半导体需求火爆!韩国芯片库存以2009年以来最快速度减少

韩国统计厅周一公布的数据显示,上个月韩国的半导体库存以2009年以来最快的速度减少,这表明用于AI开发的高性能存储芯片的需求持续增长。数据显示,8月份韩国芯片库存同比下降了42.6%,比7月份同比下滑34.3%的降幅更大。与此同时,韩国8月份芯片产量和出货量分别增长了10.3%和16.1%,进一步表明半导体行业的景气周期,正持续...

固态硬盘和随机存取存储器,差别在哪里

固态硬盘(SSD)可以并行访问其存储单元,因此它们的速度远远快于传统硬盘。较旧的SATA硬盘的顺序读写速度约为550MBps,而最新的NVMe固态硬盘则可高达14,000MBps。它们的随机访问时间也要快得多,这正是现代个人电脑反应迅速灵敏的原因。SATA固态硬盘使用SATA电源和数据线连接,而NVMe固态硬盘则插入主板上...

动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)区别?

DRAM和SRAM主要有以下一些区别：速度：SRAM速度快，DRAM相对较慢。集成度：DRAM集成度高，可以在较小的空间内存储更多数据；SRAM集成度较低。成本：DRAM成本较低，SRAM成本较高。刷新：DRAM需要定期刷新来保持数据，SRAM则不需要刷新。功耗：一般情况下，SRAM的功耗相对较高，DRAM功耗较低。应用场...

供应链涨价、上游单季扭亏,“风向标”存储器加速回暖?

“现在不存在博弈,存储价格已经在涨。一些嵌入式内存产品的价格都快接近翻倍。”一名存储行业从业者对21世纪经济报道记者表示,只是他还有所顾虑,在全球消费趋势还没有明显改变环境下,这种涨幅能维持多久或许有待观察。“不过一季度肯定是在上涨,价格变动已经很明显。”在半导体行业众多细分市场中,存储器由于占比较大,...

性能强劲,电脑必备存储单品!铠侠SD10 PCIe4.0固态硬盘读写超快

因为有了全新的PCIe4.0技术加入，让读写速率都实现比同级较快，也比自身前代G2产品有了显著提升。NVMe1.4技术减少了SSD与CPU之间系统路径进出的延迟，实现平稳响应，持久耐用。一块固态硬盘能达到这样的高标准，对我而言照片的存储视频的剪辑和大容量素材的保存都能得到更好的应用，接下来我以实际工作状态来...

华为Mate70系列充电速度会迎来新突破吗?多款UFCS融合快充芯片为...

华为Mate70系列作为华为本年度的重磅产品,在屏幕、性能、影像、充电以及电池容量等方面都进行了全面的升级,在充电速度方面,预计Mate70全系列将支持50W无线快充,Mate70标准版支持100W的有线快充,Pro及以上版本支持120W的有线快充(www.e993.com)2024年11月23日。UFCS是由信通院、华为、OPPO、vivo、小米牵头,联合多家终端、芯片企业和产业界伙伴...

个人电脑中,RAM 速度到底重不重要?

在AdobePhotoshop2022中,较慢和较快的随机存取存储器之间存在显著的性能差异,尽管这些差异程度适中。在大多数游戏中,经测试的最快内存——6200MHzDDR5——甚至没有比最慢的2400MHzDDR4快太多。然而,《赛博朋克2077》和《杀手3》确实显示,6200MHz随机存取存储器分别实现了29%和15%的帧数提升。

中国存储技术重大突破!

中国存储技术重大突破!近日,复旦大学和清华大学团队在存储芯片上创下新突破。复旦团队研发超快闪存集成工艺,可实现20纳秒超快编程、10年非易失;清华大学团队则提出一种基于磁振子的新型逻辑器件,有望重构逻辑存储器。复旦团队研发超快闪存集成工艺,突破存储速度极限...

新一代AI应用的存储利器来临?

基于区域的4DS单元既表现出极快的写入速度,又表现出长保持时间,填补了迄今为止尚未解决的存储器领域的缺口。4DS与其他技术的对比为应用打开方便之门当传统的NAND闪存无法跟上工艺节点的进步时,MRAM、丝状ReRAM、PCRAM、FeRAM等技术正在努力成为下一代NV存储器。其中每一种都有其位置和用途——有些是汽车NVRA...

刷屏的Groq芯片能成为英伟达劲敌吗?专家:目前不行

不同于NvidiaGPU需要依赖高速数据传输,Groq的LPU在其系统中没有采用高带宽存储器(HBM)。它使用的是SRAM,其速度比GPU所用的存储器快约20倍。鉴于AI的推理计算相较于模型训练需要的数据量远小,Groq的LPU因此更节能。在执行推理任务时,它从外部内存读取的数据更少,消耗的电量也低于Nvidia的GPU。