国产EUV光刻机何时问世?成突破美国芯片禁令关键

然而，EUV光刻机的研发之路并非坦途。近期，国内曝光的一台采用193纳米波长光源的光刻机，虽然分辨率达到65纳米以下，套刻精度也小于8纳米，但仍属于DUV光刻机的范畴，距离浸润式光刻机乃至EUV光刻机尚有不小差距。这意味着，中国光刻机技术的发展还需跨越至少两代，才能触及EUV光刻机的门槛。尽管如此，挑战与机遇...

大事件!国产EUV光刻机最新进展来了!

大事件！国产EUV光刻机最新进展来了！要说国产半导体产业中最让人“牵肠挂肚”的无疑就是光刻机了；终于国产EUV光刻机的最新进展来了。9月10日国家专利网站公布了上海微电子一项名为“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的发明专利，专利申请日期为2023年3月9日，申请号为CN202310226636.7。据了解，此项专利主要...

美西方议论纷纷!中国7nm光刻机技术突然申请专利!有人着急了

当然研制光刻机这件事肯定不是一家企业能够做到的，这就需要半导体产业协同发展，在工艺上，在设备进行创新。国家的支持，企业的投入同样必不可少，乐观估计的话，中国的7nm光刻机有望在未来三到五年之内实现量产。这已经是非常快的速度了！众所周知，7nm光刻机不仅仅可以生产7nm的芯片，通过极紫外光的话，可以将...

今年5nm,2026年2nm,EUV光刻机搅局者,终于要量产了

当然,由于这款纳米压印机FPA-1200NZ2C还没彻底量产,所以不知道佳能是在吹牛,还是真的牛。同时也有业内人士表示,纳米压印技术,良率估计达不到EUV,且产能、效率会远低于EUV方案,所以其实并不太适配大规模的芯片制造产业,更适用于小批量的芯片生产。但不可否认的是,如果佳能的这种技术全面量产,对EUV光刻机而言,...

国产光刻机突破28nm了吗

浸没式ArF光源本质上没有变化,还是193nm(光源功率才是量产机核心),只不过是在光刻机物镜和晶圆之间加入了超纯水,折射率提升到了1.44,变相的将193nm波长,等效缩小为134nm,进而提升了光刻机的分辨率。为什么会这样?前面说了,瑞利判据即CD=k1*λ/NA。由于加入了水的折射,我们可以对其做个变型,CD=k1*λ/n...

工信部公开推广两款国产DUV光刻机!最小套刻≤8nm!

据东海证券援引ASML官网数据,2023年各类光刻机均价为EUV(17386万欧元)、ArFi(7196万欧元)、ArFdry(2742万欧元)、KrF(1192万欧元)、i-Iine(399万欧元)(www.e993.com)2024年12月20日。东海证券认为,目前光刻机国产化率仅为2.5%,整机技术与海外差距较大,短期5~10年内一方面重点发展90nm、28nm光刻机的研发量产较为关键,一方面重点布局国内半导...

光刻机巨头爆雷,国产替代还远吗?

其中,上海微电子是大陆光刻机进展最快的厂商,已实现90nm量产(600系列光刻机),可满足IC前道制造90nm、110nm、280nm关键层和非关键层的光刻工艺需求,该设备可用于8寸线或12寸线的大规模工业生产。但上海微电子的IC前道光刻机与国际先进水平差距仍较大。荷兰的EUV3400B制程节点可达到5nm,而上海微电子已量...

一台EUV光刻机售价2亿美元,每天能生产多少芯片?多久能赚回本?

借助EUV光刻机,台积电成功地实现了7纳米以下制程的量产,并在5纳米制程上取得了重大突破,这使得台积电在全球半导体行业中独领风骚,获得了全球90%的5G芯片订单。5G技术的普及使得对高性能芯片的需求激增,而台积电凭借先进的制程技术和EUV光刻机,成为了这一市场的霸主。

EUV光刻机,大结局?

普遍认为,NIL技术被视为传统光刻技术的替代解决方案,在3DNAND集成电路领域可实现更低成本的芯片量产。BEUV光刻机技术的提出国际设备和系统路线图(IRDS)由产业界、政府和学术界共同制定。IRDS仍保持国际半导体技术路线图(ITRS)的工作模式,每隔一年发布一个新的15年路线图,并每年更新。IRDS是芯片产业发展的风向...

台积电不用新一代EUV光刻机!2030年的1nm再说

相比之下,台积电对于采用高NAEUV光刻机的计划显得更为谨慎。多个消息来源指出,台积电正在评估该技术的引入,并不打算在短期内采用,可能要等到1纳米工艺时代才会开始使用,预计时间为2030年左右。目前,台积电正致力于开发2纳米工艺,预计在2025至2027年间实现量产。这一工艺将允许单芯片集成超过1000亿个晶体管,单个封装...