科学家打造碳纳米管晶体管,解决碳纳米管均匀可控掺杂难题
其四,掺杂引起的杂质和缺陷:掺杂过程中可能会引入杂质和缺陷,这可能会在一定程度上影响纳米管的导电性能。所以,需要找到新的掺杂方法,以便最大程度地降低对于碳纳米管结构的不利影响。其五,工艺一致性:在制造过程中保持一致的工艺条件,对于掺杂的成功起着重要作用。温度、化学气体或其他制造参数的变化,可能会导...
科学家打造碳纳米管晶体管,兼容已有半导体制程工艺,解决碳纳米管...
对碳纳米管进行精确的局部掺杂,可以实现电学性质的调整,期间涉及到选择适当的掺杂剂、掺杂浓度和掺杂位置。同时,确保这些过程对于纳米管整体结构和性能的影响最小化,也是一个复杂的问题。其二,掺杂一致性:在制造过程中,确保在不同器件之间和同一器件内部实现一致的掺杂水平是至关重要的。器件一致性的差异可能导致性能...
如何建一个200亿美元的晶圆厂?|晶体管|台积电|洁净室_网易订阅
随着晶体管的缩小,英特尔发现,即使是最无害的设备变化(例如使用稍长的管道或电缆)也可能导致新工厂的工艺中断,并导致数月或数年的良率下降。为了解决这个问题,英特尔制定了一个名为“CopyEXACTLY”的流程。新工厂将尽可能与现有工厂相同,甚至包括墙壁油漆的颜色和品牌。因此,现代半导体工厂必须创造一个具有令人难...
【产业研究】高压快充趋势及产业链降本,加速碳化硅产业进展——新...
为其导电性的主要来源;P型碳化硅外延晶片是在生长外延层的过程中使用铝(Al)元素进行掺杂形成,铝和碳结合后,会缺失一个电子,形成空穴,而空穴吸引束缚电子移动使得P型碳化硅外延晶片具有导电性;PN多层碳化硅外延晶片是指在衬底上生长两层或数层外延,每层外延生长分别用氮元素或铝元素进行掺杂,形成...
极端制造 | 原子层半导体和传统半导体比较一致性分析及异构集成的...
TMD晶格中的缺陷通常会带电以保持电中性,从而产生掺杂效应,例如由硫族空位引起的n掺杂。图2(f)显示,通过Ar等离子体处理的触点,WSe2晶体管表现出改进的n型行为以及与电极更好地接触。含有不同官能团的硫醇分子可以用来改变含VS的MoS2的性能,如图2(g)所示。缺陷的化学敏感性也可以用于化学传感。硫属空位也可以...
「硬见小百科」一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系
这里涉及了饱和区的问题,三极管工作在饱和区时Vce很小,有人说饱和区条件是发射结正偏,集电结也正偏,这很容易让人误解;发射结正偏导通没问题,但集电结并没有达到正偏导通,若集电结正偏导通,就跟两个二极管放一起没区别;集电结的正偏电压阻碍基区少子向集电极漂移,正偏越厉害,少子向集电极运动越困难,即Ic...
晶体管发展历史
平面晶体管的基区一般都是采用杂质扩散技术来制作的,故其中杂质浓度的分布不均匀(表面高,内部低),将产生漂移电场,对注入到基区的少数载流子有加速运动的良好作用。所以平面晶体管通常也是所谓漂移晶体管。这种晶体管的性能大大优于均匀基区晶体管。传统的平面型晶体管技术,业界也存在两种不同的流派,一种是被称为传...
双极性晶体管基础知识详解
晶体管的内部结构决定了它适合在正向放大区工作,所以反向工作区的共基极电流增益和共射极电流增益比晶体管位于正向放大区时小得多。这种功能上的不对称,根本上是缘于发射极和集电极的掺杂程度不同。因此,在NPN型晶体管中,尽管集电极和发射极都为N型掺杂,但是二者的电学性质和功能完全不能互换。发射极区域的掺杂...
后摩尔时代的碳基电子技术:进展、应用与挑战
半导体性碳纳米管具有高迁移率、超薄体等诸多优异的电学特性,因此成为后摩尔时代新型半导体材料的有力候选。基于碳纳米管的碳基电子技术历经二十余年发展,在材料制备、器件物理和晶体管制备等基础性问题中也已经取得了根本性突破,其产业化进程从原理上看已经没有不可逾越的障碍。因此,本文将着重介绍碳基电子技术在后...
晶体管的发展史:技术如何逼近极限?
早期的MOS制造工艺始于源区和漏区的定义和掺杂。然后,使用限定了栅极氧化物区域的栅极掩模,该栅极氧化物区域随后将形成铝金属栅极。这种制造工艺的主要缺点之一是,如果栅极掩模未对准,则会产生寄生重叠输入电容Cgd和Cgs,如图2(a)所示。电容Cgd更有害,因为它是反馈电容。由于米勒电容,晶体管的开关速度会降低。