台积电3nm产能被苹果包场,AMD或将携手三星开辟新路径
AMD选择与三星合作开发3nmGAA技术芯片,无疑是一个明智的决策。这一合作不仅能够帮助AMD解决当前面临的产能问题,还有助于AMD在成本效益和能效方面取得更大的优势。通过与三星的紧密合作,AMD可以确保其在下一代芯片技术上的领先地位,并进一步扩大其在全球半导体市场的影响力。然而,对于台积电来说,AMD与三星的合作...
2nm GAA以及1.4nm皆在筹备中??! 三星芯片宏图重磅出炉 向台积电...
2nmGAA以及1.4nm先进制程正在积极筹备中芯片生产技术的进步,通常以晶体管尺寸越来越小为重要标志,有助于提高电子元件的核心性能。向更小尺寸的竞争以及掌握GAA技术可能是三星赢得人工智能处理器大订单的关键,人工智能处理器是目前使用的一些性能最高、价格最高的4nm以及5nm先进制程芯片,未来有望集中采用3nm甚至...
台积电又赢了?3nm争夺战三星已露败相 良率低成最大痛点
韩国媒体ChosunBiz援引分析称,三星的3nm制程最大问题在于良率和功耗控制方面逊于台积电10~20%,这可能使得三星错失了AI时代在先进制程上的先发制人优势。三星虽然在2022年6月率先宣布量产3nmGAA制程,但其第一代3nm制程的良率和功耗控制表现就并未达到预期,导致除三星自己的LSI事业部外,仅有一家中国虚拟货币挖矿...
三星3nm GAA完整晶圆遭遇难产,良率仅50%
尽管台积电已经吸引了长期客户苹果,并且未来的SoC据称将在更新的N3E工艺上进行量产,但三星的3nmGAA节点尚未启动,有报道称如果良率没有攀升至70%,高通不会下订单。三星已向中国客户交付了第一批3nmGAA,但新的报道称,这些芯片的真实形式并不完整,缺乏逻辑芯片中的SRAM。据说完整的3nmGAA晶圆很难生产,因此据说三...
3nm芯片,台积电的一道小坎
当然GAA的好处并不明显可能也是台积电的顾虑之一,三星此前谈到了3nmGAA制程,其比4nmFinFET在频率和功耗方面的优势,如下图所示,但图中并没有提供绝对值和相对值,其只是笼统地说,3nmGAA与4nmFinFET电晶体相比,在相同的有效通道宽度(Weff,fin/sheet的宽度×fin/sheet的个数)下,3nmGAA能够达成更高的频率...
台积电“攻防战”
率先转向3nmGAA在先进制程领域,三星相比台积电总是棋差一招(www.e993.com)2024年7月10日。例如,三星7nm量产之后,台积电宣布5nm量产,三星5nm量产之后台积电又宣布4nm试产,总是跟不上台积电的步伐。直到3nm节点,三星看到了追赶的机会。2022年6月,三星率先采用全环绕栅极GAA晶体管架构,发布了第一代3nm工艺,领先台积电量产,成为全球首个量产3nm...
台积电与苹果“对赌”3nm芯片,和三星决“生死”
一个信号是,三星于去年6月份正式宣布其已开始大规模生产基于3nmGAA制程工艺技术的芯片,作为对比,台积电的3nm,晚了一年,且用的还是FinFET工艺。在不考虑三星良率的情况下,摆在苹果等一众客户面前的3nm制造商的选择,有两个——三星和台积电。而台积电在先进工艺的代工上已经有了一家独大的势头。此前,6月份,有传...
3nm芯片:台积电和三星“决生死”,苹果隔岸观战丨亮见39期
在3nm节点,晶体管结构主要包括两种类型,可以看作是两条不同的技术路线。台积电仍在采用FinFET(鳍式场效应晶体管)技术,而三星在5nm阶段摒弃了FinFET结构,采用了IBM开发的全环绕栅极晶体管技术,即GAA(Gate-All-Around)技术。在GAA技术方面,三星还有一种改良版本,称为MBCFET。
3nm芯片战:台积电和三星“决生死”,英特尔凑热闹,苹果隔岸观火
在3nm节点,晶体管结构主要包括两种类型,可以看作是两条不同的技术路线。台积电仍在采用FinFET(鳍式场效应晶体管)技术,而三星在5nm阶段摒弃了FinFET结构,采用了IBM开发的全环绕栅极晶体管技术,即GAA(Gate-All-Around)技术。在GAA技术方面,三星还有一种改良版本,称为MBCFET。
冰火两重天:3nm先进制程受厂商追捧,但能否拯救手机市场?
郭明錤同时对高通表达了看法,他认为高通2024年3nm需求低于预期,因为华为将停止采购高通芯片,此外三星也会在自家手机应用自研Exynos2400SoC。三星3nmGAA、英特尔Intel20A节点(约等同台积电3nm)需求低于预期;三星、美光与SK海力士最快至2025~2027年才会有存储芯片的扩产计划。