将绕开EUV光刻机瓶颈

然而，光子芯片的崛起为中国芯片产业带来了新的希望。光子芯片的研发路径与传统电子芯片截然不同，避免了对EUV光刻机的依赖，能够更灵活地应对国际市场的变化。通过自主研发光子芯片，中国有望在不久的将来实现“弯道超车”，摆脱被动跟随的局面。这一进展不仅能够降低对外技术的依赖，还将增强中国在全球芯片市场的竞争力...

中国高端光刻机问世,分辨率突破65纳米,能制造8纳米的芯片吗

西方媒体的舆论阵地果然没有底线，从中国不可能自主研发出先进的光刻机，到中国不可能摆脱西方供应链，再到中国不可能完成光刻机整个生产线。如今随着我国成功制造出65纳米光刻机，西媒的话术又变成了中国不可能生产出28纳米的芯片。他们完全看不到，中国已经成为全球唯一一个拥有光刻机完整生产线的国家。自中美贸易...

官宣了!中国光刻机重大突破,已成为全球唯一生产线完整的国家!

而此次中国的光刻机突破，意味着中国在芯片生产链中的核心设备上获得了独立性和主动权。光刻机的技术难题要理解光刻机的技术复杂性，必须先了解它的工作原理。光刻机使用的是光投影技术，通过将电路图案通过高精度镜头投射到硅片上，从而在微米甚至纳米级别的尺寸上进行电路的刻画。简单来说，光刻机就是为芯片制...

突破!俄罗斯制造出了第一台可以生产350nm芯片的光刻机

虽然落后25年,但是还是可以追一追嘛!总归比F22A强,F22A用的500纳米芯片,可见俄罗斯军用90纳米芯片全是进口生产线量产的。350nm属于什么水平呢?中国落后美国两代,俄罗斯落后美国20代!因为美国制裁,现在俄罗斯进口不了一颗美国的芯片,无奈只能从零开始,从最简单的350纳米光刻机开始研发,这不就突破了嘛!但是也不要...

没有EUV光刻机,怎么做5nm芯片?

使用浸润式DUV光刻机+多重曝光技术生产5nm芯片完全可行,不计代价的情况下甚至能做到3nm。尽管理论上可行,且在7nm节点上已被部分晶圆厂验证过,但这需要诸多条件同时满足,比如多重曝光中关键的“套刻精度”——多次曝光之间图形对准的精度。此外,也涉及到许许多多的制程手段,比如相移光罩、模型光学临近效应修正、过...

俄罗斯首台光刻机,真的制造成功了

据塔斯社报道,俄罗斯第一台能够生产最大350nm(行业一般说0.35μm)尺寸芯片的光刻机已经创建并正在测试中(www.e993.com)2024年11月9日。俄罗斯联邦工业和贸易部副部长瓦西里·什帕克(VasilyShpak)在CIPR期间向塔斯社报告了这一点。他表示,“我们组装并制造了第一台国产光刻机。作为泽廖诺格勒技术生产线的一部分,目前正在对其进行测试。”俄罗斯...

【产业互联网周报】Arm拟终止高通的芯片设计许可;黄仁勋...

会上,周鸿祎表示,面对全球大模型产业之争,中国大模型则要打赢“三大战役”,即通用大模型之战、大模型安全之战和应用场景之战。他表示,应“像造原子弹一样”,将开发超级通用大模型作为国家战略;大模型安全方面,360提出“以模制模”新解法和安全、向善、可信、可控原则,用安全大模型应对新型AI安全问题;而对于应用...

非光刻机 佳能开始销售芯片生产设备 可制造5nm芯片

佳能(Canon)近日开始销售了一种新型芯片生产设备,型号为FPA-1200NZ2C,佳能表示该设备采用不同于复杂光刻技术的方案,可以用于制造5nm芯片。佳能称,FPA-1200NZ2C的工作原理和行业领导者ASML不同,传统的投影曝光设备是将光线照射到晶圆上涂敷的抗蚀剂(树脂)上来印刷电路,但新产品使用掩模(模具),将电路图案刻在晶圆...

国产90nm的光刻机,经多重曝光后,能生产28nm芯片?

也就是说,如果采用SADP多重曝光,最终实现4倍精度的话,90nm的光刻机,最终理论上确实是可以实现最高22.5nm工艺,可见国产90nm的光刻机,理论上达到28nm是没什么问题的。不过大家要注意的是,不管是采用LELE或LFLE,或者采用SADP多重曝光技术,都提高了对刻蚀、沉积等工艺的技术要求,并且因为增加了使用次数,使晶圆...

俄罗斯仍有5台ASML光刻机可用 军事芯片自主生产挑战

俄罗斯的芯片制造业依赖进口的半导体材料和设备,尤其是光刻机。尽管全球领先的光刻机供应商ASML未曾直接向俄罗斯销售先进设备,但俄罗斯通过第三方获得了一些二手老式ASML光刻机。这些设备虽过时,但在国内生产自研芯片时仍发挥一定作用。同时,面对制裁,俄罗斯还能通过非传统途径获取半导体原材料,如从中国台湾的公司进口硅晶圆...