由于NAND闪存市场需求低于预期,主要存储器制造商都在考虑减少产量
由于NAND闪存市场需求低于预期,主要存储器制造商都在考虑减少产量近日TrendForce发布了新的市场调查报告,称2024年第三季之前,消费型产品终端需求依然疲软,AI服务器支撑起了存储器主要需求,加上HBM排挤现有DRAM产品产能,供应商对合约价格涨幅保持一定的坚持。不过由于智能手机制造商的观望态度,预计第四季度DRAM均价涨幅大幅...
机构:2024年Q1全球前五大晶圆设备制造商在华营收同比增长116%
按营收类型来看,由于NAND支出增加以及人工智能(AI)日益普及带来的强劲DRAM需求,2024年第一季度前五大WFE制造商的存储收入同比增长33%。由于客户对尖端半导体的投资延迟,代工业务的收入同比下降29%。按地区来看,2024年第一季度,五大WFE制造商在中国的收入同比增长116%,这主要是由于DRAM出货量增加。物联网、汽车和5G等...
台积电要用5nm先进封装HBM4内存芯片?
第四代内存技术接口从1024位扩展到2048位,这标志着HBM4内存的设计和生产将面临新的挑战,为了适应这一变化,芯片制造商必须采用更新、更高级的封装技术。在2024年的欧洲技术研讨会上,台积电透露了其为HBM4制造的basedie一些细节,这些芯片将采用逻辑工艺制造,台积电计划利用其N12和N5工艺的改进版本来生产这些芯片。这...
SK海力士有望超越英特尔,首次跻身全球第三大芯片制造商行列
SK海力士近日宣布,其已经成功研发出行业第一款6nm的10nm动态RAM(DynamicRandomAccessMemory,DRAM)芯片,其功耗和能量效率均较老机型有所提高。SKHynix公司在一项声明中表示,该DRAM的名称是1C16GbDDR5,而1C则是SK海力士公司的10纳米制程的第6代制程。1C16GbDDR5主要应用在高端的数据中心,据称最...
韩芯片制造商海力士:出售在大连工厂的传闻是没有根据的
环球时报-环球网报道记者马梦阳韩国TheElec网站此前报道称,鉴于贸易限制和全球存储芯片市场需求下滑,韩国存储芯片制造商SK海力士正考虑处理其位于辽宁省大连市的3DNAND闪存工厂,该工厂是SK海力士于2021年12月以90亿美元从英特尔公司收购的。对于这一消息,SK海力士在4月27日接受香港《南华早报》采访时表示:“...
PC内存需求低迷,芯片制造商美光计划裁员2400人
7月1日,据路透社报道,由于对DRAM内存的需求一直在下滑,且在NAND市场面临来自三星等对手的激烈竞争,内存芯片制造商美光科技将进行裁员,减少项目,以降低成本(www.e993.com)2024年10月18日。美光的销售额已经连续三个季度以超过预期的幅度下跌。该公司周四预计下一季度的跌幅将会更严重。
DDR4内存价格下跌!DRAM和NAND市场需求大量减少!
制造商无法销售DDR4内存模块,最终造成库存压力,导致价格大幅下降过去几个季度,DRAM市场经历了过山车式的波动,尤其是在后疫情时代,需求降至历史最低点,消费者兴趣减弱,市场动态普遍疲软。为了应对这种情况,制造商们通过价格折扣清理库存,进行库存调整措施,现在他们准备在数月的价格上涨后采取看涨立场。然而,据《...
...SK海力士推动HBM定制化;南亚科技:预计全年DRAM出货量年增逾20%
JungbaeLee提到,为了打破现有速度与能耗的瓶颈,内存制造商需要与代工厂紧密合作,集成逻辑处理能力至内存中。为此,三星存储器业务部门已制定了“交钥匙”方案,以支持客户的定制需求。此外,三星电子还向客户提供了相关IP,使客户能够自行设计HBM内存的基础裸片,并可选择将这些基础裸片交由非三星电子的第三方代工企业生产...
【产业信息速递】存储市场遇冷,唯它独热
第三季度,通用DRAM价格增长为8至13%,但由于经济下滑导致消费需求减缓和中国内存制造商供应增加,预计第四季度将停滞。内存制造商扩大HBM生产将导致通用内存的供应下降,这将推动价格上涨,但不足以抵消需求疲软的影响。这对三星电子而言是一个艰难的环境,因为其尚未开始向Nvidia供应第五代HBM(HBM3E)。三星在2024年第三...
随着制造商将重点转向HBM生产 DRAM内存供应将出现短缺
由于人工智能的炒作迫使三星和SKhynix等制造商将重点放在企业存储和HBM生产上,从而将DRAM置于次要位置,通用DRAM存储芯片在市场上可能会出现短缺。市场上DRAM的产能利用率已降至历史最低点,主要原因是企业更专注于满足对高带宽内存的大量需求。此外,在之前的市场情况下,各公司已经大幅缩减了DRAM的生...