我国科研人员首次制备出高速晶体管!石墨烯基区晶体管的延迟时间将...
石墨烯基区晶体管的延迟时间将缩短1000倍以上近日,中国科学院金属研究所,沈阳材料科学国家研究中心先进炭材料研究部科研人员首次制备出以肖特基结作为发射结的垂直结构晶体管“硅-石墨烯-锗晶体管”,成功将石墨烯基区晶体管的延迟时间缩短了1000倍以上,并将其截止频率由兆赫兹提升至吉赫兹领域。据悉,相关成果已在线...
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
N型半导体材料中有很多自由电子,对于三极管来说,特别是发射极,制造环节会进行重度掺杂,是三极管三个区中最多掺杂的,意味着有很多自由电子,很容易被移动并转化为电流。三极管的基区通常非常!非常!非常!薄!现代三极管基区的厚度可能是10纳米到20纳米,而N区的厚度可能为100纳米以上。基区还有一个特点,非常非常轻度掺...
芯片,到底是如何工作的?-虎嗅网
????芯片的起源可以追溯到真空管和晶体管的发明,而后逐步发展成集成电路。????真空管和晶体管的出现解决了检波、整流和信号放大的需求,推动了电子技术的发展。????随着半导体材料的出现,芯片的功耗和尺寸得到了大幅改善,推动了数字技术的快速发展。上一篇文章(《写给小白的芯片半导体科普》),小枣...
院士增选、退出等制度再次修订,中国工程院可根据国家需要设置特别...
研究人员发现,航天器上一批被称为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的元件会在低辐射水平下失效。迄今为止获得的测试数据表明,这些晶体管可能会在木星环境中出现故障。由于已经密封,这些晶体管无法被简单地替换。目前,NASA正试图确定有多少晶体管可能受到影响和它们失效后对任务的威胁,同时评估最大限度延长在木星环...
达新半导体|张海涛:Si/SiC/GaN功率器件技术路线对比浅析
我们再看一下材料到结构的变化,IGBT材料可以是FZ或者MCZ的单晶以及外延,主要是因为它的漂移区比较厚。碳化硅MOSFET是需要在一个高掺杂的衬底上来生长薄的外延漂移区。但氮化镓HEMT就完全不一样了,以硅衬底为例,我们要在P型111晶向高掺杂衬底上,首先生长一层NL成核层,再生长一层SRL超晶格层,然后再生长一层C-dop...
「电工基础知识100问」20年老电工都不一定全清楚!
PT正常运行时,由于二次负载是一些仪表和继电器的电压线圈阻抗大,基本上相当于变压器的空载状态,互感器本身通过的电流很小,它的大小决定于二次负载阻抗的大小,由于PT本身阻抗小,容量又不大,当互感器二次发生短路,二次电流很大,二次保险熔断影响到仪表的正确指示和保护的正常工作,当保险容量选择不当,二次发生短路保险...
2023 中国光学十大社会影响力事件_澎湃号·湃客_澎湃新闻-The Paper
中国科学技术大学郭光灿院士团队任希锋教授等人与新加坡国立大学仇成伟教授、郭强兵博士等合作,首次利用新型二维材料NbOCl??的非线性过程实现了超薄的量子光源,厚度可低至46nm。这是目前国际报道的最薄非线性量子光源。2.创制极化激元“晶体管”,显著提升纳米尺度光操控能力...
“两院院士评选2023年中国/世界十大科技进展新闻”揭晓|粒子|量子...
芯片是信息世界的基础核心,传统晶体管因接近物理极限而制约了芯片的进一步发展。原子级厚度的二维半导体理论上在未来节点更具潜力,但受限于其技术瓶颈,至今所有二维晶体管均不能媲美业界硅基器件。北京大学彭练矛院士、邱晨光研究员团队构筑了10纳米超短沟道弹道二维硒化铟晶体管。创造性地提出“稀土钇元素掺杂诱导二维...
【产业研究】高压快充趋势及产业链降本,加速碳化硅产业进展——新...
晶体管方面:SiCMOSFET结构与硅基MOSFET产品类似,主要分为平面型和沟槽型两类,并拥有高耐压、开关损耗低、导通损耗低、体二极管续流特性好、温度稳定性高等特点,其高电压下依然能保持高速度、高效率的特点使其向原有耐压较高,但频率特性较差的Si-IGBT产品发起竞争,并在未来有望对SiIGBT形成全面替代。目...
2023年中国十大科技进展新闻有哪些?两院院士把票投给了它们
3.超越硅基极限的二维晶体管问世北京大学彭练矛院士、邱晨光研究员团队构筑了10纳米超短沟道弹道二维硒化铟晶体管,创造性提出“稀土钇元素掺杂诱导二维相变理论”,并发明“原子级可控精准掺杂技术”,从而克服二维领域金属和半导体接触的国际难题,研制出国际上迄今速度最快、能耗最低的二维晶体管。