Nano Lett.: 二维半导体异质结莫尔激子重构和杂化特性的研究
近年来,以石墨烯、过渡金属硫化物(TMDCs)为代表的二维半导体材料,由于其极限的原子层结构及优异的电学、光学、力学等物理特性,逐渐发展成为凝聚态物理等基础学科的热点研究方向。同时,二维材料的表面原子排布特性及其较强的层间耦合相互作用特性,可使得晶格不匹配的二维材料相互堆叠,形成二维范德华异质结。其中,当具有...
被产业界看好的钙钛矿/晶硅异质结叠层太阳电池
所谓同质结是指由同一种半导体材料且禁带宽度相同但导电类型不同的材料所形成的pn结,用同质结构成的太阳电池称为同质结太阳电池;异质结是指由两种禁带宽度不同的半导体材料形成的结,用异质结构成的太阳电池称为异质结太阳电池。太阳电池按核心材料形态可以分为晶硅太阳电池和薄膜太阳电池。当前规模量产的晶硅太阳电...
光伏电池片新技术逐步迭代,异质结降本增效进展迅速
即便异质结有着更高的转换效率上限,低温性能以及双面性也更加好,而且多处电站实证6%左右的发电量提升可能会给异质结带来更高的“溢价上限”,但行业内卷的本质以及“买方市场”的状态也将影响其溢价表现,尤其在TOPCon持续完善、高速扩产的当下,期望从价格端寻求利润空间的可能性已经式微,必须通过成本端的改善才能拥有与...
《AFM》天工大康卫民团队:异质结促进锂盐在聚合物固体电解质中的...
如图4,通过实验测试验证了BIT-BOBHNFs/PEO/LiTFSI复合电解质的特性,改性的电解质具有明显改善的性能。首先,BIT-BOBHNFs陶瓷填料的加入对PEO基电解质力学性能、结晶度、热稳定性能具有积极影响。同时,异质结纳米陶瓷填料的加入显著提升了电解质离子电导率、锂离子迁移数和电化学窗口等电化学性能。复合固体电解质的...
中国科技期刊卓越行动计划推介:《硅酸盐学报》24年第七期
分离吸收电荷倍增(SACM)型Ge/Si雪崩光电二极管(APD)因其高速、低噪声、高灵敏度、具备光增益等优点在光通信、光学成像和安全检测等领域具有广泛的应用前景。然而由于Si和Ge的晶格常数相差4.2%,因此在Ge/Si异质结界面会形成高密度的穿透位错,导致器件性能的恶化。为获得低位错密度Si基Ge薄膜材料并实现高性能Ge/SiAP...
从传统电学到超快光学 ——二维材料低温测量技术盘点
证明了在过渡金属二硫系化合物双层膜中扭转两层材料的角度可以改变两层中自旋谷的动量排列,从而实现对自旋谷特性的控制(www.e993.com)2024年9月9日。这些结果为可调手性光-物质相互作用开辟了新的途径,使利用谷自由度制造新器件方案成为可能。该研究表明在二维范德华异质结材料中的扭转自由度为电学和光学性质的研究提供了一个新的工具。
无液氦低温光学恒温器,又双叒发顶刊!完成悬空 Cr2Ge2Te6异质结...
该工作中的主要探测手段为在不同温度下通过激光干涉的方式探测CGT薄膜和异质结的共振频率来测量并研究样品的居里温度以及与应变的关系。该测量对于光学恒温器的温度稳定性、变温特性、振动稳定性、窗口的工作距离要求都非常高。该工作中用户使用了MontanaInstruments公司生产的低温光学恒温器完成了本文中的重要测量工作。
Ge组分对SiGe HBT主要电学特性的影响
综上所述,SiGeHBT的电学特性参数fT和β与Ge的含量和分布关系密切,本文通过计算分析,得到SiGeHBT中Ge的组分和含量对其主要电学特性的影响。1Si/Si1-xGex异质结与SiGeHBT1.1Si1-xGex异质结在异质结晶体管中基区采用带隙宽度较小的半导体材料,而发射区采用带隙宽度较大的半导体材料,可以使器件获得高的...
...超越极限:合理设计钙钛矿/半导体异质结实现器件性能突破
利用异质结调控钙钛矿材料的性质,构建由钙钛矿与其他半导体形成的不同维度异质结,为突破现有技术瓶颈提供了一条新思路。不同维度异质结的形成拓宽并提高了钙钛矿材料的光学、电学及机械性质,使器件性能与稳定性的不断提升和逐步应用成为可能。图1卤化物钙钛矿与不同半导体材料形成异质结及其代表性应用领域示意图...
铟:异质结电池领域或将大幅拉动铟需求
4)高稳定性:异质结电池的温度稳定性好,与单晶硅电池-0.5%/℃的温度系数相比,异质结电池的温度系数可达到-0.25%/℃,使得电池即使在光照升温情况下仍有好的输出;5)无光致衰减:晶硅太阳能电池最重要的问题之一就是光致衰减,而异质结电池天然无衰减,甚至在光照下效率有一定程度的增加;...