为什么D类放大器需要反并联二极管
通常,电感电流使用机械开关或晶体管进行切换。对于机械开关,电感反冲会使开关触点之间的空气电离,产生明亮的火花。对于晶体管,电感反冲产生的大电压很容易损坏晶体管。为了规避导致电感反冲的电流快速变化,我们使用二极管来创建电流路径。D类放大器中的反并联二极管提供了这种功能。例如,让我们来检查图8中电流波形在t=...
Intel断言没戏的碳基晶体管来了
事实上,早在2005年,Intel在一篇论文中曾指出:“制备出性能超越硅基N型晶体管的碳纳米管器件是不可能的。”的确,随着集成电路的发展,摩尔定律已走在失效的边缘,寻求硅以外替代材料已成为信息产业的重要方向之一。虽然碳纳米管被认为是一个非常有潜力的竞争者,但用传统掺杂工艺制备碳纳米管晶体管遇到了巨大困难。200...
0.1纳米时代!巨头发力下一代晶体管CFET
而在最新的逻辑节点中,传统器件架构已不具优势,而互补场效应晶体管(CFET)则被看做“成大事者”,成为埃米时代(1埃米等于0.1纳米)的主流架构。那么CFET究竟有着怎样的魅力?01为什么需要CFET?CFET,作为一种创新的CMOS工艺,以其晶体管垂直堆叠的独特方式,突破了传统平面工艺、FinFET(鳍式场效应晶体管)以及GAAFET(...
“网红”碳基半导体进展如何?是否像预期的一样完美?盘点2020-2024...
南京大学电子科学与工程学院万青教授在过去的采访中提到,目前,虽然单个碳基器件已经做的很好了,但和硅集成电路相比,碳基半导体在纳米尺度超大规模集成和产业化良率方面还存在一定问题。在常规集成电路应用方面,目前碳管电路可能还无法和硅基电路竞争,所以碳基半导体也许更需要差异化发展,未来有望在传感、柔性系统等新领...
我们已悄然站在一个时代的临界点,改变未来世界的5大趋势|互动读书
主要原因是,现在的微芯片已经非常紧凑了,最薄的晶体管层大约只有20个原子直径那样薄。而当晶体管层继续压缩到大约只有5个原子直径时,电子的位置就将变得不确定,电子可能会逃逸出来,从而导致芯片短路,或者可能会产生大量热量而进一步导致芯片熔化,囿于此,晶体管层继续压缩变薄的空间已经不断收窄。换言之,根据物理...
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
非常!薄!现代三极管基区的厚度可能是10纳米到20纳米,而N区的厚度可能为100纳米以上(www.e993.com)2024年9月11日。基区还有一个特点,非常非常轻度掺杂,意味着由于它是P型的,但是空穴很少。基区的非常薄和非常轻掺杂的特性是三极管工作的关键。这个非常薄的基区的创意想法就来自于三位老前辈76年前发明的点接触式三极管:...
讲透三极管_手机新浪网
这很明显地与强调Vc的高电位作用相矛盾。问题3:传统讲法第2步过于强调基区的薄,还容易给人造成这样的误解,以为是基区的足够薄在支承三极管集电结的反向导通,只要基区足够薄,集电结就可能会失去PN结的单向导电特性。这显然与人们利用三极管内部两个PN结的单向导电性,来判断管脚名称的经验相矛盾。既使基区很薄,...
重磅发布!2023 中国光学十大社会影响力事件(Light10)—新闻—科学网
2、创制极化激元“晶体管”,显著提升纳米尺度光操控能力国家纳米科学中心戴庆研究员团队与西班牙光子科学研究所的研究人员合作,发现了基于石墨烯/氧化钼异质结的面内负折射。该发现开辟了传统结构光学路径以外的新方案,实现了高效的纳米尺度光场聚焦和电可调的正负折射转换功能,为纳米尺度光操控提供新方法,有望应用于光...
由两院院士评选,揭晓!
3.超越硅基极限的二维晶体管问世芯片是信息世界的基础核心,传统晶体管因接近物理极限而制约了芯片的进一步发展。原子级厚度的二维半导体理论上在未来节点更具潜力,但受限于其技术瓶颈,至今所有二维晶体管均不能媲美业界硅基器件。北京大学彭练矛院士、邱晨光研究员团队构筑了10纳米超短沟道弹道二维硒化铟晶体管。创...
技术前沿:医学平板显示技术——数字平板探测器
无论何种技术,都希望电子迁移率越快越好。因此,电子迁移率高,单个晶体管就可以做得更小,使显示像素更小,图像空间分辨率更高。举个形象的栗子,如果希望在规定时间内运输足够多的煤炭到另一个城市,如果火车速度慢,就得多轨道多火车同时运输,显然这样非常占地方(空间分辨率低);如果车速足够快,单节小火车也能...