半导体设备国产替代加速,长盈精密子公司芯片减薄设备行业领先

在芯片制程的后道阶段,通过精密晶圆减薄工艺可以有效减小芯片封装体积、导通电阻、改善芯片的热扩散效率,提高其电气性能、力学性能,与此同时,对半导体芯片的产品质量和成本意义重大。由于技术门槛高,长期以来,晶圆减薄设备及耗材主要由日本DISCO、TOKYOSEIMITSU等国外少数几家企业垄断。在西方国家对中国半导体技术和设备实...

江西兆驰半导体申请倒装 LED 芯片及其制备方法专利,大幅提高倒装...

第一电极和第二电极;沉积反射层并开孔暴露第一电极和第二电极,分别在第一电极和第二电极上形成第一焊盘和第二焊盘,得到LED芯片;将基板与LED芯片键合;剥离LED芯片的衬底并将第一半导体层减薄;在减薄后的第一半导体层上沉积出光层;在基板上开孔并暴露第一焊盘和第二焊盘...

全球晶圆减薄、切割设备供应商统计

一直想发布一些封装领域的设备数据。之前已经发布了键合设备，这次就按照工序的顺序，发布一下晶圆背面减薄和芯片切割设备的数据吧芯片切割（Dicing）的技术手段大体分三种：刀片/Blade激光/Laser等离子/Plasma这三种技术的差异很大，所以在最新整理的表格里我把这三种设备的供应商进行了区分，方便大家更加深入细致了解...

芯片三维集成的“风口”之下,金刚石凭啥备受瞩目?

晶圆级封装:TSV用于传感器封装可减小尺寸、提高生产效率,硅基埋入扇出技术实现了芯片三维堆叠封装,不同系统或功能芯片可集成在一个芯片中。2016年,华天科技有限公司开发出硅基埋入扇出(eSiFO)技术,使用硅片作为载体,将芯片置于在12英寸硅晶圆上制作的高精度凹槽内,重构出1个晶圆;然后采用可光刻聚合物材料填充芯片和晶...

华虹半导体申请BCD芯片制造方法和芯片专利,提高芯片性能

通过掺杂外延生长工艺在第二导电类型埋层上生长形成第一导电类型外延层;制作形成多个深沟槽隔离结构;深沟槽隔离结构之间制作形成BCD器件,制作形成覆盖在BCD器件上的金属互连层;在金属互连层的上表面键合厚硅基板形成厚晶片结构;对第一导电类型半导体衬底的背面进行减薄;在相邻两个深沟槽隔离结构之间的第一导电类型半导体...

中山德华芯片技术申请砷化镓太阳电池衬底减薄相关专利,能够有效...

金融界2024年9月13日消息,天眼查知识产权信息显示,中山德华芯片技术有限公司申请一项名为“一种砷化镓太阳电池衬底的减薄方法及其应用“,公开号CN202410562912.1,申请日期为2024年5月(www.e993.com)2024年11月17日。专利摘要显示,本发明公开了一种砷化镓太阳电池衬底的减薄方法及其应用,属于太阳电池技术领域。本发明提供的减薄方法包...

长盈精密:梦启晶圆及芯片减薄设备等实现批量出货

据了解,晶圆减薄设备的作用是将已通过晶圆测试的晶圆背面的基体材料进行磨削,使其达到工艺要求的目标厚度,对半导体芯片的产品质量和成本意义重大,因此,晶圆减薄工序是半导体工序中重要的一环。由于技术门槛高,长期以来,晶圆减薄设备及耗材主要由日本DISCO、TOKYOSEIMITSU等国外少数几家企业垄断。在此背景下,长盈精密旗下...

先进封装争夺战:混合键合成“芯”宠

现在,键合可以为下一个晶圆减薄。imec和其他公司已经证明,非常薄(50??m)到非常厚(775??m)的芯片可以从临时载体转移到目标晶圆,转移率和键合率均为100%。对于超薄芯片,硅基是首选。玻璃基板确实允许紫外线解键合,但它们与前端工具不兼容。Imec、BrewerScience和SussMicroTec最近证明,集体芯片到晶圆键合流程可以...

产业丨日本芯片设备公司,盆满钵满

Chiplet所用的后端设备与传统封装技术相似,包括背面减薄机、切割机、引线键合机、焊线机、模塑机、切筋成型机等。目前,AI芯片制造的核心瓶颈在于台积电先进封装产能的紧缺。据相关报道,台积电计划在2024年将CoWoS产能翻倍,并将目标上调至20%,预计到2024年底将达到每月3.5万片。

巨头角逐,玻璃基板将成芯片游戏规则颠覆者?

其他日本公司也在积极开发玻璃基板产品。日本电气硝子（NEG）于2024年6月推出新型半导体基板材料“GCCore”。这种玻璃陶瓷基板特别适合封装Chiplet（小芯片），具有便于通孔加工、无需使用高成本蚀刻工艺即可实现基板减薄等优势。AGC（旭硝子玻璃）在其2024-2026年中期经营计划中强调，将集中资源开发玻璃基板。英特尔的主要...