纳芯微获29家机构调研:公司推出集成LIN总线物理层和小功率MOS管...
公司推出集成LIN总线物理层和小功率MOS管阵列的单芯片车用小电机驱动系统级芯片(SoC)--NSUC1610,可应用于热管理系统中的电子水阀、空调电子出风口等场景,该产品已经在客户端送样。在通用信号链方面,公司围绕汽车应用量产了车规级的CANFD接口芯片、车规级的LIN接口芯片、车规级的PWMBuffer芯片、车规级的I2CI...
干货|内阻很小的MOS管为什么会发热?
MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性,不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应,因此在开关应用中,MOS管的开关速度应该比三极管快。我们经常看MOS管的PDF参数,MOS管制造商采用RDS(ON)参数来定义导通阻抗,对开关应用来说,RDS(ON)也是最重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON)与栅极...
国芯思辰|电子小烟专用MOS管:安森德ASDM3400ZA
本篇文章主要介绍一款电子小烟专用MOS管,以供电子烟研发工程师参考。安森德ASDM3400ZA是一款中低压场效应管(MOS管),可替代美国万代(AOS)的AO3400A和德州仪器(TI)的REF3040。ASDM3400ZA特点●沟道功率低压MOSFET技术●低RDS(ON)的高密度单元设计●高速开关●提供SOT23封装ASDM3400ZA主要参数类型:N沟道漏...
「硬见小百科」一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系
三极管放大导通条件是《发射结正偏,集电结反偏》就非常容易理解了,上一张三极管的特性曲线。这里涉及了饱和区的问题,三极管工作在饱和区时Vce很小,有人说饱和区条件是发射结正偏,集电结也正偏,这很容易让人误解;发射结正偏导通没问题,但集电结并没有达到正偏导通,若集电结正偏导通,就跟两个二极管放一起...
干货|功率mos管为何会被烧毁?
Gs极加电容,减慢mos管导通时间,有助于减小米勒振荡。防止mos管烧毁。过快的充电会导致激烈的米勒震荡,但过慢的充电虽减小了震荡,但会延长开关从而增加开关损耗。Mos开通过程源级和漏级间等效电阻相当于从无穷大电阻到阻值很小的导通内阻(导通内阻一般低压mos只有几毫欧姆)的一个转变过程。
士兰微2021净利近15亿有望创新高 公司产能承压高端Mos管供不应求
1月21日晚间,财联社记者从士兰微获悉,公司目前订单饱满,产能压力较大,尤其是高端Mos管供不应求,无法满足大客户需求(www.e993.com)2024年7月31日。1月21日下午,士兰微披露2021年年度业绩预增公告,预计净利比上年增加14.5亿元-14.64亿元,同比增长2145%-2165%。财联社记者关注到,2021年士兰微筹划了股票期权激励计划,业绩目标为2021-2024...
年报预增21倍,功率半导体龙头全年净利创新高,高端Mos管供不应求
原标题:年报预增21倍,功率半导体龙头全年净利创新高,高端Mos管供不应求来源:财联社产品优化产线满产、产品综合毛利率显著改善,令士兰微(21.070,0.44,2.13%)(600460.SH)2021年净利有望创历史新高,其业绩增幅也位列目前A股半导体公司榜首。而公司持有的其他非流动金融资产增值也成为另一关注点。1月21日晚间,财联社...
详解mos管原理及几种常见失效分析
无论N型或者P型mos管,其工作原理本质是一样的。mos管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。mos管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性,不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应,因此在开关应用中,mos管的开关速度应该比三极管快。
干货|如何让MOS管快速开启和关闭?
由此我们可以知道,如果想在更短的时间内把GS电压拉高或者拉低,就要给MOS管栅极更大的瞬间驱动电流。大家常用的PWM芯片输出直接驱动MOS或者用三极管放大后再驱动MOS的方法,其实在瞬间驱动电流这块是有很大缺陷的,比较好的方法是使用专用的MOSFET驱动芯片。
MOS管工作原理,就是这么简单
4.MOS管工作原理MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电...