中国科大在功率电子器件领域取得重要进展
DesignandApplications”的大会Shortcourse报告,向国际同行介绍了氧化镓(β-Ga2O3)作为超宽禁带半导体材料在肖特基势垒二极管(SBD)、异质PN结二极管(PND)、场效应晶体管(FET)和功率IC等电力电子器件中的重要应用,系统介绍了Ga2O3基功率器件的发展,包括β-Ga2O3单晶衬底和外延膜生长,SBD、PND和MOSFET功率器件的仿真...
半导体芯片,到底是如何工作的?
双极型、单极型肖克利在1948年发明的结型晶体管,因为使用空穴与电子两种载流子参与导电,被称为双极结型晶体管(BipolarJunctionTransistor,BJT)。BJT晶体管有NPN和PNP两种结构形式:我们可以看出,BJT晶体管是在一块半导体基片上,制作两个相距很近的PN结。两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部...
英国纽卡斯尔大学工程学院高级研究员新著!《碳化硅器件工艺核心...
《碳化硅器件工艺核心技术》共9章,以碳化硅(SiC)器件工艺为核心,重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术,以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等,每一部分都涵盖了上百篇相关文献,以反映这些方面的最新成果和发展趋势。《碳化硅...
基础知识之二极管
单向TVS可用作LH等单极电路的保护器件,不适用于保护双极电路。双向TVS可以用于正负两极的保护,因此适用于保护双极电路和CAN等数据线路。此外,双向TVS也可用于保护单极电路。TVS与ZD的区别TVS和ZD在利用二极管的反向特性方面是相同的,但是由于ZD主要用于恒压应用,因此对电压稳定的低电流范围(5mA~40mA)规定了“齐...
【光电集成】半导体领域的光学应用:CIS关键工艺技术概览
1.深层光电二极管成型工艺技术在相同的芯片尺寸上要增加像素数量,就需要不可避免地缩小单一像素的尺寸。深层光电二极管的形成是防止图像质量下降的关键技术。为了在更小的像素中确保足够的满阱容量(fullwellcapacity,FWC),与半导体存储器相比,CIS需要采用难度更高的图像形成技术。尤其需要确保高纵横比(>15:1)植入...
基础知识之晶体管
根据工作原理不同分类,分为双极晶体管和单极晶体管(www.e993.com)2024年9月7日。双极晶体管双是指Bi(2个)、极是指Polar(极性)。双极晶体管,即流经构成晶体管的半导体的电流由空穴(正极性)和电子(负极性)产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETFieldEffectTransistor的简称,是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型FET...
【产业研究】高压快充趋势及产业链降本,加速碳化硅产业进展——新...
半导电型碳化硅主要用在功率器件上,主要面向电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等高压高温高频场景。功率器件又被称为电力电子器件,是构成电力电子变换装置的核心器件,功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将...
用于人体器官的无线生物电子器件丨Engineering
(b)该器件的无线功率收集器由一个带有Mg线圈、SiNM二极管和Mg/SiO2/Mg电容器的RF能量采集器组成。(c)采集器模拟散射参数与实测散射参数(S11)的比较。采集器的谐振频率约为5MHz。(d)具有三个独立储层和无线刺激器件的系统示意图。(e)比较以不同频率工作的三个采集器的模拟电压和实验测量电压,以证明最小的...
元器件科普之二极管学习和总结
半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型,也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内,根据PN结构造面的特点,把晶体二极管分类如下:1、点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。因此,其PN结的静电容量小,适用于高频...
常用的功率元器件大全
电力电子器件(PowerElectronicDevice),又称为功率半导体器件,用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)电子器件。可以分为半控型器件、全控型器件和不可控型器件,其中晶闸管为半控型器件,承受电压和电流容量在所有器件中最高;电力二极管为不可控器件,结构和原理简单,工作...