讲透三极管_手机新浪网
放大状态下Ic并不受控于Vc,Vc的作用主要是维持集电结的反偏状态,以此来满足三极管放大态下所需要外部电路条件。对于Ic还可以做如下结论:Ic的本质是“少子”电流,是通过电子注入而实现的人为可控的集电结“漏”电流,因此它就可以很容易地反向通过集电结。5、Ic与Ib的关系接着上面的讨论,集电极电流Ic与集电极...
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
根据发射结和集电结的偏置状态,可以定义三极管的几个不同的工作区。截止区:当发射结电压小于导通电压(约0.6-0.7V),发射结没有导通,集电结处于反向偏置,三极管没有电流放大作用,相当于一个断开的开关。放大区:当发射结电压大于导通电压,发射结正偏,集电结反偏,三极管的基极电流控制着集电极电流,集电极电流与基...
集成电路技术的根本——晶体管的故事
晶体管的导通内阻很小(相当于开关被接通),集电极与发射极之间的电压低于发射结电压,集电结也由反偏状态变为正偏状态。晶体管的主要分类及型号高频晶体管高频晶体管(指特征频率大于30MHZ的晶体管)可分为高频小功率晶体管和高频大功率晶体管。常用的国产高频小功率晶体管有3AG1~3AG4、3AG11~3AG14、3CG3...
双极晶体管基础知识解析
由于在基极开路时,集电结是反偏、发射结是正偏的,即BJT处于放大状态。温度对的影响:是集电结加反向电压时平衡少子的漂移运动形成的,当温度升高时,热运动加剧,更多的价电子有足够的能量挣脱共价键的束缚,从而使少子的浓度明显增大,增大。温度每升高10时,增加约一倍。硅管的比锗管的小得多,硅管比锗...
晶体管的工作状态判断和工作条件
三极管工作在截止区时,发射结与集电结均为反偏,而在实际的电路中,发射结也可以是零偏置。这样对于小功率NPN型三极管,呈现为Vbe≤0,Vbc《0V(具体数值主要决定于电源电压Ec);对于小功率NPN型三极管,呈现为Vbe≥OV,Vbc≥0V,此时的Vce≈Ec,如果我们检测出电路中晶体三极管间电压为上述情况,则可判断该三极管工...
电力双极型晶体管
当集电结和发射结处于反偏状态,或集电结处于反偏状态,发射结处于零偏状态时,管子工作在截止区;当发射结处于正偏、集电结处于反偏状态时,管子工作在放大区;当发射和集电结都处于正偏状态时,管子工作在饱和区(www.e993.com)2024年9月11日。GTR在电力电子电路中,需要工作在开关状态,因此它是在饱和和截止区之间交替工作。
这篇把三极管工作原理分析透彻了!
这就导致了以上我们所说的结论:反偏时少数载流子反向通过PN结是很容易的,甚至比正偏时多数载流子正向通过PN结还要容易。这个结论可以很好解释前面提到的“问题2”,也就是教材后续内容要讲到的三极管的饱和状态。三极管在饱和状态下,集电极电位很低甚至会接近或稍低于基极电位,集电结处于零偏置,但仍然会有较大的集电...
10个问题,让你真正学懂三极管
当发射结正偏且集电结反偏时,三极管处于放大工作状态。发射结正偏,发射结导通,由于发射区自由电子浓度较高,所以进入基区P型半导体的自由电子也多,基区电场增大。此时,虽然集电结反偏,但由于基区电场大于集电区,所以基区部分电子突破集电结耗尽层,产生漂移运动,进入集电极,使得集电结导通,产生Ic。
科普:电子技术的主要知识
晶体二极管简称二极管,是在本征半导体基片上利用掺杂生成一个P区和一个N区,并在P区和N区安上电极引线,再用外壳(管壳)封装加固后构成的。2、二极管的分类1)根据基片材料分类根据基片材料不同,二极管分为锗二极管和硅二极管。锗二极管以本征锗材料为基片,硅二极管以本征硅材料为基片。
5G射频芯片中的半导体|慧智微论坛
图:正偏及反偏下的p-n结从“晶体管”开始,直到改变世界只是用p-n结二极管,还不足以设计集成电路。在半导体物理的基本原理被人类掌握之后,人类就开始用半导体材料设计制造一些特殊器件。比如:利用半导体导电性能与温度之间的关系,可以设计出热敏电阻,来感知温度变化;利用有些半导体导电性能与光照之间的关系,可...