全球最高级别321层闪存量产 读取性能提升13%

SK海力士公司近日宣布开始量产全球最高级别的321层1Tb(太字节)TLC(TripleLevelCell)4DNAND闪存。与上一代产品相比,这款新型闪存的数据传输速度和读取性能分别提升了12%和13%,同时数据读取的能效也提高了超过10%。SK海力士表示,他们从2023年6月起开始供应目前市场上的最高级别的上一代238层NAND闪存产品,并计划...

华为Mate50pro用的什么芯片 华为mate50pro是曲面屏吗?

Mate50系列中有多个不同的型号,包括华为mate50、华为mate50Pro、华为mate50X以及华为mate50保时捷设计版,其中保时捷设计版本会使用麒麟芯片,其他的几个型号基本上都是使用骁龙8Gen1(4G)芯片。预计Mate50系列中使用的麒麟芯片数量不多,因此可以购买到带有麒麟芯片的Mate50手机数量会很少。Mate50华为mate50...

三星计划2026年实现400层NAND闪存,2030年将超过1000层

目前存储行业似乎已进入“层层堆叠”的激烈竞争当中,三星的主要竞争对手包括了SK海力士和铠侠等。其中SK海力士也在开发400层的NAND闪存,目标是在2025年年底做好大规模生产的准备。三星的时间表其实差不多,大概在2026年初。在传统的NAND闪存芯片中,存储单元堆叠在外围电路上方,外围电路充当芯片的大脑。然而当层数超过300...

中科院院士支持孙凝晖院士的意见,中国芯片发展不能只靠华为垄断

在2020年的时候，华为跟长江存储合作，联合开发了一种SFS1.0的手机闪存芯片，应用在了华为mate40pro、pro+、RS上面。芯片是由长江存储提供的64层闪存颗粒，华为海思负责封装测试。这种闪存芯片的读取速度在当时是断崖式的领先，对比同期的UFS3.1，SFS1.0的读取速度是要明显强于UFS3.1，甚至已经达到了两年后UFS4...

复旦大学研究成果:闪存芯片突破8nm,速度提升1000倍

存储芯片分为DRAM内存、NANDFlash闪存等，这些广泛应用于各种电子产品之中，比如大家的电脑、手机，运行内存就是DRAM内存，存储空间（SSD硬盘）就是NAND闪存。目前在全球市场上，国产DRAM+NAND，合计份额，可能还不到5%，所以我们需要大量进口，而韩国的三星、SK海力士，美国的美光，这三大厂商，在存储芯片占了全球90%...

存储芯片业绩反转悄然而至?存储模组龙头细分产品“卖爆”Q4净利...

不论是当前业内一致看好的HBM，还是突然受爆炒的SRAM，实际都暗示着存储芯片赛道的不断升温(www.e993.com)2024年11月25日。就在本周一，国内封测龙头长电科技盘后公告，拟收购晟碟半导体80%的股权，收购对价约6.24亿美元。据悉，标的公司主要从事先进闪存存储产品的封装和测试，产品类型主要包括iNAND闪存模块，SD、MicroSD存储器等，产品广泛应用于...

闪存芯片将掀起新一轮涨价潮

NORFlash是一种基于NOR门结构的闪存,NOR是逻辑门电路中的"或非"门。NORFlash具有并行访问结构,这意味着每个存储单元都有一个地址,可以直接访问任何存储单元,这使NORFlash具有快速的随机访问能力,适用于执行代码和读取关键数据。与NANDFlash相比,NORFlash具有较低的存储密度和较高的成本,但具有读取速度快、芯片...

手机闪存是什么

1.**eMMC闪存**:eMMC(EmbeddedMultiMediaCard)是一种嵌入式多媒体卡,它将NAND闪存芯片和控制芯片集成在一个封装内,常用于中低端手机中。eMMC的读写速度相对较慢,但成本较低。2.**UFS闪存**:UFS(UniversalFlashStorage)是一种新型的闪存标准,它采用串行接口,具有更高的带宽和更低的延迟。UFS闪存通常...

绕过光刻机造8nm芯片?复旦大学突然宣布,外媒:大势已去了

也就是说在存储芯片领域,可以通过这种新工艺绕过光刻机直接造出8nm制程的闪存芯片!据悉目前该论文已经发表于国际权威期刊《自然》上面。要知道在目前的硅基闪存芯片领域,制程工艺的极限在15nm,只要低于15nm工艺就会十分不稳定,所以就连三星和SK海力士都没有追求更先进的制程工艺,而是通过多层堆叠来实现性能的提升。

存储芯片,中国什么时候能成?

NORFlash属于代码型闪存芯片,用来存储代码及部分数据,是终端电子产品种不可或缺的重要元器件,具备随机存储、可靠性高、读取速度快、可执行代码等特性,在中低容量应用时具备性能和成本上的优势。EEPROM则是一种支持电可擦除和即插即用的非易失性存储器,具有体积小、接口简单、数据保存可靠、可在线改写、功耗低等...