中科院北京纳米能源所张弛研究员团队EES:基于P/N型有机半导体纤维...

研究人员将P型的有机半导体聚(3,4-乙烯二氧噻吩):全氟磺酸(PEDOT:PF)和N型的有机半导体聚(苯二呋喃二酮)(PBFD)集成到棉纺纤维上并进一步编织成三维的螺旋纤维(SF)。通过串/并联组合,SFs被编织成可穿戴的直流纺织电源。研究人员进一步系统研究了直径、机械应力、运动方式(拉伸状态和压缩状态)和串/...

集微咨询发布《汽车半导体市场逆势增长的主力军:从专利角度分析...

其本质上是一个结型场效应晶体管,在P型SiC主体中形成N型沟道区域,将源极/漏极触点形成到N型沟道,栅极结构位于源极和漏极之间。但在此之后很长一段时间,碳化硅作为半导体材料的研究虽从未间断,但产业化进程却十分缓慢。技术萌芽阶段:直到1987年,Wolfspeed的前身——Cree公司才建立了第一条SiC商用生产线,拉开了Si...

中国科大在高选择性室温半导体传感器研发方面取得重要进展

该研究工作还通过模拟实际传感过程,系统地开展了相关结构模型的DFT计算,并结合能带结构理论证明了不同Pd态表面O2分子和H2分子的特殊吸附行为。理论计算结果与实际实验中产生的n型向p型半导体响应特征的转变相吻合,为Pd元素在高选择性材料中的应用提供了更加深入的理论基础。图2在室温下传感器对氢气的独特高选择性响应...

...&狄大卫Nature全面解读:发光钙钛矿半导体中可控的p型和n型行为

对于典型的半导体如硅(Si)和氮化镓(GaN),正型(p型)和负型(n型)导电性是通过将电子受体和电子供体元素掺入晶体格中实现的。对于新兴的卤化物钙钛矿半导体而言,尚未发现可以在保持高光电性能的同时可靠控制电荷导电行为的机制。在这项研究中,浙江大学赵保丹和狄大卫等人报告了一种方法,通过引入具有强电子吸引能力的磷...

发射型钙钛矿半导体的可控p型和n型行为研究

重要的是,在保持70–85%的高光致发光量子产率的同时,实现了从n型到p型电导率的转变。在发光钙钛矿半导体中实现的可控掺杂,使得具有简单结构的钙钛矿发光二极管展现出超高亮度(超过1.1×106cdm-2)和卓越的外部量子效率(28.4%)。据悉,对半导体中电导率及其极性的可靠控制是现代电子技术的核心,并已催生出包括二极管、...

华为公司申请半导体器件专利,降低N型FET与P型FET之间的晶格失配程度

金融界2024年3月22日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为“半导体器件、半导体器件的制造方法以及芯片“,公开号CN117747618A,申请日期为2022年9月(www.e993.com)2024年11月10日。专利摘要显示,

兆驰、隆利科技、海目星等7企公布Micro LED专利

本发明高空穴注入效率的Micro??LED外延结构，可显著提高P型半导体层的空穴注入效率并改善多量子阱发光层区域电子空穴浓度的匹配度，从而提高Micro??LED芯片在低工作电流密度下的光效。据悉，江西兆驰半导体有限公司为深圳市兆驰股份有限公司在江西省南昌市高新技术产业区设立的全资子公司，注册资金为16亿元，总投资100...

刘冰冰教授、李全军教授团队利用压力调制Peierls畸变实现NbOI2的n...

通过调节原子位置和相互作用,压力能够有效调控材料的结构形变,从而引起多种性能变化。具体而言,压力下Nb原子沿b轴方向的偏心逐渐被抑制,导致NbOI2从C2相向C2/m相的转变,同时,载流子行为发生从n型到p型的显著转变。更重要的是,这种可逆的导电类型切换发生在半导体-半导体相变过程中。即使导电类型发生转换后,NbOI2仍...

复合HTL诱导产生多重p型掺杂行为,显著提升底电极的电荷抽取效率

然而,n-i-p结构的长期稳定性(T80)可达一万小时以上,大幅领先p-i-n结构。p-i-n结构的稳定性主要受其HTL制约。常用的聚电解质HTL(PEDOT:PSS)不仅会产生寄生吸收,而且其多组分掺杂属性容易在光、热、偏压等作用下相分离形成PSS绝缘相,因此老化过程中性能难以维持。金属氧化物例如氧化钼、氧化镍作为HTL,稳定性...

北京大学雷霆研究员Science:半导体水凝胶!

作者设计了一种n型水溶性半导体聚合物P(PyV),它的阳离子骨架含有氯化物反离子,没有任何侧链(图1B)。作者认为,无侧链聚合物设计可实现较高的电子性能,而离子骨架则为静电交联提供了可能性。通过密度泛函理论计算,发现苯磺酸离子与聚合物骨架的结合能优于氯离子,使热力学交换过程更为有利。作者选用1,3-苯...