环球晶圆取得控制硅熔融物中的掺杂剂浓度以增强铸锭质量专利

金融界2024年11月8日消息,国家知识产权局信息显示,环球晶圆股份有限公司取得一项名为“控制硅熔融物中的掺杂剂浓度以增强铸锭质量”的专利,授权公告号CN113272479B,申请日期为2019年9月。本文源自:金融界作者:情报员

通过引入碱金属离子揭示掺杂位点与光催化关系—新闻—科学网

该研究发现,通过提高掺杂浓度,可将碱金属掺杂位置由A位转变为相邻两Cs原子之间的间隙位。同时,掺杂最优浓度时,光催化产氢性能可提升约11倍,此时碱金属位于A位掺杂与间隙位掺杂的临界点。光反应过程中晶体结构表征证明了光催化性能的提升来源于掺杂位点—A位本身。机理研究表明间隙位掺杂会引起严重的晶格畸变,形成大量...

...C5NCl5 分子在Cu(111)表面上可自组装实现高浓度高有序氮掺杂...

因此,如何可控地生长制备高浓度、高有序的氮掺杂石墨烯是一个极富挑战性的难题。针对这一难题,崔萍博士与合作者通过第一性原理计算预言,利用C5NCl5分子在Cu(111)表面上自组装可获得高氮掺杂浓度(1/6)、氮原子排列更有序的石墨烯,并揭示了在生长过程中基于三种原子/分子间力的协同作用的原子尺度机理(如图所示)...

MH:多孔网状硼掺杂IrO2纳米针增强酸性析氧反应质量活性

结果表明,B-IrO2的OER质量活性为3656.3A·gIr??1,Ir负载为0.08mgIr/cm^2,分别是未掺杂IrO2纳米针网络(L-IrO2)和AdamsIrO2纳米粒子(a-IrO2)的4.02和6.18倍。密度泛函理论(DFT)计算表明,B掺杂适度提高了d带中心能级,显著降低了*O转化为*OOH的自由能垒,从而提高了本征活性。另一方面,B-IrO2的稳定...

界面掺杂调控取得重要进展:ZnO单纳米线光电性能实现优质集成

要实现纳米尺度的优质紫外光源,必须使ZnO纳米线同时拥有高效的带边发光和优良的电学性质,但现有的体掺杂方式难以同时满足上述要求。这是因为优良的电学性质要求材料通过掺杂提供浓度足够高的自由载流子,而过多的掺杂必将导致带边辐射复合效率的显著下降。左:ZnO单纳米线光电性能优质集成(左上)及其CVD再生长示意图(左下...

【科技自立自强】西安交大科研人员在卤基钙钛矿光催化领域取得进展

研究发现,通过提高掺杂浓度,可将碱金属掺杂位置由A位转变为相邻两Cs原子之间的间隙位(www.e993.com)2024年11月11日。同时,掺杂最优浓度时,光催化产氢性能可提升约11倍,此时碱金属位于A位掺杂与间隙位掺杂的临界点。光反应过程中晶体结构表征证明了光催化性能的提升来源于掺杂位点—A位本身。机理研究表明间隙位掺杂会引起严重的晶格畸变,形成大量...

江西萨瑞半导体申请缓启动功率MOS晶体管及其制备方法专利,增大其...

金融界2024年11月4日消息,国家知识产权局信息显示,江西萨瑞半导体技术有限公司申请一项名为“一种缓启动功率MOS晶体管及其制备方法”的专利,公开号CN118888598A,申请日期为2024年9月。专利摘要显示,本发明提供一种缓启动功率MOS晶体管及其制备方法,通过设置于N型外延层中的第一沟槽和与第一沟槽间隔的第二沟槽;...

唐本忠院士团队《AM》:小分子,大作为 —— 军官与士兵效应增强有...

c)不同摩尔比的TPP-4C-BI/TPP-4C-Cz混合物在聚乙烯醇(PVA)中掺杂浓度为5wt%[λex=310nm]的延迟磷光光谱(5ms)。d)在λmax=415nm处测得的相应PVA薄膜的三重态寿命,显示寿命递减,插图:激发的TPP-4C-Cz三重态可以将能量转移到TPP-4C分子的范围的3D示意图-双。

光伏行业深度报告:成结、镀膜、金属化,探究电池技术进步的本质

扩散有三个指标,分别是方阻、结深和表面浓度。方阻值的大小主要是表面浓度和结深的综合体现,它对电池片参数有三点主要影响:1)扩散P-N结的深度会直接影响对短波光线的吸收,所以在一定范围内,扩散P-N结越浅(也就是方阻值越高),电流值就越高;2)扩散磷元素的掺杂浓度在一定程度上会影响N型硅部分的导电...

...Mater. Lett.: 分子掺杂驱动的域电荷传输调制提高极性聚噻吩的...

图2.不同掺杂浓度的p(g32T-T)薄膜的结构分析。(a)2DGIWAXS图案;(b)GIWAXS线切割剖面,不同掺杂水平薄膜的面外(实线)和面内(虚线)方向;(c)与π-π堆叠方向相关的相干长度和次结晶。图3.p(g32T-T)薄膜的光谱学特征。(a)UV-vis-NIR光谱分析;(b)FTIR;(c)高分辨率硫2pXPS光谱;(d)掺杂p...