上海华力集成电路制造有限公司申请超级闪存及其制造方法专利,改善...

上海华力集成电路制造有限公司申请超级闪存及其制造方法专利,改善器件擦除性能金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“超级闪存及其制造方法”的专利,公开号CN118946147A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,本发明公开了一种超级闪存,器件单元包括位于源区...

深科技申请对闪存数据进行保存、读取、擦除的方法专利,提升闪存...

专利摘要显示,本发明公开了一种对闪存数据进行保存、读取、擦除的方法,包括在有新的数据包需要保存时,读取B区域中保存的A区域最新数据包所在的地址信息,作为当前地址信息;根据当前地址信息生成数据包保存地址信息;利用数据包保存地址信息保存该需要保存的新的数据包;保存成功后,将B区域记录的数据包数量增加1...

中芯集成-U申请一种闪存单元及其制备方法专利,增强擦除性能

专利摘要显示,本申请公开了一种闪存单元及其制备方法,包括:提供基底,并在基底的表面形成浮栅材料层;在浮栅材料层的表面上形成具有开口的硬掩模层,开口露出浮栅材料层预定用于形成浮栅的浮栅区域;去除开口中露出的部分浮栅材料层,以形成内凹槽,其中内凹槽的内表面呈弧面状;以硬掩模层为掩膜,对开口露出的浮栅材料层进行...

芯天下取得抑制闪存过擦除专利,使擦除存储单元可在不修复的情况下...

专利摘要显示,本发明公开了一种抑制闪存过擦除的方法、装置、电子设备及存储介质,其中,方法包括:在对芯片中选中的存在过擦除问题的存储单元进行读取或校验数据操作时,对选中的存储单元的Bulk端施加负压和/或对同一位线上未选中的存储单元的字线端施加负压和/或对选中的存储单元的源端施加正压;该方法提供了“对选中...

为什么QLC可能是NAND闪存的绝唱?

NAND闪存硅片上的布线和结构。来源:CyferzNAND闪存之所以被这样称呼,原因很容易从单元的连接方式看出,位线和地之间有多个单元串联(串)。NAND闪存使用FNT进行写入和擦除单元,由于其布局,必须始终以页面(字符串集合)进行写入(设置为「0」)和读取,而擦除则在块级别(页面集合)上执行。

...长电科技巨资收购全球第二大NAND闪存供应商子公司股权后应声涨停

据悉，西测测试采用算法图形和APG技术实现存储器地址自动累加、翻页功能，实现了对EEPROM、SRAM、NORflash等存储芯片读写擦除功能的自动测试(www.e993.com)2024年11月23日。据财联社不完全统计，截至发稿，包括恒烁股份、思科瑞、炬芯科技、兴森科技、中科蓝讯、东芯股份、普冉股份、北京君正、复旦微电、博敏电子、旋极信息等累计超10家上市公司在...

存储芯片,中国什么时候能成?

NORFlash属于代码型闪存芯片,用来存储代码及部分数据,是终端电子产品种不可或缺的重要元器件,具备随机存储、可靠性高、读取速度快、可执行代码等特性,在中低容量应用时具备性能和成本上的优势。EEPROM则是一种支持电可擦除和即插即用的非易失性存储器,具有体积小、接口简单、数据保存可靠、可在线改写、功耗低等...

为什么都2024年了,日本才淘汰软盘?

随后,休斯飞机工程师EliHarari发明了EEPROM,意为“可擦除可编程只读存储器”,它的最大特点,是不再需要紫外光,只需要在特定引脚上施加高电压即可写入或擦除数据。于是,EEPROM被广泛用于存储电脑BIOS数据。在EEPROM基础上,东芝公司一名工程师发明了FlashMemory(闪存)技术,揭开了使用半导体芯片大规模存储数据的序幕,...

DIY从入门到放弃:“写放大”拿捏了你的SSD寿命!

接下来要说的是,SSD的写入机制和机械硬盘是完全不同的,NAND闪存是不能直接覆盖已有数据的,如果要写入的区块有文件,就需要先擦除掉原来的文件,才能重新写入。但是这又会带来一个问题,那就是SSD的写入最小单位是页(page),而最小的擦除单位却是块(block),也就导致了当用户要更新一小部分数据时,SSD需要擦除整...

九种计算机内存类型

光存储是使用激光从CD、DVD和蓝光光盘等光介质中存储和检索数据的存储的总称。大多数光存储光盘都是读/写的,允许您反复擦除新信息并将新信息重新刻录到其表面,但需要专门的驱动器。光驱的工作原理是发射低能激光束来扫描旋转的光存储介质的表面。写入和读取过程的速度取决于光盘的旋转速度。在微观层面上,光盘具...