MOS管驱动电流估算

在设计驱动电路的时候,一般在MOS管前面串一个10Ω左右的电阻(根据测试波形调整参数)。这里要注意的是要用Qg来计算开启关断速度,而不是用栅极电容来计算。下面讲讲MOS管开通过程开始给MOS管Cgs充电,当电压升到5V时,Id流过一定的电流。继续充电,Id越来越大,但还没完全导通。当Id升到最大电流时,Id不再变化,...

MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算

a.**ID(持续漏极电流)**:该参数含义是mos可以持续承受的电流值,在设计中,产品的实际通过电流值应远小于该值,至少应小于1/3以下,例:该mos管的使用持续电流应小于50A。b.**PD(mos管的最大耗散功率)**:该参数是指设计中,实际通过mos管的电流与漏源两端的电压差值乘积,不应大于该值。所以该值的很大...

吃透MOS管,看这篇就够了

此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小,控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小。这就可以得出如下结论:1)MOS管是一个由改变电压来控制电流的器件,所以是电压器件。2)MOS管道输入特性为容性特性,所以输入阻抗极高。4、MOS管的电压极性和符号规则;图1-4-A是N沟道MOS管的符号,图中D是漏极...

MOS管及其外围电路设计

该电流igd会流过驱动电阻Rg,在mos管GS之间又引入一个电压,当该电压高于mos管的门槛电压Vth时,mos管会误开通,为了防止mos管误开通,应当满足:式(6)给出了驱动电阻Rg的上限值,式(6)中Cgd为mos管gd的寄生电容,Vth为mos管的门槛电压,均可以在对应的datasheet中查到,dV/dt则可以根据电路实际工作时mos的DS电压和...

大功率的电动车转换器DC36-72V转DC12电流20AH拆解维修

检测发现mos管击穿,遂拆下两个mos管进行晶体管测试仪测试,是N沟mos管。另一个mos即击穿。找了一个小功率的进行代换,老规矩极性要正确。拆下的好的80N80功率管。手里只有13N50的,先进行测试看看是否只有mos管损坏。另外一个是20100ct双二极管。

解析开关电源的冲击电流的几种控制方法

其中Vth为MOS管Q1的最小门槛电压,VD2为二极管D2的正向导通压降,Vplt为产生Iinrush冲击电流时的栅源电压(www.e993.com)2024年11月10日。Vplt可以在MOS管供应商所提供的产品资料里找到。3.2.3MOS管选择以下参数对于有源冲击电流限制电路的MOS管选择非常重要:1、漏极击穿电压Vds...

功率半导体行业深度报告:能源变革大时代,功率器件大市场

封装测试有以下挑战：1）在封装环节，要选择键合引线、模具、框架等材料；2）要平衡功率半导体模组的散热问题和可靠性；3）缺乏车规试验条件或者测试经验，不知道怎么设定具体试验参数。SJMOSFET、IGBT还有碳化硅MOSFET，这些都属于中高端功率半导体器件。国内的厂家呢，在器件设计、晶圆制造工艺以及封测环节，都或多或少...

如何让MOS管快速开启和关闭

大家常用的PWM芯片输出直接驱动MOS或者用三极管放大后再驱动MOS的方法,其实在瞬间驱动电流这块是有很大缺陷的。比较好的方法是使用专用的MOSFET驱动芯片如TC4420来驱动MOS管,这类的芯片一般有很大的瞬间输出电流,而且还兼容TTL电平输入,MOSFET驱动芯片的内部结构如下:...

MOS管开关电路设计,用三极管控制会烧坏?

如何改善这个问题呢?有两个方式,一种是在后端串联二极管。防止后端电压电流串扰的电路优点,电路简单,BOM成本低!缺点,二极管动态负载电阻大,特别不适合后盾负载变化大的!另外一种,便是后端串联一个同规格的MOS管!防止后端电压电流串扰的电路优点,MOS管开通电阻极小,对于后端负载电流变化不敏感。

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

IOL和IOH表示输出为低、高电平时的电流值,同样-号表示从器件流出的电流。4上下拉电阻上拉是对器件输入电流,下拉是输出电流;强弱只是上拉电阻的阻值不同,没有什么严格区分;对于非集电极(或漏极)开路输出型电路(如普通门电路)提升电流和电压的能力是有限的,上拉电阻的功能主要是为集电极开路输出型电路输出电流通...