三星业内首先量产3bit 3D V-NAND闪存

3bitV-NAND闪存是基于三星第二代V-NAND芯片技术的最新产品,每片闪存芯片由32层垂直堆叠的存储单元组成,单片闪存的存储容量可达128Gb。利用三星独有的3D电荷捕获型栅极存储单元结构技术(3DChargeTrapFlash),各个存储单元把电荷存储在绝缘体中,并通过存储单元阵列一层接一层地向上垂直堆叠,制造出含有数十亿个存...

终将取代TLC 美光3D QLC闪存出货量猛增75%

美光表示,3D闪存目前供过于求,美光接下来会继续调整闪存产能,减产幅度将从一个季度前宣布的5%增加到10%。

三星推出采用3D V-NAND闪存的2TB便携式固态硬盘

环球科技综合报道三星今天宣布推出采用3DV-NAND闪存的2TB便携式固态硬盘PortableSSDT3,外形尺寸是2.9英寸x2.3英寸x0.4英寸(74x58x10.5毫米)。为了达到这么小的尺寸,三星采用48层V-NAND芯片,提供250GB、500GB、1TB和2TB四个容量。三星电子表示,客户反馈38克的PortableSSDT1拿在手里太轻,因此PortableSSD...

铠侠公布3D NAND闪存发展蓝图:目标2027年实现1000层堆叠

与此同时,铠侠也在推进其技术开发计划,尝试在存储单元上堆叠更多的层数,目标直指1000层。据PCWatch报道,近期铠侠公布了3DNAND闪存发展蓝图,目标2027年实现1000层堆叠。3DNAND闪存的层数从2014年的24层增加到2022年的238层,在8年内增长了10倍,在铠侠看来,以每年1.33倍的速度增长,到2027年达到1000层的水平是可...

全球NAND闪存行业下游需求扩大 3D、4D NAND为技术主流发展趋势

NAND闪存是一种通过在氮化硅的内部补集点捕获电子或空穴来存储信息的设备。在这种设备中，工作区和栅极间会留有通道供电流通过硅晶片表面，而根据浮置栅极中存储的电荷类型，便可进行存储编程(“1”)和擦除(“0”)信息的操作。同时，在一个单元内存储1个比特的操作被称为单层单元(SLC)。氮化硅内部捕获的电子数量...

铠侠雄心壮志,目标 2027 年 3D NAND 闪存实现 1000 层堆叠

IT之家6月28日消息,铠侠(Kioxia)结束为期20个月的NAND闪存减产计划,日本两座工厂生产线开工率提升至100%之后,上周披露了其3DNAND路线图计划(www.e993.com)2024年11月25日。根据PCWatch和Blocks&Files的报道,铠侠目标在2027年达到1000层的水平。

3D闪存哪家强:姜还是三星的辣 长江仅次之

近日,市场研究机构Techinsights对于三星、SK海力士/Solidigm、美光、铠侠(西部数据)、YMTC的200层以上的3DNANDFlash进行了对比分析,发现三星的垂直单元效率(VCE,verticalcellefficiency)是最高的。传统的NAND闪存单元采用平面晶体管结构,包括控制栅极(ControlGate)和浮动栅极(FloatGate)。通过向单元施加电压,电...

创见推出工业级 CFast 存储卡 CFX730/610,搭载 112 层 3D 闪存

IT之家5月24日消息,存储企业创见近日宣布推出两款工业级CFast2.0存储卡——CFX730和CFX610。IT之家注:CFast存储卡主要面向工业市场和摄影、摄像设备。其基于SATA协议,最新版本CFast2.0支持SATAIII6Gbps传输接口。这两款存储卡均搭载112层3D闪存,最大顺序读取速度550MB/...

3D NAND,只能堆叠?

英特尔闪存开发总监GregAtwood说:“目前尚不清楚是否存在或即将出现能够挑战浮动栅极的技术。”可以看到,20年前,各家对NAND的下一步提出了不同看法,最终,NAND闪存行业放弃了传统的扩展方式。首批商用3DNAND产品于2013年推出,堆栈数量为24个字线层(128Gb)。根据供应商的不同,结构存在差异,以不同的...

超长寿命不可思议!长江存储QLC闪存已做到4000次PE

快科技3月22日消息,近日的中国闪存市场峰会上,长江存储展示了一系列产品和技术解决方案。虽然因为种种原因,太多东西不能说,但依然有惊喜。比如新一代QLC3DNAND闪存,内部代号“X3-6070”,就有着极为优秀的素质,可满足企业级、消费级、嵌入式全场景的应用需求。