集成电路国产离子注入机产业化取得成功,凯世通获采购订单近60台

目前凯世通正在积极对标国内集成电路产业发展新需求新应用,瞄准前沿集成电路工艺演进趋势,把握国产化机遇,推进包括SOI氢离子注入机、中束流离子注入机、超高能离子注入机等特色工艺设备落地,并加快面向特色工艺的SiC化合物半导体离子注入机的研发与应用。整机装备的突破与产业链的协同发展息息相关,凯世通在其中扮演了不可...

新技术发布!“万能离子刀”技术为8英寸SiC提供低成本方案

近日，上海微系统所异质集成XOI课题组自主研发了基于“万能离子刀”的碳化硅（SiC）复合衬底制造技术，SiC晶圆尺寸最大达到8英寸，并初步通过外延验证。该技术将高质量SiC单晶薄膜与低成本SiC衬底集成在一起，在满足高质量外延需求的同时，预期将使8英寸SiC衬底制造成本降低40%以上。技术方案的实施有望加速SiC功率器件低...

东尼电子、华润微等12家化合物半导体厂商业绩大PK

目前,江丰电子已经在化合物半导体材料领域取得进展,其控股子公司宁波江丰同芯已搭建完成国内首条具备世界先进水平、自主化设计的化合物半导体功率器件模组核心材料制造生产线,掌握了覆铜陶瓷基板DBC及AMB生产工艺,主要产品高端覆铜陶瓷基板已初步获得市场认可。其控股子公司晶丰芯驰正在全面布局碳化硅外延领域,碳化硅外延片产品...

SiC 对量子信息的好色之心 | Ising专栏

另外一个例子,展示了问题的另一个极端:也是薛老师他们,曾经制备出那个著名的MnBi2Te4(MBT),给本征磁性拓扑绝缘体提供了第一个现实的、单相层状化合物载体。其中,MnTe磁性层提供有效磁场、而Bi2Te3层提供拓扑绝缘体表面态。人们对此体系寄予厚望,因为其结构如此符合物理人的理想期待,似乎已水到渠成。遗憾的...

第三代半导体SiC动态涌现!

近日,化合物半导体动态频频,国家标准GB/T43885-2024《碳化硅外延片》正式对外发布,并将于今年年末开始实施。另外晶升股份研发出液相法碳化硅晶体生长设备,多家碳化硅企业完成新一轮融资,多个碳化硅项目迎来最新进展。8英寸企业集结,国家标准《碳化硅外延片》半年后实施...

SiC外延设备龙头签订8英寸碳化硅订单

同月,半导体离子注入解决方案供应商Axcelis也宣布其SiC高能注入机完成出货,用于6/8英寸SiC功率器件的生产···集邦化合物半导体Jenny整理??关于我们TrendForce集邦咨询是一家横跨存储、集成电路与半导体、晶圆代工、光电显示、LED、新能源、智能终端、5G与通讯网络、汽车电子和人工智能等领域的全球高科技产业研究机构...

英飞凌、芯联集成与汽车功率半导体Tier2的无限战争

目前,国内主要做衬底的厂商是天岳先进、天科合达、东尼电子、烁科晶体、同光晶体、世纪金光,晶盛机电,三安光电,露笑半导体等,外延厂商包括天域半导体、瀚天天成、中电化合物等。虽然SiC性能优越,但成本居高不下始终是一道难题。目前SiC器件价格大约是Si的4-5倍,且Si材料在生产工艺上更为成熟,生产周期更短,良率...

「IC风云榜候选企业220」衍梓装备:业内首款改进工艺SiC栅氧制备设备

在SiC制造领域，高温离子注入机、金属有机化合物化学气相沉淀MOCVD以及栅氧制备设备是SiC领域的三大核心设备。在团队全力攻关下，衍梓装备成功推出低缺陷SiC栅极氧化层制备设备。碳化硅器件在极端工作条件下的可靠性对于保证系统的稳定运行起着至关重要的作用，主要的问题有雪崩失效、短路失效和浪涌失效等。器件的短路失效...

万业企业接待1家机构调研,包括投资者

目前凯世通正在积极对标国内集成电路产业发展新需求新应用,瞄准前沿集成电路工艺演进趋势,把握国产化机遇,推进包括SOI氢离子注入机、中束流离子注入机、超高能离子注入机等特色工艺设备落地,并加快面向特色工艺的SiC化合物半导体离子注入机的研发与应用。感谢您的关注。Q:能不能介绍一下公司近期和第三代半导体技术研发...

芯联集成、华润微等12家化合物半导体厂商业绩大PK

中瓷电子现有SiC功率模块包括650V、1200V和1700V等系列产品8月29日晚间,中瓷电子发布了2024年半年度报告。2024年上半年,中瓷电子实现营收12.22亿元,同比下滑2.44%;归母净利润2.12亿元,同比下滑6.30%;归母扣非净利润1.70亿元,同比增长103.47%。中瓷电子业务分为化合物半导体器件及模块、电子陶瓷材料及元件两大方面...