紫光DRAM业务总部落户重庆,工厂年底计划开工建设

根据协议,紫光集团将在重庆两江新区发起设立紫光国芯集成电路股份有限公司和重庆紫光集成电路产业基金,建设包括DRAM总部研发中心在内的紫光DRAM事业群总部、DRAM存储芯片制造工厂、紫光科技园等。据了解,DRAM存储芯片制造工厂计划于2019年底开工建设,预计2021年建成投产。按照此次签署的协议,紫光国芯集成电路股份有限公司将作...

全球第4!没想到国产存储芯片进展如此之快,超过大部分人想象!

也就是说，长江存储正不断蚕食三星、SK海力士、美光等存储巨头的市场份额，同时生产设备也在逐步实现完全国产化。三、长鑫存储，全球第四而另国产存储巨头——长鑫存储，已实现DRAM5的量产，在18.5nm工艺的DRAM芯片上也实现量产，目前月产量高达10万片晶圆。这与主流厂商10nm/12nm制程节点仅有一步之遥了。同时，...

国产光刻机突破,长江存储转向国产设备,存储芯片替代加速

2023年9月份，三星电子计划对其DRAM和NAND闪存芯片，面向智能手机生产商的销售价格进行调整，上调幅度为10%-20%。到了10月，三星又一次提高了NANDFlash芯片的价格。2024年6月，随着人工智能需求的飙升，三星宣布将在第三季度对其存储芯片，包括DRAM与NAND闪存，进行价格上调，涨幅在15%-20%之间。从2023年起，存储芯...

...61亿芯片IPO!海康威视加持,“国九条”后首家过会,供货长江存储...

在对海外龙头厂商的追赶中,其已成为江波龙、佰维存储、长江存储等国内知名存储器及存储芯片企业的上游供应商。联芸科技上市发行估值预计不低于61亿元,其创始人兼实控人方小玲为61岁的浙大校友,海康威视则在上市前合计持有联芸科技37%的股权。来源:新财富杂志(ID:xcfplus)作者:程华秋子冲刺科创板上市的联芸科技,...

“兆易创新”渡劫,存储芯片的未来在哪?

这么好的表现,上市就是理所当然的啦,不过2016年上市后不到一个月,就停牌,因为收购《北京矽成半导体》失败,被《北京君正》这位国内芯片领域大佬给抢走了。为什么兆易创新要在刚上市就火急火燎进行收购?因为兆易创新依靠静态存储器(SRAM)起步,不具备研发动态存储器(DRAM)的实力,最好的办法当然是收购一家具备该技术...

中国存储芯片行业市场运行状况、市场监测及投资发展潜力分析

长江存储和合肥长鑫于2016年成立,分别致力于生产NORFlash、DRAM芯片(www.e993.com)2024年11月22日。2018-2020年是存储芯片行业的自主创新阶段,2019年底,长江存储64层3DNAND闪存开始大规模量产。2020年4月,长江存储推出128层QLC3DNAND闪存。兆易创新突破国外厂商在中低端容量的NORFlash技术壁垒,推出各类NORFlash产品。2020年-至今,随着全球对...

存储芯片企业的资本寒冬

而存储芯片企业长江存储(闪存颗粒)和合肥长鑫(DRAM颗粒)还未提交IPO申请。今年以来,先有以存储控制技术为核心的芯片设计公司得一微于3月30日终止科创板上市,后有曾获国家科技进步二等奖的数据存储解决方案提供商华澜微于5月29日终止科创板上市。虽有联芸科技将于5月31日闯关科创板上会,但在严监管环境下存储芯片企业...

穷追猛打,长江存储在美起诉美光侵犯其11项专利并要求停售

根据Tomshardware的消息,中国NAND闪存制造商长江存储(YMTC)再一次将美光告上了美国法庭,指美光侵犯了长江存储11项专利,当中涉及到3DNAND闪存以及DRAM芯片,要求法院命令美光停售侵权存储产品和支付相应专利费。按照长江存储说法,美光的96层(B27A)、128层(B37R)、176层(B47R)和232层(B58R)的3DNAND存储芯片以及...

强硬反击,长江存储三告美国半导体巨头!在美起诉美光侵犯 11 项专利

长江存储,中国第一家存储器晶圆厂,3D-NAND存储芯片国内龙头。作为中国存储芯片行业行业“领头羊”之一,这些年长江存储遭遇的“明枪暗箭”不计其数。2022年底,美商务部根据所谓的“证据”,以威胁其国家安全为由,将长江存储列入了实体清单,使其不能从美国获得128层及以上的3DNAND的晶圆制造设备和技术。

长鑫、长存,中国两大存储芯片巨头,被美打压后,发展怎么样了?

原本国内有三大存储芯片基地的,一是长江存储主攻NAND闪存,一家是长鑫存储主攻DRAM内存,还有一家是福建晋华,主攻的也是DRAM内存。不过后来因为美光的原因,晋华陷入停滞状态,没什么进展,只有长江存储、长鑫存储还在继续突破。打开网易新闻查看精彩图片长江存储发明了“晶栈”技术,从64层到128层,再迅速突破到232层,于...