高密度、高速10kV碳化硅(SiC)MOSFET功率模块

▍高压模块封装的其他挑战▍商用中压硅功率模块▍高压碳化硅功率模块▍设计具有系统集成解决方案的高密度、高速、10kV、60ASiCMOSFET模块1.消除外部反并联二极管2.堆叠绝缘基板三相点的电场降低局部放电(PD)测试局部放电起始电压(PDIV)堆叠基板结构的热影响3.使用钼柱和DBA互连4....