三星业内首先量产3bit 3D V-NAND闪存

3bitV-NAND闪存是基于三星第二代V-NAND芯片技术的最新产品,每片闪存芯片由32层垂直堆叠的存储单元组成,单片闪存的存储容量可达128Gb。利用三星独有的3D电荷捕获型栅极存储单元结构技术(3DChargeTrapFlash),各个存储单元把电荷存储在绝缘体中,并通过存储单元阵列一层接一层地向上垂直堆叠,制造出含有数十亿个存...

业界最高密度,西部数据预览 BICS8 2Tb QLC NAND 闪存芯片

一个闪存颗粒由多个闪存芯片堆叠封装而成，单芯片2Tb意味着西数可通过16层堆叠提供4TB容量颗粒，为未来128TB乃至256TB量级企业级固态硬盘铺平道路。西部数据闪存业务总经理罗伯特??索德伯里（RobertSoderbery）还在这场活动上展示了BICS82TbQLCNAND闪存芯片实物，该芯片的长度与一个指尖的宽度大...

语音芯片变体:OTP 与闪存及其含义

闪存芯片：推动创新：基于闪存的语音芯片代表了范式转变，提供标准化功能和卓越的成本效益。通过利用成熟的闪存技术，这些芯片消除了对不同存储容量的需求，确保了一致性和可扩展性。未来趋势和建议以GY148A-SOP8为代表的基于闪存的语音芯片预示着经济高效、以用户为中心的解决方案的新时代。随着闪存技术的进步，...

国产闪存芯片自给率有待进一步提升

Flash芯片可分为NORFlash(代码型闪存芯片)和NANDFlash(数据型闪存芯片),其中NANDFlash芯片(即NANDFlash存储晶圆颗粒或封装片)是最重要的存储器芯片之一。NANDFlash存储芯片主要用于实现数据信息存储功能,其一般需要与能够对数据信息存储、输入、输出等进行管理的主控芯片结合,闪存主控芯片作为与存储器芯...

关键闪存芯片供不应求 SSD价格或起飞在即

“关键闪存芯片”即多个NAND器件组成的NAND封装芯片。据了解，M.2-2280规格的单面固态硬盘需要4个3DNAND器件，目前这种规格的2TB和4TB产品普及率更高，该产品搭载的NAND芯片需要4个或8个3DNAND器件封装在一起，以确保高性能。但最近，一方面上游闪存厂商持续大规模减产，同时放缓升级制程工艺的节奏，另一方面，不少...

中国存储芯片崛起:三星内存和闪存一年亏损800亿!

中国存储芯片崛起:三星内存和闪存一年亏损800亿!三星前段时间公布2023财年业绩,预计2023财年三星收入将达到258.16兆韩圆(1.4兆),同比下降15%(www.e993.com)2024年11月22日。运营收益为6.54兆韩圆,较去年下降了85%。三星公司盈利大幅下降的原因很明显是由于三星公司的芯片产业衰退,其公司在2022年第四季的运营损失将达到750亿至8千亿元。

从英韧企业级主控看数据中心SSD的未来技术

但随着QLC的逐渐普及,未来闪存芯片单颗容量会很大,一个SSD里面的闪存颗粒数量不需要那么多,这就会产生一个严重的问题,一旦SSD内部没有这么多的闪存颗粒,并行度就会下降,导致性能上不去,这该怎么办?目前闪存厂商在想办法让NANDFlash内部提升并行度。主要做法是Plane数目会增加,同时PageSize变小(目前常规是16KB或者...

在美起诉半导体巨头,这家中国芯片公司什么来头?

存储芯片(又称半导体存储器),是以半导体电路作为存储媒介的存储器,它是智能手机、PC、AI服务器等消费电子核心支撑硬件。存储芯片分为闪存和内存两种。闪存主要包括NANDFlash、NORFlash,而内存主要为DRAM。在存储芯片领域,三星、美光、SK海力士号称“三巨头”,彭博数据显示,2021年三星电子、SK海力士和美光科技在全球...

存储芯片,中国什么时候能成?

NORFlash属于代码型闪存芯片,用来存储代码及部分数据,是终端电子产品种不可或缺的重要元器件,具备随机存储、可靠性高、读取速度快、可执行代码等特性,在中低容量应用时具备性能和成本上的优势。EEPROM则是一种支持电可擦除和即插即用的非易失性存储器,具有体积小、接口简单、数据保存可靠、可在线改写、功耗低等...

重大突破!这类芯片华为以后自己产

从拆解的结果来看,最重要的发现就是,一块NAND闪存芯片。他们称该芯片很可能由华为下属的海思半导体(HiSilicon)封装。另外,还有几个小组件,也是类似的情况。去年他们拆Mate60时,这些都还是用国外的配件,现在由华为自己制造。另一个就是麒麟9010处理器,他们称其为华为最先进的麒麟处理器,但很可能只是麒麟9000S处...