NorFlash、NandFlash 和 eMMC 的比较

Ⅰ闪存的种类1.1NOR闪存NOR闪存是当今市场上的两大主要技术之一。英特尔于1988年率先开发出NOR闪存技术,在闪存失硬领域中,使EPROM(电可擦可编程只读存储器)和EEPROM(电可擦可编程只读存储器)的位置降级。然后,东芝在1989年发布了NANDFlash结构,强调降低每比特成本,并且具有更高的性能,并且可以像磁盘一样通过接...

存储芯片利好密集催化!龙头8天6板,A股上市公司闪存产品产能、市场...

存储芯片可分为掉电易失和掉电非易失两种，其中易失存储芯片主要包含静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）；非易失性存储器主要包括可编程只读存储器（PROM），闪存存储器（Flash）和可擦除可编程只读寄存器（EPROM/EEPROM）等。据财联社VIP盘中宝·数据栏目此前对存储芯片公司产品和产能的梳理，存...

什么是3D XPoint?为什么它无人能敌却又前景堪忧?

据悉,3DXpoint的延迟速度仅以纳秒计算,比NAND闪存速度提升1000倍,耐用性也更高,使得在靠近处理器的位置存储更多的数据成为可能,可填补DRAM和NAND闪存之间的存储空白。目前存储器存在的一些问题抛开和处理器紧密相关的高速缓存和寄存器不说,先来看内存和外部存储这两个级别。目前我们使用的内存主要是DRAM:DRAM的核心...

icspec干货 | STM32芯片的内部架构

DMA总线DMA总线也主要是用来传输数据,这个数据可以是在某个外设的数据寄存器,可以在SRAM,可以在内部FLASH。因为数据可以被Dcode总线,也可以被DMA总线访问,为了避免访问冲突,在取数的时候需要经过一个总线矩阵来仲裁,决定哪个总线在取数。内部的闪存存储器Flash内部的闪存存储器即FLASH,编写好的程序就放在这个地方。

数字存储完全指南 03|固态硬盘的历史、结构与原理

闪存分为两个类型,平时我们或许听过NAND和NOR闪存就是指这两个类型,从名字就可以看出它们是用原理对应的逻辑门来命名的,具体原理下面会讲。简单来讲就是之前那些ROM必须完全擦除才能重写,速度又慢又浪费寿命,而闪存可以做到按块/页进行擦除,写入和读取,而且可以做到很快速的擦除,闪存的名字是按照发明者...

使用SWD和OpenOCD对 Xbox 手柄的硬件调试与逆向分析

这些AP均由64个32位寄存器组成,其中一个寄存器用于标识AP的类型(www.e993.com)2024年11月25日。AP的功能和特性决定了如何访问和利用这些寄存器。你可以在此处找到有关某些标准AP的有关这些交易的所有信息。ARM接口规范默认情况下定义了两个AP,它们分别是JTAG-AP和MEM-AP,MEM-AP还包括用于与其连接的组件的发现机制。

对nRF52840片上系统的硬件调试与漏洞研究(part1)

在nRF51上,一旦启用RBPCONF保护,则使用调试器直接访问Flash或RAM只会返回零。但是,仍然可以控制代码的执行以及对寄存器(甚至程序计数器)的读写。因此,在受保护的内存中找到一个“gadget”,例如一条简单的加载字指令,即从某个寄存器中的地址读取内存到另一个寄存器,就足以提取整个固件。因此,可以物理访问基于nRF51的...

鸿蒙发布,华为老兵为你细数一部华为操作系统28年史

用C语言写好软件,通过C语言编译器产生汇编代码,通过汇编器再转成二进制执行代码。程序员要理解汇编代码以及与它的源C代码之间的联系,因为编译器隐藏了太多的细节如:程序计数器、寄存器(整数、条件码、浮点)等。这正是大徐的强项。在这里埋下了编译器的伏笔,今天的华为已经有了方舟编译器,可以手机跑得更快。8月...

速度提升2倍 英特尔迅盘技术深度解析_Intel笔记本电脑_笔记本评测...

·闪存的种类:NOR与NAND一般高速闪存模块分为两种规格,NORFlash和NANDFlash,它们均为非易失性闪存模块。NOR又称CodeFlash,有些类似于DRAM。它以存储程序代码为主,所以可以让微处理器直接读取,但晶片容量较低,主流容量为512MB。而NAND闪存则更像硬盘,它以存储数据为主,故又称DataFlash。它的特点是晶片容量...

CF卡的IDE总线适配器设计

CF+是CompactFlash的衍生技术规格,物理规格和CF完全相同。但CF+卡并不是CF卡那样的ATA闪存存储器,而主要是I/O设备,如CF串口卡、CF蓝牙、CFUSB卡、CF网卡、CFGPS卡、CFGPRS卡等。CF卡分为2类:TypeI和TypeII,二者只在物理外型上有所区别(见图2为TypeII型)。