诚芯微取得“一种垂直应变双极结型晶体管及其制备方法”专利,提高...
专利摘要显示,本申请涉及一种垂直应变双极结型晶体管及其制备方法,垂直应变双极结型晶体管包括发射区、集电区和基区,所述发射区包括衬底和凸出于衬底表面的凸台,所述凸台的表面设有所述基区,所述基区环绕式包裹所述集电区,氮化硅应力薄膜环绕式包裹所述基区的外侧壁,本申请利用氮化硅应力薄膜环绕式包裹所述基区...
蹭小米汽车,获得了流量,付出了道歉
其实上一个蹭小米,获得了流量,付出了道歉的事儿,还没过去很长时间。4月份智己L6发布的时候,就把小米SU7列为了对标对象,在智己L6超强性能版对比小米SU7Max三电参数PPT中,智己把小米SU7Max的双电机描述成了「前IGBT(绝缘栅双极型晶体管),后SiC(碳化硅)」,而自己的却是双SiC。IGBT...
整理分类:晶体管的类型分析
晶体管的工作可以通过控制基极电压来调节发射极和集电极之间的电流。当在基极施加正向偏压时,会引起基区的载流子浓度增加,从而使得发射极和集电极之间的电流增大。反之,当基极施加反向偏压时,会使得基区的载流子浓度减小,从而导致发射极和集电极之间的电流减小。晶体管的工作可以分为两种基本模式:放大模式和开关模式。在...
基础知识之晶体管
基极(P型半导体)在结构上很薄,从发射极流入基极的大部分电子会扩散到集电极。电子(负电荷)被集电极-发射极间电压(VCE)吸引并向集电极的电极方向移动。这就是集电极电流IC。<电流方向与电子移动方向相反>晶体管工作示意图(NPN型)NPN和PNP晶体管晶体管大致可以分为“NPN”和“PNP”两种类型。从右图中也...
讲透三极管_手机新浪网
只是从工艺上强调基区的薄与掺杂度低,不能从根本上说明电流放大倍数为什么会保持不变。问题5:割裂二极管与三极管在原理上的自然联系,不能实现内容上的自然过渡。甚至使人产生矛盾观念,二极管原理强调PN结单向导电反向截止,而三极管原理则又要求PN结能够反向导通。同时,也不能体现晶体三极管与电子三极管之间在电流放大...
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
三极管的基区通常非常!非常!非常!薄!现代三极管基区的厚度可能是10纳米到20纳米,而N区的厚度可能为100纳米以上(www.e993.com)2024年9月11日。基区还有一个特点,非常非常轻度掺杂,意味着由于它是P型的,但是空穴很少。基区的非常薄和非常轻掺杂的特性是三极管工作的关键。这个非常薄的基区的创意想法就来自于三位老前辈76年前发明的点...
【产业研究】高压快充趋势及产业链降本,加速碳化硅产业进展——新...
晶体管方面:SiCMOSFET结构与硅基MOSFET产品类似,主要分为平面型和沟槽型两类,并拥有高耐压、开关损耗低、导通损耗低、体二极管续流特性好、温度稳定性高等特点,其高电压下依然能保持高速度、高效率的特点使其向原有耐压较高,但频率特性较差的Si-IGBT产品发起竞争,并在未来有望对SiIGBT形成全面替代。目...
半导体芯片,到底是如何工作的?
█晶体管电子管高速发展和应用的同时,人们也逐渐发现,这款产品存在一些弊端:一方面,电子管容易破损,故障率高;另一方面,电子管需要加热使用,很多能量都浪费在发热上,也带来了极高的功耗。所以,人们开始思考——是否有更好的方式,可以实现电路的检波、整流和信号放大呢?
为什么D类放大器需要反并联二极管
总而言之,当开关频率与谐振频率相匹配时,流经晶体管的电流为正。这简化了D类配置的电路实现。然而,在实际中,开关频率与谐振频率并不完全相同。让我们来研究一下这种失配对放大器性能的影响。无功负载:在高于其谐振频率的条件下运行D类放大器流经电感器的电流滞后于其上的电压90度。在D类放大器中,即使稍微高于...
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)知识解析
此外,闩锁电流对PNP和NPN器件的电流增益有一定的影响,因此,它与结温的关系也非常密切;在结温和增益提高的情况下,P基区的电阻率会升高,破坏了整体特性。因此,器件制造商必须注意将集电极最大电流值与闩锁电流之间保持一定的比例,通常比例为1:5。绝缘栅双极型晶体管(IGBT)对比...