??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

电阻元件的电阻值大小一般与温度,材料,长度,还有横截面积有关,衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数,其定义为温度每升高1℃时电阻值发生变化的百分数。导体的电阻通常用字母R表示,电阻的单位是欧姆(ohm),简称欧,符号是Ω(希腊字母,读作Omega),1Ω=1V/A。比较大的单位有千欧(kΩ)、兆欧(MΩ)(兆=百...

MOS管的核心参数解析(导通电阻与栅极电荷)

对于功率MOSFET来说,导通电阻与栅极电荷互为权衡(trade-off)关系,因为对于同一个器件结构来说,可以通过并联更多重复单元来降低导通电阻,但会导致栅极电荷相应地增加;反之减少器件并联的重复单元数,可以使得器件的栅极电荷变小,但其导通电阻会增大。因此,器件的导通电阻与栅极电荷的乘积优值(即品质因数,FigureofMerit...

MOS管G极与S极之间的电阻作用

t2→t3:Vgs增大到一定程度后,出现米勒效应,Id已经达到饱和,此时Vgs会持续一段时间不再增加,而Vds继续下降,给Cgd充电,也正是因为需要给Cgd充电,所以Cgs两端电压变化就比较小(MOS管开通时,Vd>Vg,Cdg先通过MOS管放电,而后再反向充电,夺取了给Cgs的充电电流,造成了Vgs的平台);t3→t4:Vgs继续上升,此时进入可变电阻...

MOS管GS电阻有什么作用?

t2→t3:Vgs增大到一定程度后,出现米勒效应,Id已经达到饱和,此时Vgs会持续一段时间不再增加,而Vds继续下降,给Cgd充电,也正是因为需要给Cgd充电,所以Cgs两端电压变化就比较小(MOS管开通时,Vd>Vg,Cdg先通过MOS管放电,而后再反向充电,夺取了给Cgs的充电电流,造成了Vgs的平台);t3→t4:Vgs继续上升,此时进入可变电阻...

Boost升压电路原理讲解

对于Boost电路,电容的阻抗和输出电流决定了输出电压纹波的大小。电容的阻抗由三部分组成,即等效串联电感(ESL),等效串联电阻(ESR)和电容值(C)。在电感电流连续模式中,电容的大小取决于输出电流、开关频率和期望的输出纹波。在MOSFET开通时,输出滤波电容提供整个负载电流。

MOS管及其外围电路设计

常用的mos管驱动电路结构如图1所示,驱动信号经过图腾柱放大后,经过一个驱动电阻Rg给mos管驱动(www.e993.com)2024年11月14日。其中Lk是驱动回路的感抗,一般包含mos管引脚的感抗,PCB走线的感抗等。在现在很多的应用中,用于放大驱动信号的图腾柱本身也是封装在专门的驱动芯片中。本文要回答的问题就是对于一个确定的功率管,如何合理地设计其对应的驱动...

吃透MOS管,看这篇就够了

6、在开关电源电路中;大功率MOS管和大功率晶体三极管相比MOS管的优点;1)、输入阻抗高,驱动功率小:由于栅源之间是二氧化硅(SiO2)绝缘层,栅源之间的直流电阻基本上就是SiO2绝缘电阻,一般达100MΩ左右,交流输入阻抗基本上就是输入电容的容抗。由于输入阻抗高,对激励信号不会产生压降,有电压就可以驱动,所以驱动功率极...

MOS管烧了,可能是这些原因

MOS管对过压的耐受性非常小,即使超出额定电压仅几纳秒,也可能导致设备损坏。MOS管的额定电压应保守地考虑预期的电压水平,并应特别注意抑制任何电压尖峰或振铃。长时间电流过载由于导通电阻相对较高,高平均电流会在MOS管中引起相当大的热耗散。如果电流非常高且散热不良,则MOS管可能会因温升过高而损坏。

mos管怎么测试好坏

**电阻测试**:将万用表调至电阻模式,测试MOS管的漏源电阻。正常情况下,漏源之间应具有高电阻值,读数应以兆欧为单位。若读数远小于数据表上的值或为零,则表明MOS管存在故障。###2.使用示波器测试示波器可以显示MOS管输入和输出之间的波形,从而帮助判断其工作状态。将示波器的探头分别连接到MOS管的输入和输...

教你用示波器精确定位CAN/CANFD各种错误帧

当节点A想要驱动总线的时候(TX=0),它同时把内部的上下两个MOS管导通,整个网络的电流流向:节点A的5V电源经二极管、24Ω、两颗终端电阻并联、24Ω、二极管回到节点A的地,总线这个状态称之为显性。CAN总线上的电压实际上就是终端电阻的分压。从节点B来看,CAN-H就变成3.5V,CAN-L变成1.5V,拉出了总线H-L=...