介电常数及介质损耗测试主要原理及应用领域
介质损耗是指电介质在电场作用下,由于漏导和极化等因素造成电能转换成热能的现象。介质损耗的大小通常用介质损耗角正切,即tgδ来表示。介质损耗测试对于评估材料的电气性能至关重要,特别是在高压装置和高频设备中,过大的介质损耗会降低整机性能,甚至造成绝缘材料的热击穿??。介电常数及介质损耗测试仪广泛应用于材料...
测试液体/固体介质损耗、介质损耗因数、介质损耗角正切值的机器
2.液体介质损耗中性和弱极性液体介质(如变压器油)的极化损耗很小,其损耗主要由电导引起,因而其损耗率P0(单位体积电介质中的功率损耗)可用下式求得式中γ——电介质的电导率,S/cm;E——电场强度,V/cm。由于γ与温度有指数关系[参阅式(3-6)],故P0也将以指数规律随温度的上升而增大。例如变压器油在20...
...AFM:双金属咪唑类骨架衍生内建电场的层级工程以增强介电损耗
(iii)连续的碳基体和rGO提供了相当大的电导损耗来衰减电磁波。空心结构和构造良好的Mott-Schottky异质结也可以改善导电性,从而增强电导损耗。(iv)与电导损耗相比,极化损耗对吸波性能的提升贡献更大。特别是Cu-ZnO和rGO-ZnO双重BIEF增强了电荷分离和电荷分布,对界面极化产生了显著影响。作者简介:张世杰,博士,硕士生...
泛克斯特 ME8500绝缘油介质损耗及体积电阻率测试仪
二、主要技术指标1、测试电压范围:0~2000VAC0~500VDC2、测试温度范围:室温~120℃3、介质损耗因数测试范围:0.00001~1004、电阻率测量范围:2.5MΩ·m~100TΩ·m5、相对电容率测试范围:0~406、电容测试范围:50pF~200pF7、测量精度介质损耗因数:±(示值×0.5%+0.0001)电容:±(示值×0.5%...
油介质损耗增大的原因是什么呢?
1.油质老化程度较深油质老化将引起油中酸值的增大、油的粘度减小、界面张力的减小等。但目前油介质损耗因数偏大的变压器,绝大多数是运行时间不长的变压器,由老化引起油介质损耗因数升高比较少见。2.油的含水量增加引起介质损耗因数增大对于纯净的油来说,当油中含水量较低(如30~40μg/L)时,对油的tg8值...
电动压缩机设计-SiC模块篇
另一方面,在半桥应用电路中,由于SiCMOSEFT开关过程的dV/dt很高,通过另一个半桥SiCMOSEFT的Cgd产生的电流流过驱动电阻,在Vgs上产生一个电压,如果此电压高于Vth就会有误导通的风险,导致上下桥直通(www.e993.com)2024年10月17日。因此在驱动上增加负电压是有必要的。从下图可以看出,增加负电压还可以有效降低关断损耗,使系统效率进一步提升。使用...
制备高品质微波介质陶瓷的关键指标是什么
高Q有利于获得良好的滤波特性及通讯质量,品质因数Q主要受介质损耗(tanδd)、欧姆损耗(tanδc)和辐射损耗(tanδλ)等三个因素影响。Q-1=tanδd+tanδc+tanδλ对于微波介质材料,tanδc与tanδλ可忽略,Q约与tanδd成反比关系。由于微波介质谐振腔要求tanδd小于10-4量级才有实用价值,所以材料研究中如何...
污水流量计常见的三种电磁损耗
磁滞损耗:磁滞损耗是由磁性材料的磁滞特性引起的。线圈通交流电后,由于磁性材料的磁滞现象,磁通相位滞后于电流相位一定的角度(磁滞角)。当铁芯中的磁感应强度没有达到饱和时,磁滞损耗很小。因此,HD-LDE污水流量计的磁轭和铁芯采用高磁导率的电工硅钢片制成,硅钢片的轧制方向与磁力线方向一致,磁滞损耗大大降低,可以忽...
Chip中国芯片科学十大进展公布
北京大学彭海琳教授研究团队实现了世界首例二维半导体鳍片/高κ栅氧化物异质结阵列的外延生长及其三维架构的异质集成,并研制了高性能二维鳍式场效应晶体管。该工作解决了二维半导体/高κ栅介质精准合成与三维异质集成难题,突破了二维半导体应用于高性能低功耗芯片的关键瓶颈,为开发未来芯片带来新机遇。
中金| 智算未来系列十一:高速连接的桥梁,AI服务器连接器及线缆迎...
总线底层硬件由连接器及线缆构成,信号完整传输路径为:组件A向外部发送数据时,数据链路层(MAC,即介质访问控制)通过接口向PHY芯片传送数据,后者将接收到的并行数据转化为串行数据、并按照物理层的编码规则进行数据编码、再将数据变为模拟信号,通过静电放电保护器(ElectrostaticDischargeProtectionDevice,ESD)[1]、电容、...