诚芯微取得“一种垂直应变双极结型晶体管及其制备方法”专利,提高...
垂直应变双极结型晶体管包括发射区、集电区和基区,所述发射区包括衬底和凸出于衬底表面的凸台,所述凸台的表面设有所述基区,所述基区环绕式包裹所述集电区,氮化硅应力薄膜环绕式包裹所述基区的外侧壁,本申请利用氮化硅应力薄膜环绕式包裹所述基区的外侧壁,可提供单轴应力,提高载流子迁移率,进而提高器件的特征...
整理分类:晶体管的类型分析
双极型光电晶体管通常增益较高,但速度不太快。场效应光电晶体管响应速度快。其缺点是感光面积小,增益小。它通常用作极高速光学探测器。还有许多其他与此相关的平面光电器件。特点是速度快,适合集成。此类器件有望在光电集成领域得到广泛应用。双极晶体管双极晶体管是指音频电路中非常常用的一种晶体管。双极源自两种...
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
由于基区特别薄,有少许空穴,而发射区又进行了重度掺杂,有大量的自由电子,一旦我们打开基极-发射极的PN结,很多这些电子就被吸引到基区,但是实际上只有很少的电子会与空穴复合并形成基极电流。其余的电子,它们进入薄薄的基区后(这个薄很关键),被集电极的正电势吸引。也就是说,大量的电子,到达基区,它们找不到一...
讲透三极管_手机新浪网
问题1:这种讲解方法在第3步中,讲解集电极电流Ic的形成原因时,不是着重地从载流子的性质方面说明集电区的反偏导通,从而产生了Ic,而是不恰当地侧重强调了Vc的高电位作用,同时又强调基区的薄。这种强调很容易使人产生误解。以为只要Vc足够大基区足够薄,集电结就可以反向导通,PN结的单向导电性就会失效。其实这正好与...
谈谈Lunar Lake的低功耗设计:听说x86做不了低功耗?
两年前,我们在《x86做不了低功耗CPU的传言,Arm笑而不语》一文中对此做了详细的解释。如果将“低功耗”和“高性能”窄化到PC和工作站平台,那么低功耗大约是指轻薄本上的低压/超低压处理器,高性能当然也就是台式机或工作站的处理器了。苹果M系列芯片,乃至超过千亿晶体管的MxUltra工作站芯片发布,破除了Arm不能...
为什么D类放大器需要反并联二极管
通常,电感电流使用机械开关或晶体管进行切换(www.e993.com)2024年9月11日。对于机械开关,电感反冲会使开关触点之间的空气电离,产生明亮的火花。对于晶体管,电感反冲产生的大电压很容易损坏晶体管。为了规避导致电感反冲的电流快速变化,我们使用二极管来创建电流路径。D类放大器中的反并联二极管提供了这种功能。例如,让我们来检查图8中电流波形在t=...
mos管和双极型晶体管的区别
MOS管和双极型晶体管(BJT)是常见的两种晶体管器件,它们在工作原理、结构以及性能上存在明显差异,本文将对其进行比较分析。如果您对即将涉及的内容感兴趣,那么请继续阅读下文吧,希望能对您有所帮助。结构BJT有三个区域:发射区(Emitter)、基区(Base)和集电区(Collector)。发射区和集电区是N型或P型半导体,基区...
世界首个有机双极晶体管问世
双极型晶体管有两种基本结构:PNP型和NPN型。在这3层半导体中,中间一层称基区,外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时,在发射区和集电区之间就会形成较大的电流,这就是晶体管的放大效应。好啦,这次的分享就到这里,我们下期再见!欢迎在评论区补充和留言。
双极晶体管基础知识解析
双极晶体管一般指双极型晶体管,由两个背靠背PN结构成的以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管,50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构:PNP型和NPN型。在这3层半导体中,中间一层称基区,外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量...
为什么你需要知道中国科学家开发出了碳基晶体管
同时,由碳晶体管打造的小规模集成电路也体现出优于硅的性能,而晶体管的速度和能耗直接影响芯片的速度和能耗。如果将这一成果纳入国家战略,与国内在芯片设计及加工等各方面的龙头企业合作,联手开发碳基芯片,那么,中国的芯片技术很可能实现换道超车。我们是这样分析的:成本方面,碳与硅同为地球上含量相当丰富的元素,...