讲透三极管_手机新浪网
基区很薄,但两个PN结的单向导电特性仍然完好无损,这才使得人们有了判断三极管管脚名称的办法和根据。问题4:在第2步讲解为什么Ic会受Ib控制,并且Ic与Ib之间为什么会存在着一个固定的比例关系时,不能形象加以说明。只是从工艺上强调基区的薄与掺杂度低,不能从根本上说明电流放大倍数为什么会保持不变。问题5:割裂...
如何建一个200亿美元的晶圆厂?|晶体管|台积电|洁净室_网易订阅
随着晶体管的缩小,英特尔发现,即使是最无害的设备变化(例如使用稍长的管道或电缆)也可能导致新工厂的工艺中断,并导致数月或数年的良率下降。为了解决这个问题,英特尔制定了一个名为“CopyEXACTLY”的流程。新工厂将尽可能与现有工厂相同,甚至包括墙壁油漆的颜色和品牌。因此,现代半导体工厂必须创造一个具有令人难...
首推!Nature系列:2023年钙钛矿器件集锦
由于改进了接触点,短通道二硫化钼晶体管在1V漏极偏压下显示电流饱和,导通电流为1.23毫安/微米,开/关比超过108,固有延迟为74飞秒。这些性能优于等效硅互补金属氧化物半导体技术,满足了2028年路线图目标。作者进一步制造了大面积的器件阵列,并展示了接触电阻、阈值电压、亚阈值摆动、开/关比、通态电流和跨导的低变异性...
晶体管的发展史:技术如何逼近极限?
由于米勒电容,晶体管的开关速度会降低。栅极掩模未对准的一种解决方案是所谓的“自对准栅极工艺”。该过程从创建栅极区域开始,然后使用离子注入创建漏极和源极区域。栅极下方的薄栅极氧化物用作掺杂工艺的掩模,可防止在栅极区域(沟道)下方进一步掺杂。因此,此过程使栅极相对于源极和漏极自对准。结果,源极和漏极不...
晶体管发展历程回顾
早期的MOS制造工艺始于源区和漏区的定义和掺杂。然后,使用限定了栅极氧化物区域的栅极掩模,该栅极氧化物区域随后将形成铝金属栅极。这种制造工艺的主要缺点之一是,如果栅极掩模未对准,则会产生寄生重叠输入电容Cgd和Cgs,如图2(a)所示。电容Cgd更有害,因为它是反馈电容。由于米勒电容,晶体管的开关速度会降低。
功率晶体管的历史和新兴设计
功率晶体管需要垂直结构,其中一个高电流端子(集电极)位于芯片底部,另一个高电压端子(发射极)在顶部(www.e993.com)2024年9月11日。基极端子必须与发射极交叉,由于发射极拥挤效应,通态电流集中在发射极边缘。需要具有低掺杂浓度的厚漂移区来支持高电压,尽管有一些电导率调制,但仍存在大的导通电阻。最重要的是,为了避免通过有限的击穿到达,大的基极...
射频微波系统的仿真与设计--异质结晶体管(HBT)
式中,第一个因子(Ne/Pb,)表示发射区和基区杂质浓度之比;第二个因子(Snb/Spe)代表发射极势垒区的基区端电子平均速度与发射区空穴平均速度之比;第三个因子是指数因子,其中qSn和qSp分别为从电子能量看的发射结势垒高度和从空穴能量看的发射结势垒高度。对于同质结晶体管q(Sp-Sn)=O,要提高电流放大系数就必须提...
这篇把三极管工作原理分析透彻了!
问题4:在第2步讲解为什么Ic会受Ib控制,并且Ic与Ib之间为什么会存在着一个固定的比例关系时,不能形象加以说明。只是从工艺上强调基区的薄与掺杂度低,不能从根本上说明电流放大倍数为什么会保持不变。问题5:割裂二极管与三极管在原理上的自然联系,不能实现内容上的自然过渡。甚至使人产生矛盾观念,二极管原理强调PN结...
高压SiC MOSFET研究现状与展望
高压SiCMOSFET在非钳位感性负载下的雪崩失效机理目前有3种解释,分别是由源区寄生双极结型晶体管(BJT)开启导致结温急剧上升产生坏点、温度升高导致沟道自开启和铝电极达到熔点,这3者最终都导致热失效,然而失效原因各不相同。白志强等人对P-well区的结构和掺杂进行调整和改进,通过降低BJT基区串联电阻和...
5G射频芯片中的半导体|慧智微论坛
二者都可以实现晶体管的放大特性。BJT器件基本结构BJT器件由两个背靠背的p-n结构成。由于用于电流传输的p-n结包含电子与空穴两种载流子,所以BJT器件取名为“Bipolar(双向/双极)”JunctionTransistor。虽然BJT由两个p-n结构成,但不是任意两个背靠背的p-n结二极管都可以构成BJT。BJT器件对于各区的掺杂浓度以及...