【破产】上海一20年半导体材料企业被宣告破产!龙芯中科GPGPU拟...

10月9日,韩国总统办公室宣布,美国政府已做出最终决定,在无需单独批准的情况下,三星电子和SK海力士可以向中国工厂供应美国半导体设备。此前美国政府宣布,打算通过出口管制当局和国家安全委员会(NSC)经济与安全对话渠道,将三星电子和SK海力士在中国的半导体工厂指定为“经过验证的最终用户”(VEU)。VEU是一种综合许可方式,...

太极实业---国资HBM半导体---猛干_太极实业(SH600667)_股吧_新浪...

公司半导体业务主要是为海力士的DRAM产品提供后工序服务。海力士是以生产DRAM、NANDFlash和CIS非存储器产品为主的半导体厂商,目前在韩国有一条8英寸晶圆生产线和两条12英寸晶圆生产线,在中国无锡有一条12英寸晶圆生产线。SK海力士是世界前三大DRAM制造商之一。国资---公司的最终控制人为无锡市国有资产管理委员会全部...

SK海力士旗下Solidigm产品信息变更,英特尔闪存品牌成历史

回溯至韩国时间10月20日，SK海力士与英特尔联合宣布已正式签署收购协议。根据协议条款，SK海力士将以90亿美元的价格收购英特尔的NAND闪存及存储业务部门。此次交易涵盖了英特尔的NANDSSD业务、NAND组件、晶圆业务以及位于中国大连的NAND闪存制造工厂。值得注意的是，英特尔将保留其独特的英特尔傲腾业务。收购计划按阶段进行，...

爱思开海力士申请半导体器件的专利,有利于制造存储单元

金融界2024年10月19日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件和用于制造其的方法”的专利,公开号CN118785722A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,公开了半导体器件和半导体器件的制造方法。在实施例中,一种半导体器件可以包括多个存储单元,多个存储单元中的每一...

爱思开海力士申请半导体器件及制造方法专利,提供半导体器件及制造...

金融界2024年10月19日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件以及制造半导体器件的方法”的专利,公开号CN118785719A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,提供一种半导体器件以及制造半导体器件的方法,所述半导体器件可以包

SK海力士揭秘半导体全球生产基地及应用领域

SK海力士在韩国拥有DRAM和NAND闪存生产基地,并计划建设面向AI的存储器工厂从清晨被智能手机上的闹钟唤醒开始,半导体存储器就在人们的日常生活中扮演着重要角色(www.e993.com)2024年11月25日。这些先进的存储解决方案是现代科技的基础,它们在日常生活中随处可见,如下列举一些示例:家居无论是浏览社交媒体、玩游戏还是进行任何手机操作,都离不开半导体...

重磅!“国家队”突然出手!半导体产业链也传来一则重磅收购

据悉,重庆芯联微电子有限公司成立于2023年,注册资本87亿元,经营范围包括集成电路设计、集成电路制造、集成电路芯片及产品制造、集成电路芯片设计及服务、半导体器件专用设备制造等。在国家大基金二期入股后,重庆芯联微电子有限公司共有五位股东,分别是重庆高新区智能制造产业研究院、重庆西永微电子产业园开发有限公司、国家...

消息称 SK 海力士半导体(中国)已被移出市场监管局经营异常名录

IT之家查询获悉，SK海力士半导体（中国）有限公司于2005年4月在江苏无锡投资设立，是韩国SK海力士株式会社的最大规模海外生产基地。该公司主要生产DRAM，产品应用范围涉及服务器、智能手机、计算机、消费电子等领域。今年5月消息称，SK海力士子公司SK海力士系统集成电路拟向无锡产业发展集团有限公司转让...

SK海力士DRAM价格涨60%-100%:AI技术推动半导体新增量

AI技术推动下,全球半导体行业尤其是DRAM和NANDFlash价格显著波动,季涨幅分别上修至13%-18%和15%-20%,SK海力士DRAM产品价格逐月上涨,累计涨幅达60%-100%。三花资产杨文帆认为,半导体设备和封测环节的国内企业展现出高投资价值,但也需培养耐心资本和信心资本,以支持产业长远发展。

三星、海力士押宝的HBM4会是半导体的未来吗?

11月,据韩媒中央日报(Joongang.co.kr)报道,韩国内存芯片大厂SK海力士正计划携手英伟达(NVIDIA)开发全新的GPU,拟将其新一代的高带宽內存(HBM4)与逻辑芯片堆叠在一起,这也将是业界首创。SK海力士已与英伟达等半导体公司针对该项目进行合作,据报道当中的先进封装技术有望委托台积电,作为首选代工厂。