超高效液相色谱质谱UPLC-q-tof-MS步骤
(2)对于高温条件下的应用,在工作结束后即快速将色谱柱保存在100%乙腈中以延长色谱柱的使用寿命;(3)不要将色谱柱保存在缓冲盐流动相条件下;(4)如果流动相中含有缓冲盐,先用10倍柱体积的液相色谱级水(大比例)冲洗色谱柱,之后用100%乙腈替换保存。如果没有进行这一中间步骤直接换成100%乙腈将会导致缓冲盐...
一万五千字详解什么是芯片流片
这个过程包含光刻、刻蚀、离子注入、金属沉积等精密工艺,确保在硅片上精确构建设计的集成电路。芯片流片不仅是连接设计与生产的桥梁,还需要严格的质量控制,以保证最终产品的性能和可靠性。任何工艺失误可能导致芯片失效,因此对工艺精度和操作环境的要求极高。有时需要通过聚焦离子束(FIB)编辑技术对芯片进行物理修改,以纠...
沪市上市公司公告(1月25日)
专利摘要显示,本申请属于有机电致发光技术领域,涉及一种有机化合物及使用其的有机电致发光器件和电子装置,该有机化合物具有如式1所示的结构,将该有机合物用于有机电致发光器件中,能够显著改善有机电致发光器件的性能。天通股份:拟以1亿元-2亿元回购公司股份天通股份(600330)公告,拟以1亿元-2亿元回购公司股...
RIE反应离子刻蚀机在半导体工艺中的应用
可以调节离子源、气体供应和射频电源的参数,以达到理想的刻蚀效果。控制系统还可以监控蚀刻速率和蚀刻深度等参数,以确保蚀刻过程的准确性和一致性。反应离子刻蚀机常用的维护方法:1.定期清洁内、外表面。使用合适的清洁剂和软布清洁真空室、电极、离子源和其他关键部件。注意遵守设备制造商提供的清洁指南和安全操作...
神仙打架!疾控2000万元采购项目遭多方质疑
大锥孔不易堵塞,因此清洗频次减少,即延长了锥的使用寿命,也增加了样品的有效分析时间。大锥孔更适合食品等复杂样品、高盐样品长时间分析。经市场调研,此参数满足3个及以上品牌,并不存在唯一性和排他性,故不作修改。质疑事项6:3.1.10四极杆离子偏转提取系统:正交90度离子偏转设计,彻底分离中性离子和光子,避免...
半导体设备发展趋势与前景分析
薄膜沉积:将金属材料和介电质材料沉积在硅片表面形成薄膜,之后再通过刻蚀完成电路和导线的制备;5.离子注入:通过等离子体轰击向硅晶格中注入所需离子,达成所需物理特性;6.退火:离子注入有可能破坏晶格,造成芯片缺芯,需要高温退火,使得晶格结构得以恢复;7.清洗:大部分步骤都会造成一定的杂质残留,需要及时清洗干净,才能...
中华人民共和国农业农村部公告第355号
7.切勿在标签标注的有效期后使用。一旦开封,请在1年内使用。8.由于缺乏相容性研究,本品不得与其他兽药混合使用。9.处理本品时请勿进食、饮水或吸烟;应佩戴个人防护装备,包括手套。处理后,应洗手和接触过本品的皮肤。10.当皮肤或眼睛意外接触本品时,应立即用水清洗。脱去所有污染衣物。如果误食,应立即...
半导体材料行业深度报告:景气持续,国产替代正当时
氧化:清洁完成后将晶圆置于800-1200℃的高温环境下,通过氧气或蒸气在晶圆表面形成二氧化硅层,以保护晶圆不受化学杂质影响、避免漏电流进入电路、预防离子植入过程中的扩散以及防止晶圆在刻蚀时滑落。光刻:光刻技术用于电路图形生成和复制,是半导体制造最为关键的技术,耗时占IC制造50%,成本占IC制造1/3...
芯人必读丨破译圈内暗语!收好这份半导体词典
BPSG:为硼磷硅玻璃,含有B,P元素的SiO2,加入B,P可以降低Flow温度,并且P吸附一些杂质离子,流动性比较好,作为ILD的平坦化介质。CCarrierGas载气用以携带一定制程反应物(液体或气体)进反应室的气体,例如用N2携带液态TEOS进炉管,N2即可称为载气。
半导体全面分析(六):千亿市场、三大设备、四大巨头!
接着,清除刻蚀腔内过量的氯气,并引入氩离子,用氩离子轰击硅片,从而去除之前反应产生的氯化层,每次循环只去除薄薄一层材料,可重复循环直至达到期望的深度,这种去除过程也有自限制性,因为一旦氯化层被全部去除后,该过程也将终止全球刻蚀设备市场规模100亿美金,全球前三为美国LamResearch、日本东京电子、美国应用...